前言

在快充和高功率密度適配器迅速升級的趨勢下，傳統硅器件在開關頻率、效率和溫升控制方面已稍顯不足。為了在有限體積內做到更高功率、更高效率和更低溫升，越來越多廠商開始引入具備更高耐壓裕量、更低開關損耗的 SiC 器件。

與控制器 + 外置驅動 + 分立 SiC MOSFET的離散方案相比，合封 SiC 控制器將 SiC 開關管與控制、驅動深度集成在同一芯片內，不僅可以在高頻準諧振、輕載節能等控制策略下提升整機效率，還能在 BOM 精簡、寄生參數控制、EMI 優化和批量可制造性方面帶來明顯優勢，對工程調試和量產一致性尤為有利。

為了讓業界更好地了解這一高效技術路線，充電頭網特別整理了近期熱門的合封SiC快充芯片。

MERAKI茂睿芯

茂睿芯MK2799DAM

MK2799DAM 是茂睿芯面向 65W 級 PD 適配器與多口充電器推出的合封式 SiC 控制器，其設計思路圍繞“整合、匹配與可制造性”展開。該芯片內部集成了一顆額定約 750V、導通電阻為 450mΩ 的 SiC 功率管，并配套內部驅動與準諧振反激控制邏輯，從而在單芯片層面實現了功率開關與驅動的協同優化。

MK2799DAM 支持 16–30V 的 VCC 工作電壓范圍，VCC耐壓為35V，典型工作頻率為 135kHz，采用 ESOP10 封裝并支持單面波峰焊工藝，解決了消費電子制造對波峰/回流兼容性的剛性需求，尤其是適配器產品。

在效率方面，MK2799DAM 在 230VAC 的實驗板驗證上峰值效率可達 94.2%，在 90VAC 低電壓情況下仍能維持約 91% 級別效率，115VAC、常見工況點也接近 92–93% 的表現。與此同時，MK2799DAM 在同等效率條件下的板面/表面溫度明顯低于傳統硅方案，這一優勢可直接轉化為商業價值，即可以省去散熱片，獲得更低的散熱設計成本與更高的長期可靠性。

同時為了解決適配器（帶線）線上短路與線端殘壓帶來的異常工況，MK2799DAM 在參考電壓環處采取了抬高策略以提升系統短路時的容錯能力；此外，芯片還內置了全面的保護與系統級優化特性，并提供了針對不同外部器件的驅動電壓/速度匹配，使同一套片在面對不同廠商或不同規格的 SiC MOS管時能夠維持 EMI/效率與驅動穩定性的平衡。

相比起“控制器 + 外置 SiC 驅動 + 分立 SiC 管”的傳統做法，合封方案在 BOM 簡化、PCB 布局與寄生參數控制上具有天然優勢，省去獨立驅動器件不僅縮短了驅動回路路徑，降低寄生電感和環路噪聲，也減輕了工程調試工作量。同時，高頻優化的驅動與自適應開關頻率邏輯可在輕載到重載區間都有利于提高系統平均效率并降低被動器件體積，從而實現更高的功率密度。

MK2799DAM 的定位明確面向 PD 多口與單口 65W 峰值場景，既能滿足消費級體積與外形約束，又具備在更寬輸入電壓與更嚴苛工況下的可靠性，體現了從器件到系統的協同工程設計思路。

Si-Power硅動力

硅動力SP9477W

SP9477W是無錫硅動力面向快充與高功率密度適配器應用推出的集成型高頻準諧振反激控制器，內部集成700V SiC功率器件，在同類方案中具備更高耐壓裕量與更優開關性能。通過準諧振谷底鎖定控制及中輕載頻率折返、Burst 模式自適應調節，SP9477W在全負載范圍實現高效率與低噪聲兼顧，既有利于提升USB-PD/Type-C快充適配器的能效等級，也便于廠商在有限體積內實現更高功率密度設計。同時，SiC器件一體化集成有效簡化了外圍電路與設計調試工作，有助于縮短整機開發周期。

在系統可靠性與EMI性能方面，SP9477W內置輸入欠壓/過壓、初級限流、過溫等多重保護機制，并提供可配置 OCP 保護以適配不同規格輸出平臺；配合動態驅動能力調整技術，可有效降低次級整流管的電壓、電流應力，提升整機長期可靠性。SP9477W集成頻率抖動功能，有助于優化EMI裕量，配合增強散熱型 ESOP10W 封裝，大幅降低工作溫升。在65 W適配器應用中，SP9477W在230Vac下可實現高達94.6%的轉換效率，非常適用于PD/PPS適配器、手機快充以及各類高功率密度電源的量產應用。