前言

氮化鎵并不是一項突然出現的技術，而是一條跨越材料科學、器件物理、電路設計與系統工程的長期研發路線。真正推動產業前行的，并非單一參數的極限突破，而是一批長期深耕的研究機構，在材料可控性、器件可靠性、工藝可復制性以及系統適配性上的持續積累。

本文匯總的這些氮化鎵研究機構，覆蓋了歐美、亞洲的核心科研力量，既包括以基礎物理與材料機理見長的大學與研究所，也包括以工程化、中試和產業轉化為目標的國家級實驗室與應用研究機構。正是這些機構，構成了氮化鎵從實驗室走向數據中心、電動汽車、通信系統與能源基礎設施的技術支撐。

氮化鎵研究機構

充電頭網將氮化鎵研究機構的部分信息匯總成上表，方便各位讀者朋友查閱。

Argonne National Laboratory阿貢國家實驗室

成立日期：1946

國家：美國

所在城市：萊蒙特

成就

阿爾貢國家實驗室是美國能源部直屬的國家實驗室，是美國最早成立的國家實驗室之一，覆蓋基礎物理、納米材料、能源與環境等研究領域。其納米材料中心是美國五大納米科學研究中心之一，為包括GaN在內的寬禁帶半導體材料提供先進表征、缺陷分析、材料成長與失效分析等基礎科研設施，是材料科學層面GaN研究的重要公共平臺，是許多企業與高校材料研發數據驗證的可靠來源。

Institute of Semiconductors, CAS中科院半導體研究所

成立日期：1960年

國家：中國

所在城市：北京

成就

中科院半導體研究所在氮化鎵（GaN）材料的生長技術和高效能功率電子器件的研發方面取得了重要進展。該研究所致力于GaN基半導體在高功率、高頻、光電等領域的應用，尤其在高功率電子器件、LED照明和光伏領域有顯著成就。他們在GaN技術的商業化推廣和產業鏈發展方面也做出了巨大貢獻，推動了中國在氮化鎵技術領域的領先地位。

ITRI工業技術研究院

成立日期：1973年

國家：中國

所在城市：新竹

成就

ITRI致力于氮化鎵技術的研發與應用，尤其是在功率電子、集成電路、顯示技術等領域。

該院的GaN研究涵蓋了GaN功率器件、射頻器件、LED照明、光電器件等多個領域，推動了氮化鎵技術在工業中的廣泛應用。ITRI還與半導體公司合作，推動了GaN技術的本地化生產和技術應用的商業化。

JFSLAB 湖北九峰山實驗室

成立日期：2021年

國家：中國

所在城市：武漢

成就

湖北九峰山實驗室在氮化鎵領域已形成從材料、器件以及系統產業化的完整鏈條。其在上游實現了8英寸硅基氮極性氮化鎵材料的國際領先突破，夯實了高頻高功率器件的材料基礎；在中游持續推進氮化鎵器件工藝、刻蝕技術及 PDK 工藝設計套件建設，顯著提升器件性能與設計效率；在下游則將氮化鎵成功應用于高效數據中心電源、無線能量傳輸等系統級場景，并推動成果走向中試和產業合作。整體來看，九峰山實驗室已成為我國第三代半導體尤其是氮化鎵技術領域中，兼具原創性突破與工程化落地能力的重要科研高地。

KIST韓國科學技術院

成立日期：1971年

國家：韓國

所在城市：廣域

成就

韓國高科技研究院是韓國頂尖的科研機構之一，專注于氮化鎵材料的創新應用，特別是在高功率、射頻和光電子領域。該院的研究涵蓋了GaN材料的生長、器件設計與集成，尤其在GaN基功率放大器、LED和激光器的研究方面取得了顯著進展。該研究院還致力于GaN技術的商業化，推動了氮化鎵在能源、通信和消費電子等多個行業的應用。

NSTIC新加坡氮化鎵半導體技術轉化創新中心

成立日期：2025年

國家：新加坡

所在城市：新加坡

成就

該中心的商業運營預計將于2026年年中正式啟動。運營初期，中心將主要聚焦于為客戶提供氮化鎵半導體產品的定制化研發與生產服務。同時，中心還計劃與國內外的高校、科研機構以及企業建立廣泛的合作關系，通過產學研協同創新的模式，加速技術成果的轉化與應用。此外，中心還將積極開展技術培訓與人才培養工作，為半導體產業培養更多高素質的專業人才。

PHLAB深圳平湖實驗室

成立日期：2022年

國家：中國

所在城市：深圳

成就

深圳平湖實驗室是深圳市重點布局的第三代半導體科研與中試平臺，聚焦氮化鎵等寬禁帶材料的材料、器件與應用技術。在氮化鎵領域，實驗室已在低壓與高壓GaN器件、8英寸硅基與SiC基GaN外延材料、生長工藝及精密表征技術方面取得多項突破：該實驗室不僅實現了15~40V增強型GaN器件的高性能驗證，還完成了8英寸硅基超厚GaN外延及1200V級器件的關鍵電性驗證，并在高質量SiC基GaN外延、生長缺陷控制與先進表征方法上形成特色優勢。依托完善的中試與測試平臺，平湖實驗室正加速推動GaN技術從科研突破走向工程化與產業化，為數據中心、新能源與高端電力電子等應用奠定堅實基礎。

SIMIT, CAS中國科學院上海微系統與信息技術研究所

成立時間：1928年

國家：中國

所在城市：上海

成就

中國科學院上海微系統與信息技術研究所是國內最早系統開展GaN/AlGaN 外延與射頻器件研究的科研機構之一，該研究機構在GaN HEMT 射頻功率器件（X / Ku / Ka 波段）、GaN-on-SiC 微波功放、高功率密度器件熱管理與可靠性建模，并率先牽頭或深度參與多項02專項、寬禁帶半導體專項國家重大專項，推動軍用雷達、衛星通信用GaN 器件國產化。

該研究機構是中國GaN 射頻“從實驗室到工程化”的關鍵中樞，在高端應用上承擔著類似解決氮化鎵能否在復雜系統中長期可靠運行難題。

Vermont GaN Tech Hub佛蒙特州GaN技術實驗室

預計開放時間：2026年

國家：美國

所在城市：南伯靈頓

預計成就

該實驗室是由美國東北微電子聯盟與GlobalFoundries等合作建立的GaN公共測試平臺。其測試實驗室將是美國首個對企業和研發團隊開放的GaN高功率、高頻器件測試中心，可進行電氣測試、熱管理評估、可靠性驗證等全套實驗，作為產業級測試平臺，它將打破單個公司內部驗證局限，為中小企業、研發團隊提供關鍵的可靠性測試與設計反饋服務，助推GaN產品快速迭代和落地。