前言
傳統分立器件方案常面臨外圍元件繁多、驅動電路復雜、PCB占用面積大等痛點。隨著氮化鎵功率器件技術的成熟，主流廠商紛紛轉向驅動器+功率管的集成化設計，推出高壓半橋GaN芯片。這種集成化設計顯著簡化系統架構，在效率、開關速度和功率密度上展現出明顯優勢，已成為電機驅動、開關電源、快充適配器、光伏逆變器及車載電源等高性能應用領域的理想選擇。
目前，國內外多家知名廠商已在650V/700V高壓半橋GaN領域密局，產品線持續迭代。為此，本文系統梳理十大代表性廠商的核心半橋GaN芯片，剖析其關鍵參數與技術亮點，為行業提供客觀參考與選型依據。
半橋氮化鎵芯片
充電頭網總結了十大廠商推出的多款高壓氮化鎵芯片，并匯總如上表所示。
文中排名不分先后，按企業首字母順序排列。
Fantastichip梵塔
梵塔FCG65N150QF
梵塔FCG65N150QF氮化鎵合封器件創新性地集成了半橋驅動器、兩個對稱半橋配置的650V耐壓、150mΩ導阻的GaN晶體管，同時將自舉二極管一并內置，外圍精簡，大幅削減了占板空間，并從根源上削弱了寄生效應對電路性能的影響。
FCG65N150QF具備無反向恢復損耗的優良特性，且開關延遲短，匹配誤差小。芯片內置穩壓器，低高兩側均配備UVLO保護功能，助力芯片的穩定工作，提升內置GaN工作效率，確保系統安全、高效運轉。此外，該芯片支持可編程死區時間，用戶能夠依據實際產品需求精準、靈活配置，有效提升了使用的便利性與適配性。
該芯片擁有工業級別的-40~125℃的耐受區間，搭配緊湊的QFN 9×9mm封裝，結構緊湊且受惡劣環境影響小。憑借此優勢，該產品能廣泛且適配地應用于半橋、全橋、LLC以及AHB電路，以及對體積要求苛刻的高功率密度PD適配器、筆電適配器等多種場景。
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Infineon 英飛凌
英飛凌IGI60L1111B1M
IGI60L1111B1M集成了一個半橋功率級，由兩個110 mΩ/600 V增強型 CoolGaN開關 和集成柵極驅動器組成，封裝在緊湊的6 x 8 mm TFLGA-27封裝內。在低至中功率應用場景下，該器件非常適合用于支持高功率密度電機驅動和開關電源的設計，充分利用 CoolGaN功率開關優異的開關特性。
英飛凌的 CoolGaN及相關功率開關 具備非常堅固的柵極結構。當在導通狀態下由數 mA 的連續柵極電流驅動時，總能保證實現最低導通電阻 Rdson。
英飛凌IGI60F1414A1L
英飛凌推出的半橋氮化鎵集成功率級芯片 IGI60F1414A1L，適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設計應用。外觀為8x8 QFN-28封裝型式，針對散熱效能進行強化，可為系統提供極高的功率密度。此產品包含兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 （e-mode） HEMT 開關以及英飛凌 EiceDRIVER系列中的電氣隔離專用高低側柵極驅動器。
隔離柵極驅動器擁有兩個數字 PWM 輸入，讓 IGI60F1414A1L 更易于控制。為了達到縮短開發時間、減少系統物料清單項目和降低總成本等目標，利用集成隔離功能、明確分隔數字和電源接地以及簡化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。
柵極驅動器采用英飛凌的單芯片無磁芯變壓器（CT）技術，將輸入與輸出有效隔離。即便在電壓上升或下降速率超過150 V/ns的超快速切換瞬時下，仍可確保高速特性和杰出的穩定性。
英飛凌 IGI60F1414A1L的切換特性可以簡易地根據不同的應用借由一些柵極路徑的被動元件諸如阻容器件實現。例如，此特性可使電流或電壓速率優化，以降低電磁干擾（EMI）效應、穩態柵極電流調整和負柵極電壓驅動，在硬切換開關應用中穩定運行。
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1、 英飛凌推出30W-500W快充應用CoolGaN氮化鎵產品
應用案例：
英飛凌IGI60L1414B1M
IGI60L1414B1M 集成了一個半橋功率級，該功率級由兩個140 mΩ/600 V增強型CoolGaN開關與集成柵極驅動器組成，封裝于小巧的 6 x 8 mm TFLGA-27 封裝中。在低到中功率應用領域，它非常適合用于支持高功率密度的電機驅動和開關電源的設計，充分利用CoolGaN功率開關優異的開關特性。
英飛凌的CoolGaN及相關功率開關 提供了非常穩健的柵極結構。當其在“導通”狀態下由幾 mA 的連續柵極電流驅動時，總能保證最小的導通電阻 Rdson。
英飛凌IGI60L2727B1M
IGI60L2727B1M 集成了一個半橋功率級，該功率級由兩顆600 V / 270 mΩ增強型 CoolGaN開關與集成柵極驅動器組成，封裝為小尺寸 6 x 8 mm TFLGA-27。在低到中等功率應用領域，它非常適合用于高功率密度電機驅動和開關電源的設計，充分發揮CoolGaN功率開關卓越的開關特性。
英飛凌的CoolGaN及相關功率開關提供了非常穩健的柵極結構。當在“導通”狀態下由連續的毫安級柵極電流驅動時，器件始終能夠保證最小導通電阻 Rdson。
