前言

合封氮化鎵芯片一經推出，強大的性能優勢，很快就取代了傳統氮化鎵控制器+氮化鎵開關管的組合。合封氮化鎵芯片通過將控制器，驅動器和功率管集成在一個芯片內部，降低了寄生參數在高頻下帶來的干擾，降低開關損耗，提高可靠性和開關速度。

合封氮化鎵芯片簡化了氮化鎵器件應用時的外圍電路，減少了元件數量，在充電器上應用越來越廣泛。反激合封氮化鎵芯片滿足了百瓦及以下PD快充對于氮化鎵的需求，但是對于百瓦以上的應用需求，還是需要更高效率的電源方案。

東科推出DK8710Q AHB合封氮化鎵芯片

知名氮化鎵合封芯片，同步整流芯片原廠東科在推出了反激合封氮化鎵芯片之后，提前布局，推出了行業首款內部集成兩顆氮化鎵功率管的AHB合封芯片，不對稱反激相比傳統反激，能夠將漏感能量回收利用，實現主開關管的ZVS，同步整流管的ZCS，降低開關損耗對效率的影響，從而提升轉換效率。

AHB架構相比LLC架構，有如下優點。第一，AHB架構的二次側為單功率器件拓撲，可以有效降低系統成本；第二，AHB架構的二次側整流管電壓應力遠小于傳統反激架構，可以采用耐壓更低的MOS管作為整流管，極大的降低了系統成本和調試難度，尤其適用在PD快充等需要高輸出電壓的應用場景。第三，AHB架構中，變壓器和諧振電容共同儲能，變壓器體積可以有效減小。

東科 DK8710Q采用QFN8*8封裝，體積小巧且外圍元件精簡，散熱能力強。

東科 DK8710Q內部集成了兩顆氮化鎵開關管組成半橋，通過控制增添的開關管，回收漏感能量，實現主開關管的ZVS和同步整流管的ZCS，提高轉換效率，并降低功率管的應力，減小開關損耗的同時改善電磁干擾。

DK8710Q內置高壓啟動和安規X2電容放電電路，待機功耗低于50mW，支持最高1MHz開關頻率，具備自適應死區時間控制，峰值轉換效率達95%。芯片內置高低壓輸入功率補償電路，在高低壓下最大輸出功率一致。

DK8710Q內置輸出過壓保護、供電過壓，欠壓保護、過熱保護、開環保護，輸出過流保護、輸出短路保護和輸出肖特基異常保護。芯片支持150W輸出功率，可滿足現階段USB PD3.1 充電器 140W輸出需求。適用于PD3.1快充以及筆記本電腦適配器，電視機電源，充電器等大功率應用。

圖為DK8710Q典型應用圖，為固定電壓輸出，輸出電壓通過光耦反饋調節。

東科 DK8710Q合封氮化鎵芯片采用QFN8*8封裝，芯片底部焊盤用于增強散熱。

與1元硬幣對比大小。

充電頭網總結

東科新推出的這款AHB半橋氮化鎵芯片內置兩個開關管，在合封氮化鎵芯片高集成度高可靠性的基礎上，將能量充分利用，降低損耗，進一步提升充電器整體的轉換效率，降低溫升和散熱需求，讓充電器變得更加便攜。

同時DK8710Q的待機功耗低于50mW，能夠滿足嚴苛的能效要求，芯片支持寬范圍電壓輸出，極大簡化了大功率PD充電器設計。同時搭配PFC電路，輸出功率可以達到150W，能夠滿足現階段PD3.1快充，140W輸出功率的需求，是一款高集成，高可靠的解決方案。