前言

在剛剛結束的2025火山引擎FORCE原動力大會·冬上，全球領先的電源管理公司Empower Semiconductor正式推出了其專為AI和高性能計算芯片而設計的、基于IVR技術的Crescendo垂直供電解決方案，以應對高性能計算的千瓦級功率需求和kA+/us的瞬態電流跳變對傳統電源方案帶來的巨大挑戰，并系統展示了其技術特色與產品布局。

本次發布重點呈現兩條核心產品線，即Crescendo千瓦級垂直供電平臺以及面向電源/信號完整性的ECAP硅電容。Empower利用獨家的 FinFast 技術，結合領先的控制、磁性和封裝能力，實現了帶寬高達5M的高頻DCDC解決方案Crescendo，并結合ECAP極致的高頻去耦性能，Empower 把供電從傳統的堆料式去耦與橫向送電，推進到更貼近負載、更高效率、更高密度的系統級供電形態。

Empower Semiconductor 也在大會期間接受了充電頭網的采訪。更多內容請觀看上方視頻。接下來充電頭網也將詳細介紹一下本次發布的全新產品。

Crescendo千瓦級垂直供電平臺

本次大會的核心焦點無疑是 Empower 針對高性能AI 處理器（xPU）推出的 Crescendo 垂直供電平臺。

在大會現場，Empower 展示了該平臺如何通過消除傳統橫向供電的鏈路損耗，實現電源效率質的飛躍。

通過資料文檔和現場工作人員的專業介紹，充電頭網也將該產品的性能和優勢簡單概括了一下：

● 千瓦級性能： Crescendo 簡單易用，采用Power Leaf 模塊化架構，單個 Power Leaf可輸出 65A 電流，最高可擴展至 3250A 峰值電流，專為千瓦級 AI 和 HPC 負載設計。熱阻更是低于 2°C/W，表現十分優異。

● 極致響應速度與更低功耗： 針對 AI 負載瞬息萬變的特性，Crescendo 也具備非常驚人的瞬態響應能力。數據顯示，其響應速度比傳統 VRM快約 10倍，Droop voltage減小50%。這意味著更穩定的供電，由此可以優化芯片的工作電壓，使AI芯片在單位功率下的計算性能提升10%以上。

● 密度與效率更優秀： 相比傳統方案，Crescendo 能大幅提升功率密度，同時將PCB上的路徑損耗降低80%，使服務器板卡的系統效率提升5%以上。

高性能ECAP硅電容

在電源與信號完整性方向，Empower 的 ECAP硅電容定位為面向高性能計算平臺的新一代去耦器件，采用 Deep Trench 深溝槽技術，主打 <1pH 的超低 ESL 與 <5 mΩ 的超低 ESR，并覆蓋 10MHz–10GHz 的寬頻特性，適合用在對電源噪聲和瞬態電流更敏感的 AI/HPC 平臺上。對于系統設計而言，ECAP的價值在于能更簡單的把 PDN 的高頻阻抗壓得更低，讓系統在更高頻段也能輕松滿足設計指標，從而為電壓紋波控制與電源完整性留出更大的設計余量。

ECAP 也更貼近先進封裝的裝配方式，既支持基板內嵌，也支持 die/land side 貼裝，并支持 50µm 的超薄形態，同時可以定制厚度與大小，方便在空間極其緊張的封裝內實現就近去耦。同時，ECAP 無 DC/AC 降額、無老化或溫度降額，有助于在高頻去耦與長期穩定性設計中減少因降額帶來的裕量壓力。Empower 亦提供硅電容的定制化設計與制造服務，可圍繞特定應用的性能目標與物理/機械約束，定義并實現更貼合系統的電容形態與參數組合，提升在先進封裝與高密度電源網絡中的工程適配度。

 

Empower的技術體系

最后就是Empower的技術體系了，這是Empower 面向 AI/HPC 高功耗密度場景構建的一套底層電源技術體系，覆蓋器件、控制、磁性與封裝散熱等領域。該體系以FinFAST技術為基礎，大幅提高功率器件的性能，使DCDC的開關頻率能提高百倍以上，突破100MHz，并結合先進的數字控制技術和先進的無源器件，使DCDC的帶寬突破10MHz。同時依托定制化的封裝與雙面散熱設計，將熱阻指標推進至 0.8°C/W 水平。

充電頭網總結

這次 Empower Semiconductor 通過發布 Crescendo 垂直供電平臺與 ECAP 硅電容 ，構建了一套完整的千瓦級AI時代的供電生態。AI 時代的來臨讓服務器的功耗越來越高，電源系統的競爭也不再只是那幾個百分點的效率提升，而是瞬態響應、功率密度、熱管理與可量產落地之間的綜合平衡。Empower 用 FinFast 把器件、控制、磁性與封裝散熱歸一到一顆小小的芯片內，對整機廠、加速卡方案商以及先進封裝生態而言，這種從供電路徑、去耦配置到熱設計一體化推進的思路，讓后續更強算力的芯片有了一條更容易復用、也更容易量產落地的供電路線。