前言

隨著功率半導體技術的不斷發展，行業正迎來新一輪的產品升級與性能優化。無論是氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料的應用，還是傳統MOSFET、IGBT的工藝改進與封裝優化，廠商們正持續推出更高效、更可靠、更緊湊的功率器件，以滿足高功率密度、低損耗和高可靠性的市場需求。本次我們整理了多家廠商的最新產品，涵蓋消費電子、電動汽車、新能源、數據中心及工業控制等多個應用場景，為工程師和行業從業者提供一份全面的新品參考。

本文排序不分先后，按品牌英文首字母順序排列。

EPC宜普

EPC推出熱增強型QFN封裝氮化鎵器件

在電子設計不斷追求更小體積、更高效率的背景下，EP 推出了全新熱增強型 QFN 封裝氮化鎵器件，為系統設計帶來更簡潔的布局和更出色的性能。該系列器件采用平整貼合PCB 的QFN 封裝形式，支持常見的貼片工藝，簡化布局與組裝流程。憑借超低導通電阻和高效散熱設計，頂部金屬裸露可快速導熱，顯著降低損耗與溫升，實現更高的能效表現。其小巧封裝可實現高功率密度，尺寸最小僅3×5mm，非常適合高密度應用場景，同時在長期運行中表現出卓越的可靠性。

在可制造性與一致性方面，EPC的QFN封裝同樣表現出色。無引腳設計使其在組裝中具備更高可預測性，焊接一致性更佳；遵循EPC應用指南可有效控制錫膏量并提升回流焊接的穩定性。實驗驗證顯示，該封裝的焊點高度誤差僅±2–5 µm，大幅降低器件傾斜風險，確保裝配可靠性。大量EPC器件的實際應用案例也表明，設計仿真與量產表現高度一致，為工程師在高性能、高密度系統設計中提供了更可靠的選擇。

FM富滿微

富滿微推出兩款IPM模塊

近期，富滿微順應工業自動化與綠色能源趨勢，適時推出兩款IPM模塊，分別為FMM05N60HE0（單相半橋IPM） / FMS10N60HD8（三相全橋IPM）。

FMM05N60HE0是一款單相半橋智能功率模塊，用于無刷直流電機驅動，主要應用于較低功率變頻驅動，如風扇，電機等。其內置了2個低導通阻抗的 MOSFET和一顆智能化的 HVIC 柵極驅動電路。內部集成高低側欠壓保護，過流保護電路，SD使能關斷功能，故障輸出功能，輸入信號雙高互鎖，內置死區時間，過溫保護等，提供了優異的保護和故障安全操作功能。

FMM05N60HE0內部集成了自舉二極管，簡化了外圍線路；采用CSOP-13L封裝，高絕緣，易散熱，在復雜環境使用穩定可靠。

FMS10N60HD8是一款三相全橋智能功率模塊，用于無刷直流電機驅動，主要應用于較低功率變頻驅動，如洗衣機、風扇電機等。其內置了6個低損耗 IGBT和 3個半橋 HVIC 柵極驅動電路。

內部集成欠壓保護，過流保護電路，SD使能關斷功能，溫度輸出功能，提供了優異的保護和故障安全操作。由于每一相都有一個獨立的負直流端，其電流可以分別單獨檢測。該模塊內部集成了自舉二極管，簡化了外圍線路:采用 DIP-25D 封裝，便于安裝散熱片，高絕緣，易散熱，在復雜環境使用穩定可靠。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科第三代700V GaN全面上市

英諾賽科第三代700V增強型氮化鎵功率器件系列正式上市。相比Gen2.5，Gen3在核心性能上實現重大突破：芯片面積縮減30%，提升硅片利用率并支持更高功率密度設計；開關性能提升20-30%，器件電容降低20-30%，顯著降低開關與驅動損耗，提高系統效率；熱性能優化，在相同應用條件下芯片殼溫可降低3-6°C，增強長期運行可靠性。Gen3系列提供DFN5x6、DFN8x8、TO252及SOT223等多種封裝，滿足緊湊設計、平衡性能和高散熱等不同需求，其中旗艦型號INN700TK100E采用TO252封裝，典型導通電阻低至74mΩ，可高效支持高達500W的功率應用。

憑借更低的導通電阻和開關損耗，Gen3 700V系列在PD快充、高功率適配器、LED驅動、電源、智能家電、服務器電源及工業SMPS等領域實現更高效率與更小尺寸設計。通過核心參數優化，Gen3幫助工程師提升系統能效、降低器件溫度、節省空間與成本，并提供標準封裝以簡化設計升級路徑。英諾賽科Gen3 700V GaN功率器件以更小尺寸、更快速度、更高效率及優化的熱管理，為實現高功率密度與高系統效率設計提供理想解決方案。

