一、先看核心：兩款產品的 “參數硬實力”，對應哪些場景痛點？

耗盡型 MOSFET 的選型，關鍵看 “擊穿電壓（BVDSX）、導通電阻（RDS(on)）、飽和電流（IDSS）、封裝大小” 四大維度；這兩款產品針對不同低壓場景做了精準差異化，先看核心參數對比：

二、DMZ0642 產品介紹

2.1產品外觀

2.2 DMZ0642 應用領域

•固態繼電器：DMZ0642 可作為固態繼電器的核心開關元件，實現電路的無觸點通斷控制。相比傳統機械繼電器，它具有響應速度快、壽命長、抗干擾能力強等優點，廣泛應用于工業自動化、智能家居等領域。

•過壓保護電路：耗盡型MOSFET典型的過壓保護/穩壓輸出電路方案，通過選擇合適的穩壓二極管Vz，即可將高電壓轉換為穩定的低電壓

•啟動電路: 在開關電源（SMPS）中作為啟動元件，為IC提供初始工作電流，啟動完成后自動退出電路，系統功耗極低。

•電源轉換器與線性穩壓器：在DC-DC轉換器、線性穩壓器中作為功率調節元件，支持高效率電能轉換。

•電流調節器、有源負載：在電流調節和有源負載電路中，DMZ0642能夠穩定地調節電流大小，為電路提供穩定的電流輸出。其良好的線性度可使負載獲得穩定的電流，避免因電流波動對負載造成影響。

•點火模塊與安全系統: 適用于汽車電子、安防設備中的高壓點火、觸發或保護電路。

2.3 DMZ0642 應用方案

2.3.1 固態繼電器（SSR）設計

使用光驅動器和耗盡型MOSFET可用于創建常閉固態繼電器。圖1顯示了兩個外部DMZ0642(Q1/Q2)耗盡型場效應管的典型連接，它們以背對背的方式排列，形成AC/DC開關。光驅動器具有內部關斷電路，因此不需要外部泄放電阻。

2.3.2 過壓保護電路應用方案

下圖2所示為耗盡型MOSFET典型的過壓保護/穩壓輸出電路方案，通過選擇合適的穩壓二極管Vz，即可將高電壓轉換為穩定的低電壓。輸出電壓最大值VOUT與穩壓二極管的穩壓值Vz和耗盡型MOSFET的閾值電壓VGS(OFF)有關，可近似為VOUT(MAX.)≈Vz + |VGS(OFF)|，其中VGS(OFF)為耗盡型MOSFET在對應電流下的閾值電壓。當輸入電壓低于穩壓二極管的穩壓值Vz時，MOSFET低阻直通，輸入電壓僅在耗盡型MOSFET的溝道電阻上有較小壓降，當有過壓信號輸入時，MOSFET會將輸出電壓鉗位至VOUT(MAX.)，其余高電壓被耗盡型MOSFET的D-S承擔。該電路結構簡單，能有效抑制瞬態浪涌，為負載電路提供過壓保護。

2.4 DMZ0642 典型參數特性

DMZ0642的轉移特性曲線對于工程師設計電路具有重要參考價值。例如，從轉移特性曲線中可以看出，在特定的柵源電壓下，對應的漏源電流大小。這有助于工程師根據實際需求，精確選擇合適的工作點，以實現電路的最佳性能。在電流調節器應用中，通過參考轉移特性曲線，工程師可以確定在不同負載電流需求下，所需的柵源電壓，從而準確調節 DMZ0642 的導通程度，實現穩定的電流調節。

2.5 DMZ0642 產品參數實測

2.6 知識小茶館：耗盡型 MOSFET 的“飽和電流”

核心定義：

飽和電流 (IDSS) 是耗盡型MOS管最重要的一個靜態參數。它是指在柵源電壓VGS = 0V的條件下，當漏源電壓 VDS 增大到使管子進入飽和區時，所對應的漏極電流。

三個關鍵點：

1、測試條件 (VGS = 0V)：這是定義 IDSS 的前提。耗盡型MOS管在零柵壓時是導通的，IDSS衡量的就是它在這個“自然狀態”下的最大電流能力。

2、工作區域 (飽和區)：必須確保MOS管工作在飽和區。當 VDS 增加到一定值（飽和電壓）后，漏極電流ID 將不再隨 VDS 增加而顯著增加，而是趨于一個穩定值，這個值就是飽和電流。

3、它是一個最大值：IDSS表示的是在零柵壓條件下，該器件所能通過的最大電流極限。

它的物理意義是什么？

當 VDS 足夠高時，MOS管溝道在漏極一端會出現“夾斷”現象。此時，電流的大小不再由溝道的電阻決定，而是由溝道中載流子的遷移速率決定，這個速率達到了極限。因此，電流達到了“飽和”狀態。對于耗盡型管，在VGS =0 時這個飽和電流的值就被定義為 IDSS。

如何理解數據手冊？

在數據手冊中，IDSS 通常會在以下條件下給出：

•VGS = 0V

•VDS = 一個特定的高電壓（例如，對于60V的管子，這個電壓可能會設為25V或其它值，以確保器件一定工作在飽和區）。

IDSS 與其他電流參數的區別：

•與 Absolute Maximum Rating ID的區別：絕對最大額定電流ID是指無論如何都不能超過的電流值，否則會永久損壞器件。IDSS 是器件的一個特性參數，它必須小于ID這個極限值。

核心應用：

IDSS 最主要的應用是構建簡易的恒流源電路。只需將耗盡型MOS管的柵極和源極短接（強制 VGS =0V），它就會自動將其電流限制在IDSS值附近，從而為一個負載（如LED）提供恒定電流。

總結

耗盡型MOS管的飽和電流 IDSS，就是在柵源短接（VGS =0V）且漏源電壓足夠大的情況下，器件所能提供的最大、穩定的電流值。它是表征器件本身在零柵壓時電流輸出能力的核心參數。