英飛凌IGI60L5050B1M
IGI60L5050B1M 集成了一個半橋功率級，該功率級由兩個500mΩ/600V增強型CoolGaN開關與集成柵極驅動器組成，封裝在緊湊的6 x 8 mm TFLGA-27封裝中。在低到中功率應用領域，該器件非常適合用于設計 高功率密度的電機驅動和開關電源，充分利用 CoolGaN功率開關優異的開關性能。
英飛凌的CoolGaN及相關功率開關提供了非常堅固的柵極結構。在“導通”狀態下，當以數 mA的連續柵極電流驅動時，始終可以保證其具備最小的導通電阻Rdson。
Innoscience 英諾賽科
英諾賽科ISG6102
ISG6102是一款耐壓700V，導阻150mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，支持9-80V的輸入電壓而無需額外的低壓差線性穩壓器，能夠維持6V柵極驅動電壓，集成的智能柵極驅動器提供可編程的一級開啟速度以控制轉換速率，并延遲二級開啟增強，從而實現高頻率、高效率和低EMI性能。內部集成無損電流感應，具有可編程的開關啟動斜率，支持零反向恢復電壓，采用QFN6x8封裝。
英諾賽科ISG6103
ISG6103是一款耐壓700V，導阻230mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內置高壓線性穩壓器、智能柵極驅動器和無損電流檢測電路，支持9-80V的輸入電壓而無需額外的低壓差線性穩壓器，能夠維持6V柵極驅動電壓。集成的智能柵極驅動器提供可編程的一級開啟速度以控制轉換速率，并延遲二級開啟增強，從而實現高頻、高效率和低EMI性能，采用QFN6x8封裝。
英諾賽科ISG6106QA
英諾賽科ISG6106是一款耐壓700V，導阻100mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。
ISG6106可耐受700V連續電壓，800V的瞬時電壓，靜態電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。
英諾賽科ISG6107QA
英諾賽科ISG6107是一款耐壓700V，導阻150mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。
ISG6107可耐受700V連續電壓，800V的瞬時電壓，靜態電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。
英諾賽科ISG6108QA
英諾賽科ISG6108是一款耐壓700V，導阻230mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。
ISG6108可耐受700V連續電壓，800V的瞬時電壓，靜態電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。
英諾賽科ISG6109QA
英諾賽科ISG6109是一款耐壓700V，導阻320mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。
ISG6109可耐受700V連續電壓，800V的瞬時電壓，靜態電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。
JOULWATT 杰華特
杰華特JW1568K
JW1568K集成了一個門極驅動器和兩個增強模式的GaN晶體管，采用半橋配置。集成的功率GaN器件具有220 m?的導通電阻（RDS(ON)）和650 V的漏極-源極擊穿電壓，而嵌入式門極驅動器的高側可以輕松地由集成的bootstrap二極管供電。
JW1568K具有下部和上部驅動部分的欠壓鎖定保護，可防止功率開關在低效率或危險條件下運行。JW1568K提供6mm*8mm的QFN封裝。高度集成化使其成為一種簡單易用、元件數量少且高效的隔離電源傳遞應用解決方案。
應用案例：
2、拆解報告：Aohi 140W 2C1A氮化鎵充電器（青春版）
Navitas 納微
納微NV624X
NV624X是一款采用了Navitas 納微半導體最新GaNSense技術的新一代半橋氮化鎵功率芯片系列產品，相比于現有的分立式方案，納微半橋功率芯片可實現MHz級的開關頻率，將有效降低系統損耗和復雜度。
納微NV624X系列目前已有 NV6245C、NV6247兩款650V產品以及700V產品NV6247C，均采用工業標準、薄型、低電感的 6x8mm PQFN 封裝。納微 NV6245C 內置2顆 275mΩ GaN FETs 和對應驅動器，可用于 65W ACF 拓撲快充電源、100W AHB 拓撲快充電源等產品中。
納微NV6247內置2顆160mΩ GaN FETs和對應驅動器，實現橋式電源拓撲在 MHz 頻率下運行。不僅如此，芯片同時還完美適配圖騰柱PFC以及三相電機驅動等應用場景。
納微NV624X 半橋氮化鎵功率芯片為電子元件創建了一個易于使用的系統構建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少 60% 的元件數量及布局結構，進而減少系統成本、尺寸、重量與復雜性。
