英諾賽科是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 公司核心技術團隊由眾多資深的國際一流半導體專家組成,我們相信GaN可以改變世界,我們的目標是以更低的價格,向客戶提供品質(zhì)一流、可靠性優(yōu)異的GaN器件,并且實現(xiàn)GaN技術在市場的廣泛應用。

產(chǎn)品列表(8)
查看更多資訊
英諾賽科完勝EPC專利糾紛!
充電頭網(wǎng)了解到,近期英諾賽科正式收到美國海關177程序勝訴裁決,其規(guī)避設計方案被確認不侵犯美國EPC公司相關專利,規(guī)避設計產(chǎn)品可正常...
英諾賽科氮化鎵導入谷歌AI數(shù)據(jù)中心平臺!
充電頭網(wǎng)獲悉,英諾賽科于2月3日披露,公司旗下相關產(chǎn)品已完成在谷歌相關AI硬件平臺的重要設計導入,并簽訂合規(guī)供貨協(xié)議。同時,英諾賽科表...
英諾賽科氮化鎵BMS方案家族再添一員
近日,英諾賽科發(fā)布最新高邊同口BMS方案INNDBMS120HA1,基于自研雙向氮化鎵(VGaN)器件與配套驅(qū)動IC,面向儲能與動力等應...
英諾賽科攜手納斯達克企業(yè),共推AI服務器電源新應用!
近日,充電頭網(wǎng)獲悉,英諾賽科與Allegro聯(lián)合發(fā)布了一款面向AI數(shù)據(jù)中心的全GaN服務器電源參考設計,在效率與功率密度上實現(xiàn)突...
十大廠商于半橋氮化鎵領域推陳出新,核心優(yōu)勢全解析
前言
傳統(tǒng)分立器件方案常面臨外圍元件繁多、驅(qū)動電路復雜、PCB占用面積大等痛點。隨著氮化鎵功率器件技術的成熟,主流廠商紛紛轉(zhuǎn)向驅(qū)動器+...
英諾賽科氮化鎵在多個重要領域獲得應用突破!
前言
英諾賽科作為氮化鎵技術的領軍企業(yè)之一,通過不斷創(chuàng)新,推動了800VDC架構、儲能系統(tǒng)、太陽能技術以及新能源汽車等多個領域的技術推...
十家半導體企業(yè)入局低壓GaN市場!
前言
在消費電子高功率密度化、AI數(shù)據(jù)中心加速擴張以及車載與工業(yè)電源不斷升級的背景下,低壓氮化鎵正成為推動電源效率與功率密度躍升的核心...
英諾賽科推出多款氮化鎵功率器件,在多款大牌LLC大功率快充批量應用
前言
近年來,從充電頭網(wǎng)多款拆解報告中我們可以看到,英諾賽科推出的GaN功率器件廣泛應用于大功率快充LLC電路中。在傳統(tǒng)的LLC電路中常常...
高壓半橋氮化鎵芯片大盤點,十大廠商產(chǎn)品各具亮點
前言
傳統(tǒng)分立器件組合的電路方案往往存在外圍器件多、驅(qū)動設計復雜、PCB面積占用大等問題。隨著氮化鎵功率器件的不斷成熟,廠商們逐漸將驅(qū)動與...
知名功率器件廠商推出TOLL功率器件
前言
近年來,功率器件領域的創(chuàng)新持續(xù)不斷。為提高電源的功率密度與轉(zhuǎn)換效率,各功率器件廠商紛紛投身于更新型功率器件封裝工藝及形態(tài)的探索。如今...
英諾賽科推出頂部散熱Dual-Cool GaN,顯著提升系統(tǒng)熱性能
前言
早在今年2月,英諾賽科便宣布率先量產(chǎn)采用頂部散熱Dual-Cool En-FCLGA封裝的100V氮化鎵器件INN100EA035A...




http://m.xtzz.cc/






