前言

近期，GaNFET.com對各大品牌公開的的高壓氮化鎵產品數據進行了系統梳理，并從封裝方式、耐壓等級、導通電阻等關鍵指標切入，從中觀察氮化鎵器件在技術路線和市場方向上的變化趨勢。

在快充、電源模塊、AI服務器以及光伏儲能等高功率密度應用加速演進的當下，高壓氮化鎵正逐漸成為功率器件領域最受關注的核心技術之一。憑借高速開關、低損耗、低柵極電荷等天然優勢，氮化鎵讓適配器更小、服務器更省電、儲能逆變器更高效，各類應用場景無不在推動這一第三代半導體迅速走向成熟。

隨著需求與日俱增，全球眾多知名半導體企業也紛紛加入高壓氮化鎵賽道。從海外大廠國內新生企業，各家廠商都在持續推出不同電壓、封裝與導阻區間的高壓氮化鎵器件，形成了一個競爭激烈、產品繁多的產業格局。接下來，本文將為您深度解析高壓氮化鎵器件。

高壓氮化鎵器件一覽

面對快速增長的器件數量與復雜的產品線，GaNFET.com對各大品牌公開的的高壓氮化鎵產品數據進行了系統梳理，并從封裝方式、耐壓等級、導通電阻等關鍵指標切入，試圖從數據中觀察氮化鎵器件在技術路線和市場方向上的變化趨勢。通過這些整理，我們希望能夠更清晰地看到高壓氮化鎵產業演進方向。

氮化鎵數量分布

通過統計可見英諾賽科數量最多，為90款，占比約21.38%，接下來是鎵未來47款（11.16%）；英飛凌34款（8.08%）、納微33款（7.84%）、德州儀器32款（7.60%）、瑞薩29款（6.89%）、英嘉通和能華各27款（6.41%）。

前8家合計319款，大約占全部的75.8%，若再加上氮砂21款和Nexperia安世14款，前10家合計354款，占比約84.1%。其余廠商單家記錄數明顯較少，多在10款以下，其中量芯微5款、羅姆4款、SSDI和元芯各3款，泰高技術、PI、納芯微、杰華特、梵塔、r銓力微各1款，這9家合計僅16款，占比約3.8%。可以看出器件數量主要集中在少數幾家廠商。

企業類型分布

在本次統計樣本中共有26家企業，其中Fabless企業13家、IDM企業13家；從占比來看，Fabless與IDM模式各占50%。

在當下氮化鎵企業在業務模式上非常多元，設計驅動的Fabless模式和制造一體化IDM模式兩種路線都同樣重要，沒有出現被哪一種模式徹底主導的情況。

P2P硅MOS情況

P2P硅MOS方案占56.53%，非P2P占43.47%。GaN廠商仍以兼容硅MOS的替換器件為主，便于沿用原有平臺，同時已有近半產品采用面向高頻、高功率密度的專用封裝。

品牌分布上，英諾賽科擁有71款P2P器件，鎵未來，英嘉通、能華緊隨其后。本土廠商P2P型號總數已超過多家國際大廠，反映國產GaN在快充、適配器等消費電源中進入批量應用階段。

占比餅圖進一步表明，P2P資源高度集中在頭部陣營，前幾名合計占去大部分份額，其余廠商更多扮演補位角色，提供特定電壓、封裝或細分應用方案。整體上看，GaN P2P生態已初具規模，但仍處于快速迭代與版圖重構階段。

耐壓分布

從耐壓統計來看，高壓氮化鎵器件極度集中在650V和700V兩個檔位，占比分別為55.2%和36.3%，合計超過9成。650V延續了傳統離線式AC-DC與PFC的“標配”耐壓，適配380–400V直流母線以及220/230Vac、277Vac等主流輸入制式，既有足夠安全裕量，又能兼顧成本與性能，因此成為各家廠商布局最多的區間。700V器件數量緊隨其后，說明在服務器電源、儲能、電機驅動等更重視可靠性的場景中，客戶開始傾向于更高耐壓冗余，以應對更寬的電網波動和更嚴苛的浪涌要求。

在主力區間之外，600V、900V器件分別占3.7%和3%左右，屬于面向特定場景的補充耐壓段。600V多用于高密度快充、小功率AC-DC或對成本、損耗更敏感的消費類設計，在保證基本安全裕量的前提下，把導阻、芯片面積進一步做小；900V則更多瞄準光伏、儲能、電機驅動等高母線電壓系統，用來替代部分高壓SiMOS/IGBT方案，在提升效率的同時減少多級變換。可以看出，氮化鎵正從傳統650V標準向兩側耐壓“微調”，以滿足不同應用對成本、安全余量和效率的平衡需求。

更高耐壓的1000V、1200V以及1700V氮化鎵目前只占極小比例合計約2%，但技術意義大于數量本身。這一部分產品主要處在示范與前期導入階段，目標是新能源逆變器、電網接口、電機驅動和高壓工業電源等本屬于SiC的傳統地盤。它們的存在，說明廠商已經在探索氮化鎵向“千伏級”邁進的可行性；但從當前統計數據來看，高壓氮化鎵的市場重心仍然牢牢落在650/700V檔位，未來若AI數據中心800VDC架構、光儲一體化系統進一步放量，高于900V的氮化鎵耐壓段才有望迎來更明顯的占比提升。

