前言
消費者自行安裝車載無線充需額外拉線，破壞車內美感，且易因接口松動致設備無法充電。前裝無線充則將模塊深度集成于車輛設計，如中控臺、扶手箱等區域，保持座艙簡潔，無需安裝走線。且原廠設計更注重散熱與安全，為使前裝無線充電功能在性能與安全上達到最佳平衡，各大汽車廠商還通常選用車規器件，提升極端工控表現。
為深入分析各車企前裝無線充內部功率器件選型，探討其技術布局與優化方向，本文將基于拆解案例，帶您一覽不同廠商在這一領域的選型差異。
汽車前裝無線充內置的功率器件
文中前裝無線充內置的功率器件如上表所示，詳細信息請參閱下文。
AITO問界前裝50W無線充電模塊
問界新能源汽車的前裝無線充電模塊具備兩個充電位置，并支持50W無線快充。在無線充電模塊內部還設有散熱風扇，對應無線充電位置吹出氣流，帶走大功率無線充電產生的熱量，提升用戶的使用體驗。
內置功率器件
DIODES DMP32M6SPS
DIODES DMP32M6SPS，PMOS，耐壓-30V，導阻2.6mΩ，采用PowerDI5060-8封裝。
DIODES DMTH43M8LPSWQ
DIODES DMTH43M8LPSWQ，NMOS，耐壓40V，導阻3.3mΩ，工作溫度為175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI5060-8封裝。
DIODES DMTH43M8LFGQ
DIODES DMTH43M8LFGQ，NMOS，耐壓40V，導阻3mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI3333-8封裝。
DIODES DMT47M2SFVWQ
DIODES DMT47M2SFVWQ，NMOS，耐壓40V，導阻7.5mΩ，工作溫度150℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI3333-8封裝。
DIODES DMTH10H017LPDQ
DIODES DMTH10H017LPDQ，雙NMOS，耐壓100V，導阻17.4mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI5060-8封裝。
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比亞迪汽車無線充電模塊采用一體成型鋁合金外殼，使用PCB屏蔽面板作為上蓋，抑制電磁輻射。無線充電模塊采用多層結構，線圈固定在主板的屏蔽罩上，屏蔽罩下方是無線充電主控芯片和MOS管驅動器，PCB另外一面為功率器件，通過導熱墊利用鋁合金外殼散熱，降低無線充電的溫升。
內置功率器件
Nexperia安世絲印92910E
用于無線充電線圈切換的雙NMOS，來自安世半導體，絲印92910E，采用LFPAK56D封裝。
絲印7AB器件
無線充全橋功率管絲印7AB，使用四顆組成全橋驅動線圈。
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比亞迪這款汽車無線充電模塊由北京有感科技代工生產，無線充采用一體成型鋁合金外殼，使用PCB屏蔽面板作為上蓋，有效抑制電磁輻射。無線充電模塊采用多層結構，線圈固定在主板的屏蔽罩上，屏蔽罩下方為無線充電主控芯片和MOS管驅動器，PCB背面為功率器件，發熱器件通過導熱墊利用鋁合金外殼散熱，降低溫升。
內置功率器件
ONSEMI安森美NVTFS5820NL
安森美NVTFS5820NL是一顆NMOS，耐壓60V，導阻為11.5mΩ，采用WDFN8封裝。
Infineon英飛凌IPG20N10S4L-22A
用于線圈切換的MOS管來自英飛凌，絲印4N10L22，實際型號為IPG20N10S4L-22A，是一顆耐壓100V，導阻22mΩ的雙NMOS，采用PG-TDSON-8封裝。
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奇瑞無線充電模塊為黑色外觀設計，模塊采用一體成型的鋁合金外殼，具有良好的屏蔽以及散熱性能。模塊底部設有風扇，通過螺絲固定，加快空氣流通，帶走無線充電產生的熱量。這款無線充電模塊具備大功率無線充電輸出能力，顯著縮短充電時間，更加適合開車時碎片時間使用。
內置功率器件
AOS萬國半導體AON7264E
AOS AON7264E是一顆耐壓60V的NMOS，導阻7.7mΩ，采用DFN3*3封裝。
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內置功率器件
AOS萬國半導體AON7264E
用于切換諧振電容以及切換無線充電線圈的開關管來自AOS萬國半導體，型號為AON7264E，NMOS，耐壓60V，導阻7.7mΩ，采用DFN3*3 EP封裝。
NCE新潔能NCE60P12K
用于輸入控制的開關管來自新潔能，型號NCE60P12K，PMOS，耐壓-60V，導阻84mΩ，采用TO-252-2封裝。
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內置功率器件
Infineon英飛凌IPG20N10S4L-22A
英飛凌絲印4N10L22器件實際型號為IPG20N10S4L-22A，雙NMOS，耐壓100V，導阻22mΩ，符合AEC-Q101車規認證，采用PG-TDSON-8封裝。
Nexperia安世BUK7K25-40E
安世BUK7K25-40E是一顆耐壓40V的雙NMOS，導阻為21.25mΩ，采用LFPAK56D封裝，符合AEC-Q101標準。
Rohm羅姆RRH140P03
用于電源控制的MOS管來自Rohm羅姆，型號RRH140P03，是一顆耐壓-30V的PMOS，導阻7mΩ，采用SOP8封裝。
Rohm羅姆SP8K24FRA
用于同步升降壓電壓轉換的開關管來自Rohm羅姆，型號SP8K24FRA，是一顆耐壓45V的雙NMOS，導阻為18mΩ，采用SOP8封裝，已通過支持AEC-Q101認證。
