前言 氮化鎵（GaN）功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克代碼: NVTS）近期宣布收購VDD Tech，后者是用于下一代功率轉(zhuǎn)換的...

前言 NV6169作為先進的納微第三代氮化鎵平臺中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率芯片具有...

前言 氮化鎵是下一代功率半導體技術，運行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實現(xiàn)3倍功率或3...

ChargerLAB在美國拉斯維加斯CES2019展會上獲得最新消息，納微半導體推出了兩款基于GaN新材料的USB PD充電器，功率分別為3...

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是一種氮（V）和鎵（III）的III-V族化合物，直接帶隙（Direct Ba...

2018年5月25日，由充電頭網(wǎng)主辦的【2018（夏季）中國USB PD快充產(chǎn)業(yè)高峰論壇】圓滿落幕。本次峰會一共邀請了八位行業(yè)大咖分享，揭曉...

Navitas Semiconductor announced today that the company will showcase i...