增強型與耗盡型氮化鎵分布

從統計結果看，增強型氮化鎵約占65.6%，耗盡型約占34.4%，前者已經成為當前高壓氮化鎵的主流技術路線。增強型氮化鎵本身就是常關型器件，工作特性與傳統硅MOS接近，驅動方式容易沿用現有PWM/柵極驅動芯片，在安全性、設計門檻、量產可靠性等方面更利于大規模導入。因此在快充適配器、服務器電源、光伏儲能以及工業電源等需要兼顧效率、成本與風險控制的應用中，各大廠商普遍優先推出增強型氮化鎵產品，使其在數量上明顯領先。

但數據也顯示，耗盡型氮化鎵仍占到三分之一左右的比例，說明耗盡型氮化鎵在高壓場景依舊有穩固空間。耗盡型氮化鎵是常導通型器件，若直接使用會帶來系統安全與驅動復雜度問題，因此業界普遍通過在其柵極串聯一顆低壓硅MOSFET形成Cascode級聯結構，從系統視角“等效”為常關型器件，既保留了耗盡型氮化鎵高電子遷移率、低電荷的優勢，又兼容傳統MOSFET的驅動接口。

封裝類型分布

高壓氮化鎵器件在封裝形態上呈現明顯分級結構，一條是以DFN、PQFN、TOLL/TOLT等貼片封裝為代表，寄生電感小、便于高頻和高功率密度設計，適合快充、適配器、服務器電源以及300W–3kW級AC-DC、工業電源等場景，并推動器件從傳統硅器件向高密度封裝遷移。

另一條是以TO系列為代表，依靠更好的散熱條件、爬電距離和大電流能力，在光伏逆變器、PFC、電池儲能等千瓦級高功率應用中保持優勢，兩類路線共同覆蓋了從幾十瓦到千瓦級的GaN應用區間。

半橋氮化鎵分布

從數據上看，本次統計高壓氮化鎵器件中，半橋氮化鎵僅占約8.3%，絕大多數仍是單管/分立器件。半橋氮化鎵主要面向快充適配器、全集成LLC/PFC模塊以及高功率密度服務器電源等應用。集成半橋能顯著縮短走線、降低寄生參數、簡化設計，對追求極致功率密度和縮短開發周期的廠商具有吸引力。

導阻分布

從整體分布看，統計最高的幾個檔位集中在140mΩ、150mΩ、200mΩ、240mΩ等100~250mΩ區間，單一檔位數量都在20顆左右，占比分別在4%~6%級別。對于650/700V器件來說，這一導阻范圍可以在芯片面積、成本與電流能力之間取得較好平衡，剛好覆蓋65W快充到幾百瓦電源中最主流的電流檔位，因此廠商會在這些阻值點上密集分布。

在此之外，低于50mΩ的超低導阻器件和高于400mΩ的高導阻器件都屬于長尾。前者數量有限，多面向千瓦級電源、服務器電源或多顆并聯使用的場景，芯片面積大、成本高，因此型號不會太多；后者則多用于小功率、輔助電源或集成方案中，對導通損耗不敏感，反而更看重成本與封裝尺寸，所以會接受更高導阻。

可見當下高壓氮化鎵產品仍然以中等導阻、覆蓋中功率段為主力，極低導阻和極高導阻更多是針對特定細分應用的補充。

頂部散熱分布

從數據上看，這批高壓氮化鎵器件中，帶頂部散熱結構的型號只有19顆，占比約4.39%，絕大多數仍然是傳統底部散熱封裝。這說明目前主流應用場景，如快充適配器、小功率AC-DC、一般工業電源等在功率密度和熱流密度上，靠DFN、TO、PQFN、TOLL這類常規“底部散熱+散熱片/銅箔”的方案就能滿足需求。

而少量的頂部散熱氮化鎵，可面向高功率密度、散熱極限更緊張的場合，比如服務器電源、通信電源、車載和儲能變換器等。頂部散熱可以讓芯片上方直接貼散熱片或冷板，實現雙面散熱、縮短熱路徑，但需要在封裝、絕緣、裝配工藝上做更多優化，因此目前還屬于“高端細分應用”的配置。整體來看，頂部散熱氮化鎵處在技術驗證和重點場景導入期，數量不多但技術含金量高，未來如果AI服務器、電動車電源等對功率密度的要求繼續提升，這一類封裝的占比有望逐步上升。

藍寶石氮化鎵

統計數據顯示，在421顆氮化鎵功率器件中，僅有36顆為藍寶石襯底，占比8.55%；其余385條均為非藍寶石襯底，說明在功率器件領域，藍寶石GaN已經是明顯少數選擇，主流路線是硅基GaN。

多數廠商選擇硅基氮化鎵，核心在于能直接復用成熟的硅工藝與生產線，但目前已經有英嘉通、PI、致能等一眾廠商探索藍寶石基氮化鎵技術，并實現量產銷售，與硅基氮化鎵技術同臺競技。

充電頭網總結

綜合來看，通過對當前市面高壓氮化鎵器件在封裝形式、耐壓等級、氮化鎵類型、導阻區間以及頂部散熱等多維度的數據梳理，可以看到一個清晰的數據。可見目前氮化鎵主流產品高度聚焦在650/700V、100~250mΩ導阻區間、DFN/TO等成熟封裝組合之上，同時又在更高耐壓、更高功率密度、半橋設計和頂部散熱等方向持續試探和演進。可以預見，隨著AI服務器、光儲一體化、車載電源等新應用的放量，高壓氮化鎵在器件形態和應用邊界上還會繼續豐富，既鞏固現有成熟消費級市場，也不斷向更高功率、更高電壓和更高集成度邁進。