近日，英諾賽科發(fā)布最新高邊同口BMS方案INNDBMS120HA1，基于自研雙向氮化鎵（VGaN）器件與配套驅(qū)動IC，面向儲能與動力等應(yīng)用場景提供更簡化的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)路徑。

充電頭網(wǎng)獲悉，INNDBMS120HA1方案由自研高壓側(cè)驅(qū)動芯片INS1012SE搭配100V VGaN功率器件 INV100FQ030C 組成，通過高邊同口架構(gòu)實(shí)現(xiàn)保護(hù)策略與系統(tǒng)集成的同步優(yōu)化。

該方案將開關(guān)器件布置在電池正極通路，保護(hù)動作時可直接切斷正極通路；同時電池包與系統(tǒng)端保持共地，可避免保護(hù)觸發(fā)后通信中斷問題，減少對額外隔離電路的依賴，從而降低系統(tǒng)復(fù)雜度與靜態(tài)功耗。核心器件INV100FQ030C具備無體二極管、雙向?qū)ΨQ阻斷特性，可用單顆器件替代傳統(tǒng)背靠背雙Si MOS配置；其導(dǎo)通內(nèi)阻3.2mΩ，采用4mm×6mm小封裝，有助于節(jié)省板級空間、降低發(fā)熱并優(yōu)化系統(tǒng)成本。

該方案已完成120A持續(xù)放電與1200A以上短路保護(hù)等測試，溫升控制表現(xiàn)穩(wěn)定，適用于對可靠性要求較高的BMS應(yīng)用。

放眼行業(yè)，INNDBMS120HA1是英諾賽科圍繞多元應(yīng)用需求搭建的系統(tǒng)化方案中的一環(huán)。目前英諾賽科已從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率等級與驅(qū)動技術(shù)等維度，規(guī)劃并推出多款參考方案與器件組合，為工程師提供更清晰的選型思路與落地路徑。