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前言

隨著快充技術的發展，手機充電器從以往的5W一路進化升級到PD 140W甚至更高的功率，在充電器功率不斷提升的同時，對其內部的開關管、整流管性能的要求也愈發苛刻。威兆半導體作為少數具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET / IGBT單管和模塊，以及特殊半導體制程設計能力的先進半導體設計公司，能根據廠商需求提供各種高性能、高效率的的器件。

本篇文章匯總了威兆半導體MOS管在百瓦及百瓦以上充電器的實際應用案例，詳見下文。

威兆半導體VS3698AE

威兆半導體VS3698AE，是一款NMOS，耐壓30V，導阻3mΩ，采用PDFN3333封裝。

威兆半導體VS3698AE詳細資料如上圖所示。

應用案例：

1、拆解報告：小米海外版120W快充充電器

2、拆解報告：Aohi MAGCUBE 140W 2C1A氮化鎵充電器

威兆半導體VSP003N10HS-G

威兆半導體VSP003N10HS-G，NMOS，支持10V邏輯電壓驅動，耐壓100V，導阻3.8mΩ，采用PDFN5*6封裝。

威兆半導體VSP003N10HS-G詳細資料如上圖所示。

應用案例：

1、拆解報告：MOTO摩托羅拉125W氮化鎵充電器

2、拆解報告：紅米K60 Pro原裝120W氮化鎵充電器

威兆半導體VSP004N10MS-G

威兆半導體VSP004N10MS-G，是一顆耐壓100V的NMOS，導阻為3.8mΩ，采用PDFN5060X封裝。

威兆半導體VSP004N10MS-G詳細資料如上圖所示。

應用案例：

1、拆解報告：Huntkey航嘉100W氮化鎵充吧高能系列W100

威兆半導體VSP008N10MSC

威兆半導體VSP008N10MSC，這是一顆耐壓100V，導阻6mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封裝。

威兆半導體VSP008N10MSC詳細資料如上圖所示。

應用案例：

1、拆解報告：Aohi MAGCUBE 140W 2C1A氮化鎵充電器

充電頭網總結

深圳市威兆半導體股份有限公司成立于2012年，自成立以來，威兆半導體始終聚焦功率器件研發與應用技術研究，憑借多年的科研攻關已成為少數同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET / IGBT單管和模塊，以及特殊半導體制程設計能力的先進半導體設計公司。其產品廣泛應用于PC/服務器、消費電子、通訊電源、工業控制、汽車電子及新能源產業等領域。威兆半導體將堅定不移地持續提升研發技術、供應鏈整合、品質管控、技術行銷等半導體設計公司四大綜合能力，堅持以卓越的質量和持續的技術創新為客戶創造價值，打造一流功率半導體價值運營體系，服務全球一流價值客戶。

威兆半導體在MOS領域深耕多年，旗下器件的種類多樣，覆蓋全面。在上文匯總中提到的4款MOS管效率極高、性能強悍，可以輕松滿足廠商百瓦以上的快充輸出需求，現如今已將斬獲奧海、航嘉、小米、摩托羅拉等廠商的大量訂單，產品質量飽經市場檢驗。