納微NV624X半橋氮化鎵功率芯片集成的 GaNSense 技術實現了前所未有的自動保護，提升了系統可靠性和穩定性，并結合了無損電流感測，達到更高層級的效率和節能水平。
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1、邁向MHz時代，納微重磅推出新型半橋氮化鎵功率芯片NV624x系列
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納微NV6252
NV6252 是一款 650V GaNFast半橋功率IC，將兩顆高性能增強型eMode GaN功率晶體管與高可靠性驅動及保護電路單片集成，面向高頻、高效率和高功率密度電源應用而優化設計。器件支持 650V 直流母線耐壓，其中高邊GaN FET典型導通電阻為600 mΩ，低邊GaN低至300 mΩ，在保證高耐壓能力的同時顯著降低導通損耗。
NV6252 具備優異的dv/dt抗擾能力，支持高達2 MHz的開關頻率，可顯著縮小磁性元件與濾波器體積，實現更高系統效率與功率密度。器件集成浮動高邊驅動、內部電平轉換及自舉結構，并提供完善的 UVLO、ESD 及直通保護，幫助設計人員在高頻、高壓環境下實現穩定可靠的電源方案。
NV6252 采用QFN 6×8封裝，封裝厚度僅0.85 mm，可廣泛適用于 AC-DC、DC-DC、DC-AC 電源架構，包括 反激、LLC 諧振、Buck/Boost、半橋及全橋拓撲。典型應用場景涵蓋 快充適配器、筆記本電腦電源、服務器與通信輔助電源、LED 照明、顯示器電源以及高性能 Class-D 功放 等，是新一代高效率、高集成度電源設計的理想選擇。
納微NV6269C
NV6269C是一款面向高頻高效率電源的650V半橋 GaNFast Power IC，集成高邊與低邊增強型eMode GaN FET、柵極驅動及多重保護功能。器件支持650V連續耐壓、800V瞬態耐壓，具備200 V/ns 的高dv/dt抗擾能力，高低邊導通電阻均低至70 mΩ，并支持最高2 MHz 的開關頻率，兼顧高耐壓、低損耗與高速開關需求。
NV6269C 的核心亮點在于集成 GaNSense無損電流檢測技術，可在無需外部分流電阻的情況下實現實時、精準的電流感知，并直接用于過流保護與控制回路。該方案不僅減少外圍器件與功耗損失，還提升了電流檢測帶寬、系統一致性與可靠性，同時配合過溫保護、自動恢復及輕載自動待機功能，使器件在高頻、高功率密度應用中更加安全穩健。
器件采用QFN 封裝，具備低寄生電感與增強散熱能力，適合高 dv/dt、高 di/dt 的半橋應用。NV6269C特別適用于LLC、ACF、AHB等諧振拓撲，以及高端AC-DC / DC-DC電源、快充適配器、筆記本電源、服務器與通信輔助電源及Class D 功放等場景，是追求高效率、高功率密度與高可靠性電源系統的理想選擇。
novosns 納芯微
納芯微NSG65N15K
為進一步發揮GaN高頻、高速的特性優勢，納芯微同時推出了集成化的Power Stage產品NSG65N15K，內部集成了半橋驅動器NSD2621和兩顆耐壓650V、導阻電阻150mΩ的GaN開關管，工作電流可達20A。NSG65N15K內部還集成了自舉二極管，并且內置可調死區時間、欠壓保護、過溫保護功能，可以用于圖騰柱PFC、ACF和LLC等半橋或全橋拓撲。
NSG65N15K用一顆器件取代驅動器和兩顆開關管組成的半橋，有效減少元件數量和布板面積。NSG65N15K是9*9mm的QFN封裝，相比傳統分立方案的兩顆5*6mm DFN封裝的GaN開關管加上一顆4*4mm QFN封裝的高壓半橋驅動，加上外圍元件，總布板面積可以減小40%以上，從而有效提高電源的功率密度。同時，NSG65N15K的走線更方便PCB布局，有利于實現簡潔快速的方案設計。
NSG65N15K的合封設計有助于減小驅動和開關管之間的寄生電感，簡化系統設計并提高可靠性。如上圖所示，傳統的分立器件方案，會引入由于PCB走線造成的柵極環路電感Lg_pcb和由于GaN內部打線造成的共源極電感Lcs。
其中，柵極環路電感Lg_pcb會在柵極電壓開通或關斷過程產生振鈴，如果振鈴超出GaN的柵源電壓范圍，容易造成柵極擊穿；并且在上管開通過程中，高dv/dt產生的米勒電流會在下管的Lg_pcb上產生正向壓降，有可能造成GaN的柵極電壓大于開啟電壓，從而誤導通。而共源極電感Lcs造成的影響，主要是會限制GaN電流的di/dt，增加額外的開關損耗；此外，在GaN開通過程電流增大，由于di/dt會在Lcs上產生正向壓降，降低了GaN的實際柵極電壓，增大了開通損耗。
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PRIMECHIP 元芯半導體
元芯半導體YX45132
YX45132將導阻400mΩ的高性能增強型700V GaN HEMT與全功能柵極驅動器集成在一起，實現了高頻率和高效率運行。該器件采用了一種新穎的電流檢測方法，該方法不受GaN動態導通電阻影響，可實現精準電流檢測，從而進一步提升系統性能和可靠性，這是分立GaN器件無法實現的。