NCE新潔能

導阻低至0.75mΩ，新潔能帶來全新N30V 1mΩ級別溝槽型MOSFET系列

該系列新品采用超高元胞密度、小線寬設計，使用新潔能特有的溝槽型工藝平臺，搭配優化后的大電流產品封裝工藝，以NCE011N30GU為例，導通電阻典型值低至0.75mR,持續電流ID高達325A,優異的參數表現展示了溝槽型芯片設計和封裝等工藝的技術實力。系列產品具有超高電流密度，超高抗雪崩擊穿能力以及高可靠性表現，器件通過100%雪崩測試，具有較優的魯棒性，產品性能卓越，為市場提供經濟高效的產品解決方案。

PI

PI推出內置PowiGaN太陽能賽車專用參考設計

2025年8月，PI推出專為太陽能賽車設計的參考套件RDK-85SLR，助力37支學生隊伍參加8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰賽，穿越澳洲內陸。

RDK-85SLR采用集成PowiGaN氮化鎵技術的InnoSwitch 3-AQ芯片，搭載750V PowiGaN開關，效率高達95%，緊湊輕便且無需散熱片。該設計由PI工程師與蘇黎世聯邦理工學院aCentauri車隊合作開發，其85號“Silvretta”賽車將在比賽中使用。

套件提供46W電源（短時可達80W）及完整設計組件，包括四顆InnoSwitch3-AQ芯片、PCB板和設計報告，含原理圖、布局指南、變壓器說明及性能數據，助力學生快速開發高效輔助電源。

PNJ派恩杰

派恩杰推出第三代1200V SiC MOSFET，滿足工業級與車規級需求

派恩杰推出的1200V SiC MOSFET系列以其低導通電阻、高開關頻率、出色高溫穩定性和強可靠性，成為高壓、高頻、高溫場景的理想選擇。與傳統硅基MOSFET相比，SiC MOSFET能顯著提升效率、減小系統體積，同時具備良好的封裝兼容性和車規級應用經驗。

本次新品提供以下型號：P3M12040K4SG2、P3M12040K4S、P3M12040K4G2、P3M12030G7、P3M12018K4、P3M12018T7、P3M12030L8、I3M12045K4、P3M12080T7i、P3M12080L8、P3M12120K3、P3M12018PQ、P3M12040K4L。

該系列產品在新能源發電（如光伏逆變器、風電變流器）、工業與能源存儲（儲能系統、電機驅動）、電力傳輸與配電、數據中心HVDC供電系統，以及電動汽車高壓車載充電和直流快充樁等領域表現卓越，可有效提升系統功率密度并優化散熱性能。

Primechip元芯

元芯半導體推出集成100V/15A的GaN同步降壓芯片—YX201058

元芯半導體推出的YX201058同步降壓轉換器集成100V/15A GaN功率FET，支持4V至100V寬輸入范圍及50KHz至3MHz超寬開關頻率，具備高效、低碳、緊湊設計等優勢，并內置頻率擴頻、軟啟動、UVLO保護、時鐘同步及電源良好報告等多項功能，兼顧性能與可靠性。

YX201058應用場景廣泛，適用于各類高性能電源設計，包括降壓DC-DC穩壓器、平板與筆記本等消費電子、工業控制與自動化設備、小型儲能系統，以及車載充電器等汽車電子。憑借集成雙4mΩ GaN功率FET、高達15A的輸出能力及靈活的外部補償和電流監控能力，YX201058為各類高效率電源系統提供強大支持。

SiliconMagic芯邁半導體

芯邁半導體推出40V車規SGT MOSFET

芯邁半導體推出的40V車規級SGT MOSFET——SDA系列，基于自有12英寸晶圓廠先進工藝，具備0.7mΩ超低導通電阻（Rdson），在相同電流下顯著降低導通損耗、減少系統發熱、提升BMS整體能效。相較于行業主流產品，SDA系列可有效優化鋰電池充放電效率，延長續航里程；其400A超高雪崩擊穿電流能力，在典型車載應用（0.01mH寄生電感）下遠超行業標準，可在過流、短路等極端情況下快速關斷，保障電池模組安全，尤其適配高功率鋰電系統，為BMS提供更強的故障保護能力。

