前言

充電頭網了解到，英飛凌推出了共10款工業級CoolGaN™?，全部通過JEDEC工業應用標準驗證。新產品涵蓋低壓與高壓GaN，兼具高速開關、極低電荷參數、零反向恢復電荷、緊湊封裝及優異散熱性能，可顯著提升系統效率、減少體積并降低BOM成本，為新一代高性能電源系統提供更高可靠性與更廣設計自由度。

據了解，JEDEC工業應用標準是由固態技術協會制定的一系列規范，用于確保半導體器件在工業環境下的可靠性和穩定性。它涵蓋器件的環境應力測試，例如如高低溫循環、濕熱老化、熱沖擊、封裝與防潮等級規范、以及擴展溫度范圍內的電氣性能要求。通過統一的測試和規范，JEDEC工業標準保證器件在苛刻工業條件下長期穩定運行。而英飛凌本次推出符合JEDEC工業應用標準的氮化鎵器件可有效確保在惡劣環境工作穩定性。

英飛凌氮化鎵器件

英飛凌推出10款工業級氮化鎵，其中3款CoolGaN™ G3低壓氮化鎵，耐壓覆蓋100~120V，導阻覆蓋2.7~9.4mΩ；7款CoolGaN™ G5高壓氮化鎵耐壓覆蓋600~700V，導阻覆蓋66~330mΩ。

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獲取英飛凌氮化鎵規格書

簡單看過英飛凌氮化鎵功率器件產品規格書獲取方式，充電頭網繼續為您介紹這10款器件的參數信息。

低壓器件

英飛凌CoolGaN™ G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關（BDS）器件，主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用。

英飛凌IGB110S101

IGB110S101是一款100 V常關型emode功率晶體管，采用小型PQFN 3x3封裝，可實現高功率密度設計。由于其導通電阻低，它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。

英飛凌IGC033S101

IGC033S101是一款 100V常關型 emode 功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現高功率密度設計。由于其導通電阻低，它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。

英飛凌IGC037S12S1

IGC037S12S1 是一款120 V常關型 emode 功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現高功率密度設計。由于其導通電阻非常低，它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。

高壓器件

英飛凌CoolGaN™ G5氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升，并滿足最高質量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設計，該系列GaN氮化鎵晶體專為各種工業與消費類應用中的最優散熱性能而設計。

英飛凌IGI60L2727B1M

IGI60L2727B1M 結合了一個半橋功率級，該功率級由兩個 270 mΩ（典型 Rdson）/ 600 V 增強型 CoolGaN™ 開關組成，帶有集成柵極驅動器，封裝為小型 6 x 8 mm TFLGA-27。在低至中功率領域（圖 1 中的示例配置），因此非常適合支持利用 CoolGaN™ 功率開關優越開關特性設計高密度電機驅動器和開關電源（SMPS）。

英飛凌的 CoolGaN™ 及相關功率開關提供了非常穩健的柵極結構。當在“導通”狀態下由幾毫安的連續柵極電流驅動時，始終保證最小導通電阻 Rdson。

英飛凌IGLT65R055D2

在產品特點層面，IGLT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、頂部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGOT65R055D2

在產品特點層面，IGOT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、頂部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGT65R055D2

在產品特點層面，IGT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGLD65R110D2

該器件在產品特點層面，IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、140mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGLR65R270D2

在產品特點層面，IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGD70R140D2S

該器件在產品特點層面，IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、170mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證（JESD47、JESD22）；在應用領域層面，可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

充電頭網總結

英飛凌此次推出的10款工業級CoolGaN™?產品實現了從100V到700V的全耐壓覆蓋，提供多種適用于同步整流、LLC/圖騰柱PFC、DC-DC轉換、電機驅動、機器人、電動交通、電信服務器電源及儲能系統的解決方案。低壓系列強調超低導阻與高速開關，高壓系列則進一步強化了反向導通能力、工業級魯棒性與適用于高密度拓撲的性能。所有器件均符合JEDEC工業級可靠性標準，能夠在高溫、濕熱、沖擊等苛刻環境中穩定運行，為高效率、小型化與高功率密度電源設計提供更全面、更可靠的選擇，加速高性能電源系統向全氮化鎵時代邁進。