YX45132內部集成了一個從40V VCC降壓的5V LDO，支持帶遲滯的TTL和CMOS邏輯輸入。同時還具備欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護（OTP）功能，以提高系統的魯棒性；低待機電流設計可改善空載效率。
元芯半導體YX45134
YX45134 集成了一顆700V 300mΩ增強型GaN HEMT與全功能柵極驅動器，可實現高頻率和高效率運行。YX45134采用了一種新型電流檢測方法，該方法獨立于 GaN 的動態 Rdson，可實現高精度的電流檢測，從而進一步提升系統性能與可靠性，這是分立式 GaN 器件所無法實現的。
YX45134內置從 40V VCC 轉換的 5V LDO，支持帶遲滯的 TTL 與 CMOS 邏輯輸入。同時具備欠壓鎖定（UVLO）與過溫保護功能，以增強系統的可靠性；其超低待機電流有助于提高空載效率。YX45134 可支持多種拓撲結構，包括反激（Flyback）、半橋（Half-Bridge）、降壓/升壓（Buck/Boost）、LLC 以及其他諧振變換器，在 MHz 級開關頻率下實現高效率和低 EMI，并以低成本實現前所未有的功率密度。
元芯半導體YX45136
YX45136將高性能增強型700V GaN HEMT與全功能柵極驅動器集成，實現了前所未有的高頻率與高效率運行。YX45136采用一種新型電流檢測方法，該方法不依賴GaN 動態 Rdson，可實現精確電流檢測，進一步提升系統性能和魯棒性，而這在分立式 GaN FET 中是無法實現的。
YX45136 集成了從 40V VCC 降壓的 5V LDO，并支持帶遲滯的 TTL 與 CMOS 輸入邏輯。同時具備欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護，提高系統可靠性；低待機電流則改善了空載效率。
YX45136 可支持多種拓撲結構，如反激、半橋、Buck/Boost、LLC 以及其他諧振變換器，實現 MHz 級開關頻率，具備高效率和低 EMI，同時在低成本下實現前所未有的功率密度。
ST 意法半導體
ST意法半導體目前已推出至少5款MasterGaN半橋器件，MasterGaN器件內部集成了兩顆 650V耐壓的GaN開關管及驅動器，組成半橋器件，是一款先進的系統級功率封裝，可輸入邏輯電壓信號輕松控制器件，支持零下40到125攝氏度工作溫度范圍。
意法MasterGaN1
ST意法半導體MasterGaN1內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻150mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流10A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。
圖為ST MasterGaN1的評估板，連接為半橋輸出，左側為驅動信號輸入，右側為半橋輸出，左側下方是一顆穩壓器，為MasterGaN1提供穩壓供電。通過評估板圖片可以看出，MasterGaN1器件將控制信號和功率走線分開，便于走線布局設計。
ST意法半導體 MasterGaN1 通過內部集成半橋驅動器和GaN開關管來減少元件數量，同時其走線方便布局設置，可實現靈活簡潔快速的設計。
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1、ST意法半導體發布GaN半橋器件：內置驅動器和兩顆氮化鎵
應用案例：
意法MasterGaN1L
意法MASTERGAN1L是一款先進的系統級功率封裝器件，在半橋配置中集成了柵極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管。集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源閉鎖電壓，而嵌入式柵極驅動器的高側可由集成式自舉二極管輕松提供。
MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保護，可防止電源開關在低效率或危險條件下運行，并且互鎖功能可避免出現交叉傳導的情況。輸入引腳的范圍經過擴展，可與模擬控制器、微控制器和DSP單元輕松連接。MASTERGAN1L的工作溫度范圍為-40°C至125°C，采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。
意法MasterGaN2
ST意法半導體MasterGaN2內部集成了半橋驅動器和兩顆耐壓650V的高壓GaN開關管組成非對稱半橋，上管為225mΩ，下管為150mΩ，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流最高10A，低側和高側均具有欠壓關閉保護，可用于ACF拓撲。
MASTERGAN2為非對稱設計的半橋結構，上管為225mΩ，下管為150mΩ，其余功能與MASTERGAN1一致，可用于ACF拓撲。
ST意法半導體 MasterGaN2 集成的驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。
