前言
大疆推出一款100W氮化鎵桌面充電器，這款充電器具備兩個(gè)USB-C接口，支持同時(shí)為大疆無人機(jī)電池和遙控器快速充電，并且還支持PPS和PD快充協(xié)議，支持為筆記本電腦和手機(jī)充電。這款桌面充電器采用八字線供電，根據(jù)不同的使用場(chǎng)合，可以更換不同長度的線纜，使用方便簡潔。充電器總輸出功率為100W，支持82W+18W功率動(dòng)態(tài)分配。
充電頭網(wǎng)在拆解這款百瓦桌充時(shí)發(fā)現(xiàn)其內(nèi)置的氮化鎵PFC開關(guān)管來自鎵未來，型號(hào)為G1N65R240PB，下文小編為您詳細(xì)介紹。
大疆100W氮化鎵桌面充電器
充電器包裝內(nèi)含8字頭電源線、桌面充電器本體、數(shù)據(jù)線以及使用說明書。電源線采用雙腳插頭，并且插腳還套有塑料殼保護(hù)。
大疆這款桌面充電器機(jī)身方塊造型設(shè)計(jì)，外殼磨砂抗指紋，正背面邊緣均倒角處理。機(jī)身一端設(shè)有8字輸入插口，獨(dú)立模塊設(shè)計(jì)。另一端設(shè)有兩個(gè)USB-C接口，接口邊緣倒角亮面設(shè)計(jì)，并印有區(qū)別標(biāo)識(shí)。
使用ChargerLAB POWER-Z KM003C測(cè)得USB-C1口支持FCP、SCP、AFC、QC3.0/5、PD3.0、PPS、DCP、Apple2.4A充電協(xié)議。兩個(gè)接口輸出性能一樣，支持功率盲插。
看過外觀，充電頭網(wǎng)繼續(xù)為您介紹其內(nèi)置的鎵未來G1N65R240PB氮化鎵開關(guān)管。
鎵未來氮化鎵開關(guān)管G1N65R240PB
PFC開關(guān)管采用鎵未來G1N65R240PB，這是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態(tài)耐壓800V，標(biāo)稱導(dǎo)阻240mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統(tǒng)硅MOS驅(qū)動(dòng)，相比增強(qiáng)型氮化鎵，大大簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
G1N65R240PB相較于市面上其他產(chǎn)品，其柵極更堅(jiān)固，反向壓降更低，可靠性更強(qiáng)，整體性能處于行業(yè)領(lǐng)先水準(zhǔn)。G1N65R240PB采用PQFN8*8封裝，散熱焊盤為源極，減小高頻走線面積，提升EMI性能。
這款氮化鎵器件適合PFC校正電路、逆變電路、半橋或全橋電路、采用QR或ACF反激拓?fù)浼軜?gòu)的充電器等多種場(chǎng)景應(yīng)用。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)品具有易于使用（兼容Si MOSFET驅(qū)動(dòng)）、可靠性高、性能參數(shù)領(lǐng)先等優(yōu)點(diǎn)，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產(chǎn)品，為市場(chǎng)提供高效、節(jié)能環(huán)保的下一代功率器件。產(chǎn)品涵蓋小功率（<300W）、中功率（300W~1kW）和大功率（1kW~6kW），在國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)全功率范圍氮化鎵器件的量產(chǎn)。重點(diǎn)市場(chǎng)包括消費(fèi)電子、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心、便攜儲(chǔ)能、微型逆變器、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。豐富的應(yīng)用方案包括PD快充適配器、電動(dòng)工具充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、超薄TV電源、新國標(biāo)EBIKE電源、LED驅(qū)動(dòng)電源、儲(chǔ)能雙向逆變器、電池化成電源、ICT服務(wù)器電源、算力電源、車載雙向DC-DC等。
充電頭網(wǎng)了解到，大疆的這款百瓦雙口桌充內(nèi)置了鎵未來氮化鎵開關(guān)管G1N65R240PB。鎵未來氮化鎵開關(guān)管以卓越的開關(guān)性能在業(yè)界聞名，具備高耐壓、低導(dǎo)通電阻、堅(jiān)固的柵極結(jié)構(gòu)和極高的開關(guān)速度。采用G1N65系列開關(guān)管可有效降低開關(guān)損耗，提高整機(jī)效率。并且其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡單，可使用傳統(tǒng)硅MOS驅(qū)動(dòng)，有助于廠商降低生產(chǎn)制造成本。鎵未來在氮化鎵功率器件領(lǐng)域始終潛心研發(fā)，不斷推陳出新，高效推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。
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