在全球碳中和戰略深入推進的關鍵節點，第三代半導體正成為突破能源轉換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司 Gen3 技術平臺650/700V系列場效應晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系列產品將從器件可靠性、效率最大化、應用集成度等方面重新定義功率半導體性能邊界，其核心突破將為消費電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領域帶來革命性的能效躍升。

#1 Gen3 技術平臺亮點

技術躍升（相較 Gen2）：

打破性能邊界的六大核心突破

卓越柵極性能：兼容傳統驅動架構

Gen3 技術平臺采用創新柵極設計，實現所有寬禁帶器件中最強的柵極魯棒性，柵極驅動簡單且與傳統 Si MOSFET 完全兼容。這一特性使現有產線無需大規模改造即可實現技術升級，顯著降低客戶導入成本。

超低反向電壓降：同規格產品最低水平

Gen3 技術平臺實現同規格產品最低的反向電壓降特性，較行業平均水平降低25%，顯著減少續流損耗。在高頻開關應用中，這一優勢可使整體系統效率提升0.3-0.5個百分點，特別適用于新能源汽車主逆變器和高頻 DC/DC 轉換器。

芯片面積持續優化：DPW 相對 Gen2 優化33%

通過引入新工藝設備，Gen3 平臺成功攻克了老產線的制造桎梏。我們采用更緊湊的互連結構與低延遲柵極優化布線，顯著降低了互連部分占地面積。憑借工藝與結構的協同創新，平臺 DPW 相對提升33%，FOM 相對優化15%，達成了更小尺寸與更強性能的完美統一。

產品效率躍升：器件損耗相對降低5%**

在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達99.3%，進一步實現性能躍升。

（**是指在測試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vout 中得到）

熱性能優化：持續穩定運行的最優解

在最大輸出功率約7700W的嚴苛條件下，相同 Rds(on) 器件實測溫升降低8.6℃，相對降幅高達66%。顯著提升系統在持續高功率運行時的穩定性和壽命。

ESD 能力增強：較上一代相對提升50%，全面實現≥2000V（HBM&CDM）

封裝類型：

近20種封裝滿足全場景應用

Gen3 技術平臺提供全面的封裝解決方案，覆蓋從消費電子到工業級應用的全場景需求：

支持包含 TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK 等全系列近20種封裝。

八項核心技術特點：

構建差異化競爭優勢

D-mode GaN 低損耗封裝：采用創新封裝結構，寄生電感降低30%，高頻開關性能優異；

調速 GaN 功率器件：可靈活調節開通速度而不增加開通延時，同時不犧牲效率，適配不同應用場景的動態需求；

無損電流采樣器件：集成高精度電流檢測功能，無需額外采樣電阻，提高系統效率；

合封 IC 技術：將驅動電路與功率器件集成，簡化外圍設計，縮小應用體積；

ESD 增強設計：全面實現 HBM 與 CDM 模式下≥2000V的靜電防護能力，可靠性進一步鞏固；

雙向器件結構：單一芯片實現雙向導電功能，簡化雙向變流器拓撲；

內絕緣封裝技術：模塊內部集成隔離設計，提高系統安全性，降低散熱需求；

車規級可靠性：完全符合汽車 AEC-Q101 標準。

#2應用領域：多元生態場景釋放能效革命紅利

Gen3 技術平臺憑借卓越性能，已覆蓋多個戰略領域，將為各行業帶來更多顛覆性的能效提升。

【消費電子】

鎵未來已與聯想、大疆、LG、惠普、臺達、小米等多家 PD 快充適配器頭部企業達成量產合作，助力多款“小體積、大能量”適配器走進用戶生活，持續推動高效、高速的科技發展浪潮。

【工業與能源】

鎵未來憑借業界首款3.6kW雙向儲能逆變器及效率高達98%的3kW通訊電源等成果，奠定了在工業與能源領域的穩固地位。

【交通電動化】

鎵未來 G3E65R009 系列——全球 Rdson 最小的650V氮化鎵分立器件，IDS (pulse) 實測可達1500A，是全球通流能力最大的 GaN 分立器件，目前已與多家頭部車廠及供應商開啟研發驗證。

此外，鎵未來 Gen3 系列產品的應用已廣泛覆蓋 LED 照明、高性能計算、家電與電機等多個領域。同時，面對 AI 等智能化領域的快速發展，公司正通過持續的技術迭代與產業升級，積極開拓新的合作機會與技術切入點。

鎵未來 Gen3 系列產品憑借其卓越的可靠性、更高效率與更小體積，正日益成為電源設計工程師的優選方案，助力合作伙伴實現更高效、更便攜、更穩定的產業升級。