隨著電池容量不斷提升，BMS需要更多MOSFET并聯以支持大電流充放電。SDA系列通過優化的Vth與Rdson一致性，確保靜態與動態均流性能，避免并聯工況下的電流失衡與局部過熱風險。器件采用PDFN5×6緊湊封裝，節省PCB面積，契合電池模組輕量化與高集成度趨勢，同時通過AEC-Q101認證及多項嚴苛可靠性測試，可在-55℃至175℃寬溫范圍內穩定工作，適應復雜車載環境。在新能源汽車向更高電壓平臺、更高能量密度演進的過程中，SDA系列憑借低損耗、高魯棒性、優異熱管理等特性，不僅滿足當前BMS需求，還為800V高壓架構、固態電池等未來技術預留性能裕量，其高雪崩能力與均流設計也將成為智能電動汽車功能安全（ISO 26262）的關鍵支撐。

SHIKUES時科

時科推出650V耐壓 IGBT SKIF75N65-T7

時科推出的 SKIF75N65-T7 IGBT，采用先進凹槽柵極/場截止工藝，具備 650V耐壓、75A大電流、低飽和壓降和快速開關特性，開關延遲低于200ns，單次開關損耗不足6mJ，支持 -40℃至175℃ 寬結溫范圍，并內置快恢復二極管（200ns反向恢復），有效降低系統損耗與設計復雜度，滿足高頻高功率應用需求。

SKIF75N65-T7憑借高效能量轉換、強大電流承載、低損耗運行等優勢，廣泛應用于新能源充電樁（高壓快充高效能量傳輸）、UPS與數據中心（降低損耗、提升穩定性）、光伏逆變與儲能（高壓耐受、支持高效MPPT）、工業電機驅動與變頻器（快速驅動感性負載）、以及高功率電源與焊機（強抗浪涌能力）。它為新一代高功率系統提供高效、安全、可靠的解決方案，是高性能功率器件的理想選擇。

ST意法半導體

意法半導體推出TGFS技術加持1600V IGBT器件

STGWA30IH160DF2是意法半導體推出的第二代1600V IH系列IGBT，具備175℃高結溫、優異熱阻系數，支持30A額定電流高效散熱。采用TGFS技術，低飽和壓降（1.77V@30A）、低關斷尾電流，降低導通與關斷損耗。反并聯二極管軟恢復特性與主晶體管協同，提升諧振及軟開關拓撲能效。適用于16kHz至60kHz準諧振單管變換器，高耐壓、優異熱性能抵御電壓浪涌，減少保護元件，降低成本。正溫度系數支持多管并聯均流設計，適用于電磁爐、微波爐等大功率家電，實現高能效與成本效益。

TOSHIBA東芝

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

東芝推出三款650V碳化硅MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品搭載東芝最新第3代SiC MOSFET芯片，采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備，并已開始支持批量出貨。

與傳統TO-247和TO-247-4L(X)通孔封裝相比，TOLL封裝可將器件體積縮小80%以上，提高設備功率密度，并具有更低寄生阻抗，顯著降低開關損耗。作為4引腳封裝，支持柵極驅動信號的開爾文連接，減少內部源極電感影響，實現高速開關性能。以TW048U65C為例，相比東芝現有產品，其開通損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%，有助于降低設備能耗。

XYD新一代

新一代發布一款100V、6.6mΩ的SGTMOS——XYD6P6N10GC

XYD6P6N10GC是一款屏蔽柵溝槽型 MOSFET（SGT MOS），具有大于 100V 的耐壓能力，導通電阻典型值 Rds(on) = 6.6mΩ。與同類競品相比，該產品具備更低的密勒電容和更快的開關速度，在高頻開關應用中具有更低的損耗。其優勢包括低導通電阻、低開關損耗、擊穿電壓穩定性高以及驅動簡單，能夠在高頻環境下保持高可靠性和強抗干擾能力，適用于中低壓應用場景。

該產品廣泛應用于多種行業領域，包括儲能電源、電機控制、電動工具、無人機、服務器、數據中心電源以及快充適配器電源等。憑借優秀的電容與Qg特性，本產品在開關時間和損耗控制方面表現優異，可有效提升系統整體效率和性能，為各類中低壓電源及控制系統提供高效、可靠的功率解決方案。

充電頭網總結

功率半導體行業正不斷突破升級。從低耐壓到高耐壓，從高導阻到低損耗，各品類產品持續優化，封裝工藝日益精湛，應用場景也愈發廣泛。每一次技術演進，都為電源系統效率與可靠性帶來質的飛躍，推動著數據中心、新能源汽車、工業設備等多領域快速發展。隨著研發深入與創新加速，功率半導體還將不斷迭代，為全球電子產業注入強大動力，引領行業邁向更高臺階。

以上便是本次多款功率器件新品匯總的全部內容，如您需要持續了解功率半導體行業風向，您可以關注充電頭網，我們將會持續為您整理業界最新動向。

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