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意法MasterGaN3
MASTERGAN3是一款先進的功率系統封裝集成，采用門極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管的非對稱半橋配置。集成的功率GaN具有650 V的擊穿電壓，同時嵌入式門極驅動器的高側可以通過集成的自舉二極管輕松供電。
ST意法半導體MasterGaN3 內部集成了半橋驅動器和兩顆耐壓650V的高壓GaN開關管組成非對稱半橋，上管為450mΩ，下管為225mΩ，集成在 9*9*1mm 的QFN封裝內，工作電流最高6.5A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。
MASTERGAN3在上下驅動部分都具有UVLO保護，防止電源開關在低效率或危險條件下工作，互鎖功能可以避免交叉傳導條件。MASTERGAN3的工作溫度范圍為-40°C至125°C，適用于工業環境，采用9x9 mm QFN封裝。
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意法MasterGaN4
ST意法半導體MasterGaN4 內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻225mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流6.5A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。
MasterGaN4為對稱半橋結構，內置兩顆225mΩ導阻的高壓GaN開關管。
ST意法半導體MasterGaN4通過內部集成半橋驅動器和GaN開關管來減少元件數量，同時其走線方便布局設置，可實現靈活簡潔快速的設計。
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應用案例：
意法MasterGaN4L
意法MASTERGAN4L是一款先進的系統級功率封裝器件，在半橋配置中集成了柵極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管。集成的功率GaN分別具有225 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源阻斷電壓，而嵌入式柵極驅動器的高側可由集成式自舉二極管輕松提供。
MASTERGAN4L在VCC上具有UVLO保護，可防止電源開關在低效率或危險條件下運行，并且互鎖功能可避免出現交叉傳導的情況。輸入引腳的范圍經過擴展，可與模擬控制器、微控制器和DSP單元輕松連接。MASTERGAN4L的工作溫度范圍為-40°C至125°C，采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。
意法MasterGaN5
MASTERGAN5是一款先進的功率系統封裝集成，采用門極驅動器和兩個增強模式GaN功率晶體管的半橋配置。集成的功率GaNs具有650V的擊穿電壓，同時嵌入式門極驅動器的高側可以通過集成的二極管輕松供電。
ST意法半導體MasterGaN5內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻450mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流4A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。
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Tagore泰高技術
泰高技術TTHB100NM
泰高技術推出氮化鎵半橋芯片TTHB100NM，這是一款集成2顆增強型氮化鎵650V 100mΩ 氮化鎵開關管及對應的驅動器的半橋功率芯片，用于高側、低側和電平轉換。它內置了UVLO（欠壓鎖定）、過溫和帶故障輸出信號的過電流保護，芯片內集成了用于高側的啟動電源。
泰高技術 TTHB100NM 具有12V~20V的寬電源工作范圍，可應用在DC–DC轉換、逆變器、手機/筆記本充電器、LED/電機驅動、圖騰柱無橋PFC 應用、高頻LLC轉換器、服務器/AC-DC電源、有源鉗位反激等場景中。
泰高技術 TTHB100NM 芯片采用低電感 8mm×10mm QFN 封裝，低電感封裝的集成驅動器允許在高壓和高頻中安全運行。開關頻率高達2MHz，傳輸延遲低至 50ns，支持 50V/ns dV/dT 抗擾度, 外圍元器件精簡，具有非常緊湊和簡便的布局，可實現靈活快捷的設計。
泰高技術 TTHB100NM 芯片 8mm×10mm QFN 封裝看起來比較大，但是比起兩顆8mm*8mm的GaN開關管加上獨立的驅動器，占板面積大大縮小。同時合封器件也大大減小了寄生效應對效率的影響，提高電源產品的效率和可靠性。
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TI德州儀器
