前言 現階段無論是服務器電源、通信電源，還是面向下一代數據中心的800VDC體系，電源系統都在向更高開關頻率、更小體積、更低損耗與更嚴...

前言 充電頭網獲悉，持續深耕氮化鎵功率器件領域的氮矽科技，近期發布DXC150LX070系列芯片，該系列產品為針對低壓應用場景推出的氮化...

前言 近期，充電頭網拿到一款SynQor ACuQor系列醫療級AC-DC電源模塊AQ0400MU12EACFD。該模塊支持100~2...

前言 氮化鎵并不是一項突然出現的技術，而是一條跨越材料科學、器件物理、電路設計與系統工程的長期研發路線。真正推動產業前行的，并非單一參...

前言 精勤成立于2013年，研發總部位于深圳——深圳市快刻電子元件有限公司，惠州生產工廠——惠州精勤電子元件有限公司，于2019年投產...

前言 作為第三代半導體的核心代表之一，在電源領域展現出巨大的優勢與價值。相較傳統硅器件，氮化鎵在效率、功率密度、高頻特性及高溫可靠性等方...

前言 傳統分立器件方案常面臨外圍元件繁多、驅動電路復雜、PCB占用面積大等痛點。隨著氮化鎵功率器件技術的成熟，主流廠商紛紛轉向驅動器+...

前言 隨著PD快充協議持續演進，以及各大手機、3C數碼配件品牌高功率快充生態逐步成熟，氮化鎵功率器件已在消費級快充中全面普及。在體積、效...

前言 當下，氮化鎵器件已然實現大規模部署，成為功率半導體產業里最受關注的分支之一。更高的開關頻率、更小的器件體積、更高的能效與功率密度...

前言 根據GaNFET.com的統計，當前市面上已有超過400款高壓氮化鎵功率器件，其中低于50mΩ導阻的氮化鎵器件因優異的性能引起廣...

前言 高壓GaN已在消費級USB-PD快充的一次側大規模應用，憑借高擊穿場強、低柵極電荷參數與高速開關特性，可大幅增加開關頻率，并降低磁...

前言 英諾賽科作為氮化鎵技術的領軍企業之一，通過不斷創新，推動了800VDC架構、儲能系統、太陽能技術以及新能源汽車等多個領域的技術推...

前言 充電頭網繼續基于GaNFET.com統計數據分析，發現能華、量芯微以及PI已經推出多款千伏應用氮化鎵，進一步延展氮化鎵的高壓段應...

前言 近期，充電頭網拿到一款來自愛立信的 PKB4201BPIMLA DC-DC隔離電源模塊。該模塊定位面向通信/ICT 設備的48V...

前言 氮化鎵作為第三代半導體材料，具備更高擊穿場強、更快電子遷移率和更高飽和電子速率等諸多優勢。氮化鎵器件的開關頻率相比傳統硅材料能夠...