前言

氮化鎵（GaN）功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼: NVTS）近期宣布收購(gòu)VDD Tech，后者是用于下一代功率轉(zhuǎn)換的先進(jìn)數(shù)字隔離器的創(chuàng)造者。

先進(jìn)的數(shù)字隔離技術(shù)對(duì)于在消費(fèi)類(lèi)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能、數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)等大功率市場(chǎng)中實(shí)現(xiàn)尺寸、重量和系統(tǒng)成本的改進(jìn)至關(guān)重要。VDD Tech的專(zhuān)有調(diào)制技術(shù)可在兆赫茲以上的開(kāi)關(guān)速度下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可靠、高效的電源轉(zhuǎn)換。

專(zhuān)有的 dV/dt 感測(cè)、消隱和刷新技術(shù)實(shí)現(xiàn)了前所未有的超高壓隔離能力與最高工作頻率的結(jié)合，要求 dV/dt 抗擾度比傳統(tǒng)硅高 5-10 倍。低隔離電容 (<0.5pF) 和創(chuàng)新、穩(wěn)健的調(diào)制為隔離驅(qū)動(dòng)器控制和模擬感應(yīng)反饋提供低抖動(dòng)數(shù)字通信。在所有溫度和工作條件下，獨(dú)特地地保證最低 200 V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。

Navitas收購(gòu)VDD Tech

VDD Tech 由 Vincent Dessard 在比利時(shí)的 Mont-Saint-Guibert 創(chuàng)立，很快吸引了Aimad Saib 的加入，兩人均擁有博士學(xué)位，具備15年以上的模擬/混合模式芯片研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。Dessard 和 Saib 將在納微半導(dǎo)體的高級(jí)研發(fā)團(tuán)隊(duì)中擔(dān)任領(lǐng)導(dǎo)職務(wù)，帶領(lǐng)納微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)持續(xù)增速。

Vincent Dessard 指出：“我們很高興能看到兩種突破性技術(shù)——優(yōu)化的數(shù)字隔離器和 GaN 功率芯片的結(jié)合，帶來(lái)領(lǐng)先的高功率解決方案。高速和高可靠性是加速寬禁帶隙半導(dǎo)體替換傳統(tǒng)硅芯片，并獲予采用的關(guān)鍵因素。我們非常振奮能成為這場(chǎng)千載難逢的技術(shù)革命的催化劑，并將于2023年推出新的高功率產(chǎn)品。”

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 指出：“VDD Tech 的隔離技術(shù)是我們不斷增長(zhǎng)的電源和控制集成戰(zhàn)略的關(guān)鍵部分，創(chuàng)造了每年 10億美元的額外市場(chǎng)機(jī)會(huì)。我們將繼續(xù)研究和評(píng)估可以增強(qiáng)納微核心優(yōu)勢(shì)的新技術(shù)，并在我們踐行‘Electrify our World’使命的同時(shí)，帶來(lái)顯著的二氧化碳減排效益。”

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮化鎵是新一代半導(dǎo)體技術(shù)，開(kāi)關(guān)速度相比傳統(tǒng)的硅器件快20倍，具有更低的柵極電荷和輸出電荷，可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗，并提高轉(zhuǎn)換效率。在特定的應(yīng)用中可以節(jié)能40%左右，對(duì)于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)很有幫助。氮化鎵目前應(yīng)用在快充中，將快充的功率密度提高3倍，還能降低充電器的成本，并降低待機(jī)功耗。

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成在一起，為移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、企業(yè)、電動(dòng)汽車(chē)和新能源市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。納微半導(dǎo)體擁有超過(guò)150項(xiàng)已經(jīng)頒發(fā)或正在申請(qǐng)中的專(zhuān)利。

目前，超過(guò)5000萬(wàn)顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片已經(jīng)發(fā)貨，終端市場(chǎng)故障率為零。納微半導(dǎo)體擁有行業(yè)首個(gè)和唯一的氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾，也是首家獲得CarbonNeutral碳中和企業(yè)認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。每出貨一顆GaNFast功率芯片可減少4公斤二氧化碳排放。2021年10月20日，納微半導(dǎo)體敲響了納斯達(dá)克的開(kāi)市鐘，并開(kāi)始在納斯達(dá)克交易。