英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發與制造的高新技術企業,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產業鏈模式,建立了全球首條產能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產線。 公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成,我們相信GaN可以改變世界,我們的目標是以更低的價格,向客戶提供品質一流、可靠性優異的GaN器件,并且實現GaN技術在市場的廣泛應用。

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十大廠商于半橋氮化鎵領域推陳出新,核心優勢全解析
前言
傳統分立器件方案常面臨外圍元件繁多、驅動電路復雜、PCB占用面積大等痛點。隨著氮化鎵功率器件技術的成熟,主流廠商紛紛轉向驅動器+...
英諾賽科氮化鎵在多個重要領域獲得應用突破!
前言
英諾賽科作為氮化鎵技術的領軍企業之一,通過不斷創新,推動了800VDC架構、儲能系統、太陽能技術以及新能源汽車等多個領域的技術推...
十家半導體企業入局低壓GaN市場!
前言
在消費電子高功率密度化、AI數據中心加速擴張以及車載與工業電源不斷升級的背景下,低壓氮化鎵正成為推動電源效率與功率密度躍升的核心...
英諾賽科推出多款氮化鎵功率器件,在多款大牌LLC大功率快充批量應用
前言
近年來,從充電頭網多款拆解報告中我們可以看到,英諾賽科推出的GaN功率器件廣泛應用于大功率快充LLC電路中。在傳統的LLC電路中常常...
高壓半橋氮化鎵芯片大盤點,十大廠商產品各具亮點
前言
傳統分立器件組合的電路方案往往存在外圍器件多、驅動設計復雜、PCB面積占用大等問題。隨著氮化鎵功率器件的不斷成熟,廠商們逐漸將驅動與...
知名功率器件廠商推出TOLL功率器件
前言
近年來,功率器件領域的創新持續不斷。為提高電源的功率密度與轉換效率,各功率器件廠商紛紛投身于更新型功率器件封裝工藝及形態的探索。如今...
英諾賽科推出頂部散熱Dual-Cool GaN,顯著提升系統熱性能
前言
早在今年2月,英諾賽科便宣布率先量產采用頂部散熱Dual-Cool En-FCLGA封裝的100V氮化鎵器件INN100EA035A...




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