前言

英諾賽科作為氮化鎵技術的領軍企業之一，通過不斷創新，推動了800VDC架構、儲能系統、太陽能技術以及新能源汽車等多個領域的技術推進。旗下氮化鎵產品解決了傳統硅基器件在高功率密度和高頻率應用中的諸多瓶頸，同時有助電源大幅提升了系統效率，降低了能量損耗。通過這一系列創新，英諾賽科正在重新定義現代電力系統的設計思路，推動能源行業向著更高效、更環保的方向邁進。為此，本文將深入探討英諾賽科在多個領域的技術突破，為讀者解析英諾賽科旗下氮化鎵的創新應用。

800 VDC服務器領域

英諾賽科憑借其先進的氮化鎵產品鏈路，成為英偉達800VDC架構建設的重要合作伙伴。800VDC架構旨在通過高效的電源轉換系統解決數據中心的高功率密度和空間占用問題。氮化鎵器件在該架構中能夠顯著提升系統效率、降低能量損耗，并推動架構的高頻率和緊湊設計。此外，英諾賽科是唯一能夠同時量產中高低壓氮化鎵器件的公司，其技術助力英偉達將800VDC架構從藍圖變為現實，預計將顯著提高數據中心的能效，減少碳排放，并支持AI算力的快速增長。

太陽能儲能領域

近期，英諾賽科推出的100V雙面散熱En-FCLGA封裝系列產品——INN100EA050DAD和INN100EA070DAD，通過其超低的導通電阻和極低的開關損耗，在太陽能和儲能系統中帶來了顯著的效率提升。相比傳統封裝，雙面散熱設計提高了熱導率65%，顯著降低了工作溫度和能量損耗，從而提升了整體系統效率，尤其在36V至80V的輸入條件下，系統效率達到95.5%以上。這些創新技術讓太陽能微型逆變器、儲能系統和最大功率點跟蹤優化器的性能得到了顯著優化。

英諾賽科的En-FCLGA封裝具備優秀的熱性能，適用于空間受限的應用場景。雙面散熱方案提升了系統的可靠性和穩定性，同時使得PCB布局更為簡潔，減少了寄生電阻的影響。通過這些創新，英諾賽科的GaN產品在降低系統損耗、提升響應速度和功率密度方面展現了巨大優勢，為太陽能和儲能領域的高效應用開辟了新的可能性。

BMS系統

充電頭網了解到英諾賽科的雙向VGaN在BMS電池管理系統中的應用顯著提升了系統效率與可靠性。英諾賽科雙向VGaN單顆即可取代傳統兩顆背靠背硅MOSFET，實現雙向導通與截止功能，同時導阻低至幾mΩ，有效降低導通損耗，并簡化電路布局，縮小PCB占板面積達33%以上，從而減少整體系統體積與BOM成本。

此外，該系列氮化鎵器件擊穿電壓裕量更大，實際測試最高可達180V，遠超標稱144V，提供更高的安全裕量，降低異常情況下電路故障風險；同時結合英諾賽科自家專用驅動芯片的優化配合，進一步降低溫升、提升散熱性能，并減少系統散熱需求，適用于高電流儲能、電動工具及輕型電動車輛等場景，推動BMS方案向高效、緊湊與低成本方向演進。

新能源汽車OBC

近期，聯合動力與英諾賽科攜手推出的新一代6.6kW GaN車載二合一電源產品，將車載OBC與車載直流變換器高度集成。該系統通過全局效率優化設計，結合英諾賽科650V高壓GaN功率器件的低開關損耗和高頻特性，顯著提升了充電效率和功率密度。相比同類產品，整機功率密度提高30%，達到了4.8kW/L；綜合效率提升超過2%，整機重量降低20%。這一創新應用為新能源汽車提供了更高效率、更輕便的解決方案。

手機電池充電保護

充電頭網了解到，OPPO Find X7等手機內部采用的英諾賽科VGaN雙向導通氮化鎵芯片，其具備無體二極管、低導通阻抗等特性，到目前為止是全球唯一內置到手機主板，并實現終端量產的氮化鎵芯片。利用一顆VGaN代替傳統手機內部的兩顆背靠背Si MOS，實現了更低導通損耗的手機電池充、放電功能，同時大幅節約手機內部空間，保證手機在充電過程中更高效，更安全。