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哈弗酷狗充電模塊為黑色外觀設計，模塊采用一體成型的鋁合金外殼，具有良好的屏蔽以及散熱性能。模塊底部設有風扇，加快空氣流通，帶走無線充電產生的熱量。這款無線充電模塊支持50W大功率無線充電，顯著縮短充電時間，更加適合碎片化使用。
內置功率器件
AOS萬國半導體AON7264E
AOS萬國半導體AON7264E是一顆耐壓60V的NMOS，導阻7.7mΩ，采用DFN3*3封裝。
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內置功率器件
AOS萬國半導體AON7264E
AOS AON7264E是一顆耐壓60V的NMOS，導阻7.7mΩ，采用DFN3*3封裝。
DIODES DMG7430LFGQ
用于輸入端電源控制的NMOS管，來自DIODES，型號DMG7430LFGQ，耐壓30V，導阻11mΩ，符合AEC-Q101車規認證，采用PowerDI3333-8封裝。
Vishay威世SQJ974EP
三顆雙NMOS用于三路線圈切換，由無線充電檢測手機的位置，控制對應位置的MOS管導通，開啟對應的無線充電線圈。MOS管來自Vishay，型號為SQJ974EP，是一顆汽車級的雙NMOS管，耐壓100V，導阻21mΩ，符合AEC-Q101車規認證，采用SO-8L封裝。
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理想新能源汽車的前裝無線充電模塊，這款無線充電模塊設有一個充電位置，支持50W無線快充。無線充電模塊安裝在裝飾面板下，采用PCB面板配合鋁合金外殼，鋁合金外殼設有散熱風扇，為無線充電模塊和手機散熱。
內置功率器件
DIODES DMTH43M8LFGQ
輸入端開關管來自DIODES，絲印HK8，型號為DMTH43M8LFGQ，NMOS，耐壓40V，導阻3mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI3333-8封裝。
DIODES DMT47M2SFVWQ
兩個高側MOS管來自DIODES，絲印M2S，型號為DMT47M2SFVWQ，NMOS，耐壓40V，導阻7.5mΩ，工作溫度150℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI3333-8封裝。
DIODES DMTH10H017LPDQ
還有四顆線圈切換MOS管來自DIODES，型號DMTH10H017LPDQ，雙NMOS，耐壓100V，導阻17.4mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI5060-8封裝。
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內置功率器件
AOS萬國半導體AON7264E
該產品內置10顆來自AOS萬國半導體的AON7264E，NMOS，耐壓60V，導阻7.7mΩ，采用DFN3*3 EP封裝，分別用于升降壓、諧振電容切換、無線充電線圈切換等。
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內置功率器件
DIODES DMPH4029LFGQ
用于電源輸入隔離的MOS管來自DIODES，絲印H29，型號DMPH4029LFGQ，PMOS，耐壓-40V，導阻18mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI3333-8封裝。
DIODES DMTH6016LPDQ
用于切換無線充電線圈的四顆MOS管來自DIODES，型號DMTH6016LPDQ，雙NMOS，耐壓60V，導阻14.5mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI5060-8封裝。
DIODES S1M
用于防止供電倒灌的二極管來自DIODES，型號S1M，規格為1A 1000V，采用SMA封裝。
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內置功率器件
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安森美NVD2955是一顆耐壓60V的PMOS，導阻為155mΩ，采用DPAK封裝。
Vishay威世絲印34 6
多顆二極管來自Vishay，絲印34 6。
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未知品牌升壓開關管。
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內置功率器件
DIODES DMTH6016LPDQ
用于切換無線充電線圈的MOS管來自DIODES，型號DMTH6016LPDQ，雙NMOS，耐壓60V，導阻14.5mΩ，工作溫度175℃，符合AEC-Q101標準，采用PowerDI5060-8封裝。
DIODES DMPH4029LFGQ
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充電頭網總結
通過分析以往拆解的多品牌汽車的前裝無線充電模塊，可以直觀發現其內置的功率器件大多采用車規級標準，確保在極端工況下仍可穩定運行。同時，各品牌在散熱設計上進行了優化，結合鋁合金外殼、風扇等散熱措施，既能保障安全與可靠，也兼顧了效率與品質，可進一步提升了無線充電模塊的性能與用戶體驗。
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粵公網安備44030002009313號