前言

小米15S Pro是小米在15 Pro的基礎上專門研發(fā)的，作為小米集團成立15周年的紀念產品。與小米15 Pro相比，小米15S Pro不僅在屏幕、影像、散熱等方面均有升級，而且還搭載小米新發(fā)布的3nm自研手機SOC芯片玄戒O1，可謂誠意滿滿。

玄戒O1帶來了相當多的亮點和流量，也吸引了眾多知名科技博主、媒體評測，手機整體體驗十分流暢，游戲、視頻表現出眾，相較于蘋果A18，高通驍龍8 Elite，Mediatek 的天璣9400+等旗艦芯片，玄戒O1表現可圈可點，標志著小米自研芯片正式躋身世界第一梯隊。

最近，充電頭網通過拆解了解到，小米15S Pro內置的玄戒O1背面內置Empower E-CAP硅電容，這也是國產手機處理器首次搭載硅電容。

小米15S Pro手機

小米15S Pro采用6.73英寸全等深微曲屏，這是一款2K低功耗屏，采用定制M9發(fā)光材料，支持120Hz刷新率以及3200nits亮度，新機搭載了小米的玄戒芯片O1，搭載HyperOS 2，攝像模組方面則搭載三顆5000萬像素徠卡光學全焦段高速鏡頭，支持全焦段的4K夜景視頻，性能十分強大。

簡單看過產品概況，充電頭網繼續(xù)為您介紹玄戒O1內置的Empower硅電容。

Empower Semiconductor安普沃爾半導體E-CAP硅電容

在玄戒O1處理器背面焊接了4顆硅電容和5顆陶瓷電容，用于抑制電源噪聲。這也是充電頭網首次在國產手機處理器拆解上看到硅電容。

玄戒O1背面中上部焊接的四顆硅電容來自Empower Semiconductor安普沃爾半導體，型號EC1004B，電容尺寸僅為0.64*0.5mm，超薄厚度為75μm，電容容量為230nF，支持-40~125℃工作溫度。該硅電容的容值在不同的工作電壓和溫度下都能保持不變，且ESL低至6.5pH，諧振頻率高達300MHz，非常適合封裝集成，基板埋嵌，為基于先進工藝的高性能SOC芯片供電濾波。

Empower E-CAP硅電容超薄的設計，可以焊接在處理器背面，焊球之間，自身的超低的等效電阻和等效電感，可將目標頻段的電源噪聲降低50%，提高處理器的穩(wěn)定性，使其在更高的頻率運行下，獲得更加流暢的使用體驗，充分發(fā)揮性能。據了解，玄戒O1是國內首家，在手機處理器芯片上使用硅電容的廠商。

充電頭網了解到，在用硅電容替代同性能的MLCC濾波電容時，面積從30mm²降至6mm²，降幅高達80%。Empower既提供200nF - 50uF的單顆硅電容，也有集成17顆、總容量4.8uF的電容陣列。Empower還支持定制各類超薄、CSP封裝的電容，以滿足高性能計算需求。在實際應用中，可用兩顆E-CAP EC1001替代多顆MLCC并聯，可令總占用面積和10M-1G內阻抗大幅降低，有效提升處理器性能。

充電頭網總結

小米玄戒O1首次在國產手機處理器中采用Empower Semiconductor安普沃爾半導體的 EC1004B硅電容，其超小尺寸、低 ESL、高諧振頻率等特性，可有效降低電源噪聲，提升處理器穩(wěn)定性，助力小米15S Pro釋放滿血性能。

充電頭網了解到，Empower Semiconductor的成立是為了解決數據密集型應用的電源交付中的基本問題。傳統(tǒng)電源解決方案需要數十個分立元件，這些元件具有較大的占位面積，復雜的設計，并且在響應時間短且不準確的情況下無法有效地提供電源。

Empower的獲得專利的IVR技術將多個組件集成到單個IC中，從而提高了效率，占地面積減小了10倍，并以前所未有的簡單性，速度和準確性以及零分立組件提供了強大的電源。這項IVR技術可為$10B商機提供廣泛的應用，包括移動，5G，AI和數據中心。該公司總部位于加利福尼亞州米爾皮塔斯（San Jose），由一支經驗豐富的電源專家和高管團隊領導。