前言

機(jī)械革命是一個(gè)專注于高性能游戲本的品牌。自品牌成立以來(lái)，機(jī)械革命依托于來(lái)自全球的專業(yè)游戲硬件廠商、外設(shè)制造商及電腦整機(jī)供應(yīng)鏈資源，持續(xù)為游戲發(fā)燒友打造高配置、高性能的筆記本電腦產(chǎn)品。為追求更極致性能釋放，機(jī)械革命對(duì)電源適配器設(shè)計(jì)都有著嚴(yán)苛的要求，其功率器件的選型與設(shè)計(jì)直接影響到筆記本的性能釋放與長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

我們近期對(duì)三款機(jī)械革命筆記本適配器進(jìn)行了深度拆解分析，重點(diǎn)探究了其中的功率器件選型。通過(guò)逐一解析，希望能夠?yàn)楣こ處熞约皭?ài)好者在適配器設(shè)計(jì)與器件選型上帶來(lái)新的思路。

機(jī)械革命筆電適配器內(nèi)置功率器件

以上是機(jī)械革命筆電適配器內(nèi)置功率器件的部分參數(shù)，詳情請(qǐng)參見(jiàn)下文。

機(jī)械革命280W碳化硅電源適配器

機(jī)械革命推出一顆游戲本標(biāo)配的一款電源適配器，為能夠讓設(shè)備充分運(yùn)轉(zhuǎn)，電源功率達(dá)到了280W，并且從銘牌可以了解到，這還是一款碳化硅電源適配器。

內(nèi)置功率器件

CETC國(guó)基南方WM2A060065N

PFC升壓開(kāi)關(guān)管來(lái)自CETC國(guó)基南方，型號(hào)WM2A060065N，是一顆碳化硅開(kāi)關(guān)管。

MagnaChip美格納MMF60R115P

用于LLC半橋的兩顆MOS管來(lái)自MagnaChip美格納，實(shí)際型號(hào)為MMF60R115P，NMOS管，耐壓650V，導(dǎo)阻0.115Ω，采用TO-220F封裝。

TOSHIBA東芝TPH2R306NH

四顆MOS管均來(lái)自東芝，型號(hào)TPH2R306NH，NMOS管，導(dǎo)阻1.9mΩ，耐壓60V，使用兩顆并聯(lián)，采用SOP封裝，用于LLC同步整流。

未知器件

PFC升壓整流管絲印被打磨，信息不詳。

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1、拆解報(bào)告：機(jī)械革命280W碳化硅電源適配器

機(jī)械革命140W USB-C氮化鎵快充充電器

機(jī)械革命推出了一款國(guó)行版140W氮化鎵快充充電器AY140AA-1C-CH，這款新品支持機(jī)械革命20V7A 140W私有協(xié)議PD快充，以滿足該品牌旗下50系顯卡筆記本電腦輕度游戲、重度辦公場(chǎng)景供電需求。

內(nèi)置功率器件

Innoscience英諾賽科INN650D150A

PFC升壓開(kāi)關(guān)管來(lái)自英諾賽科，型號(hào)為INN650D150A，是一顆耐壓650V的氮化鎵高壓?jiǎn)喂埽矐B(tài)耐壓750V，導(dǎo)阻150mΩ，采用DFN8*8封裝。INN650D150A支持超高開(kāi)關(guān)頻率，無(wú)反向恢復(fù)電荷，具有極低的柵極電荷和輸出電荷，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，內(nèi)置ESD保護(hù)，符合RoHS、無(wú)鉛、歐盟REACH法規(guī)。

Msemitek美浦森MSD06065G1

PFC整流管來(lái)自Msemitek美浦森，型號(hào)為MSD06065G1，是一顆650V耐壓，150℃連續(xù)正向電流6A的碳化硅二極管，采用TO-252封裝。

Msemitek美浦森SLM120N03T

輸出VBUS開(kāi)關(guān)管來(lái)自美浦森，型號(hào)SLM120N03T，NMOS管，耐壓30V，導(dǎo)阻2.6mΩ，采用DFN5*6封裝。

JJM捷捷微電JMSH1004BG

同步整流管來(lái)自JJM捷捷微電，型號(hào)JMSH1004BG，NMOS管，耐壓100V，導(dǎo)阻3.3mΩ，采用PDFN5*6-8L封裝。

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機(jī)械革命100W氮化鎵充電器

機(jī)械革命推出一款國(guó)行版氮化鎵快充充電器，產(chǎn)品型號(hào)A879-200500C-CN1，這款充電器不僅支持100W PD快充，還支持QC、SCP、PPS等快充，比一般的筆電標(biāo)配充電器兼容性要好，可滿足筆記本電腦、平板以及主流品牌手機(jī)快充需求。

內(nèi)置功率器件

ST意法STL24N60M6

PFC開(kāi)關(guān)管采用意法STL24N60M6，NMOS，耐壓600V，導(dǎo)阻209mΩ，采用PowerFLAT 8x8 HV封裝。

PY平偉PBMUR5JE

PFC整流管來(lái)自平偉，型號(hào)PBMUR5JE，是一顆超快恢復(fù)二極管，5A 600V，具有低正向壓降，高浪涌電流能力，采用PS-277B封裝。

Vergiga威兆半導(dǎo)體VSP003N10HS-G

兩顆同步整流管來(lái)自威兆半導(dǎo)體，型號(hào)VSP003N10HS-G，NMOS，耐壓100V，導(dǎo)阻為3.8mΩ，采用PDFN5*6封裝。

Vergiga威兆半導(dǎo)體VS3698AE

輸出VBUS開(kāi)關(guān)管來(lái)自威兆半導(dǎo)體，型號(hào)VS3698AE，NMOS，耐壓30V，導(dǎo)阻3mΩ，PDFN3333封裝。

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充電頭網(wǎng)總結(jié)

通過(guò)對(duì)三款機(jī)械革命筆電適配器的拆解分析，我們從功率器件布局上看，機(jī)械革命在PFC、LLC半橋、同步整流和VBUS控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)中，分別選用來(lái)自CETC、Innoscience、Msemitek、威兆、東芝、MagnaChip等多家廠商的MOSFET和二極管方案，體現(xiàn)出在機(jī)械革命在器件選擇上的權(quán)衡。