前言
當今，中低壓MOS在PD快充中主要應用在同步整流、輸出VBUS、同步升降壓、無線充電線圈驅動以及充電輸入保護電路等幾大場景。而隨著快充技術的不斷發展，充電功率不斷提高，對中低壓MOS管的導阻、電流承載能力等要求也將不斷提升，以滿足更高功率快充的需求。而威兆很早便針對PD快充特點針對性推出了各類中低壓MOS，滿足廠商的多元化需求。
充電頭網通過整理2025年度上半年拆解數據，發現威兆旗下中低壓MOS管獲安克、大疆、小米等知名品牌的數十款產品采用，出貨量十分可觀。
低壓MOS
威兆VS3508AE
威兆VS3508AE是一款耐壓30V的增強型PMOS，采用PDFN3333封裝，效率高，導阻為8.5m?。
這款器件100%通過雪崩測試，采用無鉛無鹵素工藝制造，符合RoHS規范，常用于作為輸出的VBUS開關。
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威兆VS3508AP
威兆VS3508AP是一顆增強型PMOS，開關速度快，耐壓-30V，導阻8.8mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范。
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威兆VS3510AE
威兆VS3510AE是一款5V邏輯電平控制的增強型PMOS，耐壓30V，采用PDFN3333封裝，開關頻率高，導阻為10m?。
這款器件100% 通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可以用于輸入保護。
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威兆VS3602GPMT
威兆VS3602GPMT是一顆增強型NMOS，耐壓30V，導阻0.6mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可以用于電池保護電路。
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威兆VS3618AE
威兆VS3618AE是一款耐壓30V的增強型NMOS，采用PDFN3333封裝，導阻為6.4m?。
這款器件100% 通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可用于輸出VBUS開關。
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威兆VS3618BE
威兆VS3618BE是一款耐壓30V的增強型NMOS，封裝為PDFN3333，導阻為5.2m?。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，在產品中多用作VBUS開關管。
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威兆VS3622DE
威兆VS3622DE是一款耐壓30V的增強型雙NMOS管，使用5V邏輯電平控制，導阻為10m?，采用PDFN3333封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可以用于兩組線圈的切換以及輸出端口獨立保護。
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威兆VS3698AE
威兆VS3698AE是一款耐壓30V的增強型NMOS，導阻為3m?，采用PDFN3333封裝規格。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，常用于輸出VBUS開關。
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威兆VS4504AS
輸出VBUS開關管來自威兆，型號VS4504AS，PMOS管，耐壓-40V，導阻6.8mΩ，采用SOP8封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，常用于輸出VBUS開關。
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威兆VS4505APT
威兆VS4505APT是一顆增強型PMOS，耐壓-40V，導阻8.7mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可用于供電切換。
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威兆VS4620GP
威兆VS4620GP是一顆NMOS，耐壓40V，導阻6.5mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范。
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威兆VS4620GEMC
威兆VS4620GEMC是一顆采用VitoMOSⅡ技術制造的增強型NMOS，耐壓40V，導阻6.4mΩ，采用PDFN3333封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，常用于VBUS開關管。
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威兆VSE007N04MS-G
威兆VSE007N04MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技術的增強型NMOS，耐壓4V，采用PDFN3333封裝，導阻為3.2m?。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可以應用于同步整流降壓。
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威兆VSP007N06MS-G
威兆VSP007N06MS-G是一顆增強型PMOS，耐壓65V，導阻4.5mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可用作同步降壓電路。
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中壓MOS
威兆VS1605APM
威兆VS1605APM是一顆增強型NMOS，耐壓100V，導阻6.3mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，采用無鉛無鹵素工藝制造，符合RoHS規范，可用于同步整流電路。
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威兆VS1804GPH
威兆VS18208GPM是一顆增強型NMOS，耐壓100V，導阻3.8mΩ，采用PDFN5*6封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，可用于同步整流。
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威兆VSF013N10MS3-G
威兆VSF013N10MS3-G是一顆采用VitoMOSⅡ技術制造的增強型NMOS，耐壓100V，導阻10mΩ，采用TO-220SF封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范。
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威兆VSP003N10HS-G
威兆VSP003N10HS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技術制造的增強型NMOS，采用10V邏輯電平控制，封裝為PDFN5x6，擁有3.8mΩ超低導阻，耐壓100V，可以用于同步整流電路。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范。
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威兆VSP004N10MS-G
威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技術制造的增強型NMOS，采用PDFN5x6封裝，耐壓為100V，擁有3.8mΩ超低導阻，常用于同步整流電路。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范。
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威兆VSP2R8N10HS-G
威兆VSP2R8N10HS-G是一顆增強型NMOS管，耐壓100V，導阻2.3mΩ，采用PDFN5060X封裝。
這款器件100%通過雪崩測試，無鉛無鹵素，符合RoHS規范，適合同步整流電路應用。
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充電頭網總結
近兩年來，隨著PD協議的更新，快充技術再次綻放出新的光彩，從最初的QC快充到各家終端品牌推出的私有快充協議，從以前的10W到如今的200W以上，充電速度越來越快，充電功率也越來越大，同步整流管的要求也越來越嚴格，快充技術已經在消費類電源市場中得到快速普及，也會帶動MOS管市場的發展。
威兆半導體在MOS領域深耕多年，旗下同步整流管家族矩陣十分龐大，可供選擇款式眾多，能夠輕松滿足200瓦級別的快充應用，為快充廠商提供了性能更強且更具性價比的選擇。目前已經成功進入諸多知名品牌供應鏈，產品性能獲得市場長期驗證。
充電頭網了解到，深圳市威兆半導體股份有限公司成立于2012年，總部位于深圳市南山智園崇文園區，在珠海、上海、天津、香港等地設有研發中心/辦事處，是國家級高新技術企業和專精特新“小巨人”企業。威兆半導體始終聚焦功率器件研發與應用技術研究，憑借多年的科研攻關已成為少數同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管以及特殊半導體制程設計能力的先進半導體設計公司。產品涵蓋傳統硅基及第三代化合物半導體SiC和GaN，并廣泛應用于消費類電源、汽車電子、電機驅動、工業電源、通信等領域。
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