德州儀器LMG2610
LMG2610是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計、減少了元件數量并減小了布板空間。
非對稱GaN FET電阻針對 ACF 工作條件進行了優化。可編程導通壓擺率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接地。
高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。
LMG2610 具有低靜態電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。
德州儀器LMG2640
LMG2640 是一款 650V GaN功率FET半橋，適用于開關模式電源應用中。LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數量并縮減布板空間。
與傳統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。
LMG2640 具有低靜態電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發模式運行。保護特性包括FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。
德州儀器LMG2650
LMG2650 是一款 650V、95mΩ 氮化鎵（GaN）功率 FET 半橋器件。它通過在 6mm × 8mm QFN 封裝內集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平移位器，簡化了設計，減少了元件數量，并節省了電路板空間。
器件支持 可編程的上升沿開啟速率，用于 抑制 EMI 和振鈴。低側電流檢測仿真功能相比傳統電流檢測電阻能夠降低功耗，并允許低側熱焊盤直接連接到散熱 PCB 電源地。
高側GaN 功率 FET 可通過 低側參考柵極驅動引腳 (INH) 或 高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 控制。高側柵極驅動電平移位器能夠在嚴苛的功率開關環境下，可靠地將 INH 引腳信號傳輸至高側柵極驅動器。
德州儀器LMG2652
LMG2652 是一款650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2652 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數量并縮減布板空間。
與傳統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。
高側GaN功率FET可通過低側參考柵極驅動引腳(INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰性的電源開關環境中，高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸到高側柵極驅動器。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。
LMG2652 具有低靜態電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。
德州儀器LMG2656
LMG2656是一款650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉 FET 和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數量并縮減布板空間。
可編程導通壓擺率可實現 EMI 和振鈴控制。與傳統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地。高側 GaN 功率 FET 可通過低側參考柵極驅動引腳(INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰性的電源開關環境中，高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸到高側柵極驅
動器。
智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。LMG2656 具有低靜態電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。超低壓擺率設置支持電機驅動應用。
充電頭網總結
高壓半橋GaN芯片已成為功率半導體領域的重點突破方向。通過深度集成功率管與驅動電路，可大幅降低產品設計難度、提升系統效率與功率密度，正加速向消費級快充/適配器，以及車載OBC、光伏儲能、工業電源等高功率領域滲透。隨著工藝優化與成本下降，半橋GaN方案有望進一步主導高效電源市場，推動行業向更高能效、更小體積的綠色轉型。
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