前言
紅魔作為努比亞旗下的潮酷電競品牌，一直秉持著前衛極簡、硬核美學的理念，其推出的氘鋒系列充電器更是將這種理念發揮到了極致。后期型號中紅魔氘鋒系列充電器憑借氘鋒透明設計語言，在極客玩家內具有極高的辨識度，成為了部分數碼愛好者的首選。
紅魔氘鋒品牌口碑的塑造并非僅依賴于其外觀設計，其實際日常性能表現同樣優異。接下來，充電頭網將帶您深入探究紅魔氘鋒系列充電器的功率器件，剖析其用料選型。
紅魔氘鋒系列充電器內置功率器件
氘鋒系列充電器內置的功率器件部分參數如上表所示，詳細規格請查閱下文。
紅魔35W氘鋒能量塊mini
紅魔35W氘鋒能量塊mini不僅外觀精美，而且在自研氮化鎵方案加持下，體積縮小42%，效率高達96%，更高效率帶來的是充電溫度直降6℃的優秀表現。此外產品還支持AI溫控+九重防護，充電更安全。
內置功率器件
AGMSEMI芯控源AGM1010
同步整流管來自AGMSEMI芯控源，型號AGM1010，耐壓100V，采用DFN5*6封裝。
Vergiga威兆VS3618BE
VBUS開關管來自威兆半導體，型號VS3618BE，NMOS，耐壓30V，導阻為5.2mΩ，采用PDFN3333封裝。
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內置功率器件
Innoscience英諾賽科INN650D02
初級側氮化鎵開關管來自英諾賽科，型號是INN650D02 ，耐壓650V，導阻低至0.2Ω，符合JEDEC標準的工業應用要求，這是整個產品的核心元器件。INN650D02 “InnoGaN”開關管高頻特性好，且導通電阻小，適合高頻高效的開關電源應用，采用DFN8*8封裝，具備超低熱阻，散熱性能好，適合高功率密度的開關電源應用。
Vergiga威兆VSP004N10MS
威兆次級同步整流MOS，VSP004N10MS，耐壓100V，導阻典型值3.8mΩ，采用PDFN5*6封裝。旁邊是一顆并聯的肖特基二極管，用于提升輕載效率。
Vergiga威兆VS3618AE
輸出VBUS開關采用威兆VS3618AE，NMOS，耐壓30V，導阻6mΩ，采用PDFN3333封裝。
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紅魔45W氘鋒能量塊mini
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內置功率器件
Vergiga威兆VS3618AE
VBUS開關管采用威兆半導體VS3618AE，這是一款耐壓30V的NMOS，導阻6.4mΩ，采用PDFN3333封裝。
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內置功率器件
Si-Power硅動力SP240N70TT1
初級開關管采用硅動力SP240N70TT1，這是一款耐壓700V的氮化鎵功率開關管，導阻240mΩ，采用TO252-2L封裝。
Si-Power硅動力SP05N10SRL
同步整流管采用硅動力SP05N10SRL，NMOS管，耐壓100V，導阻5mΩ，采用PDFN5*6封裝。
Vergiga威兆VS4620GEMC
4顆同步降壓開關管也都是采用威兆VS4620GEMC，NMOS，耐壓40V，導阻6.4mΩ，采用PDFN3333封裝。
Tangchip芯唐微XTMT03N70L1
兩個接口的VBUS開關管都是采用Tangchip芯唐微XTMT03N70L1，NMOS管，耐壓30V，導阻4.8mΩ，采用PDFN3.3*3.3封裝。
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內置功率器件
Vergiga威兆VS3610AE
輸出VBUS開關管來自威兆半導體，型號VS3610AE，是一顆耐壓30V的NMOS，導阻為4mΩ，支持5V邏輯電壓控制，采用PDFN3333封裝。
絲印R03N041AP MOS管
五顆R03N041AP MOS管。
絲印CWT3125AP MOS管
輸出VBUS開關管絲印CWT3125AP，雙NMOS管。
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內置功率器件
Navitas納微NV6115
與控制器搭配的氮化鎵功率開關管是納微的NV6115，其內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路，170mΩ導通電阻，耐壓650V，支持2MHz開關頻率，采用5*6mm QFN封裝，節省面積，得益于NV6115內置驅動器，無需外置驅動器，更加節省PCB空間。
CRMICRO華潤微SM080N10L2
同步整流控制器控制同步整流管進行整流得到所需的低壓直流電，同步整流管采用華潤微SM080N10L2，NMOS，耐壓100V，DFN5x6封裝。
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內置功率器件
Navitas納微NV6115
初級側氮化鎵功率芯片采用納微NV6115，這是充電器的核心元器件。NV6115內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路，170mΩ導阻，耐壓650V，支持2MHz開關頻率，采用5*6mm QFN封裝，節省面積，得益于NV6115內置驅動器，無需外置驅動器，更加節省PCB空間。
Vergiga威兆VSP008N10MSC
次級同步整流MOS采用威兆半導體VSP008N10MSC，NMOS，耐壓100V，導阻6mΩ，PDFN5X6封裝。
Vergiga威兆VS4610AE
四款MOS來自威兆半導體，型號為VS4610AE，NMOS，耐壓40V，導阻6.8mΩ，用于為USB-C1口輸出同步整流降壓。
Vergiga威兆VS3622DE
USB-C2和USB-A接口輸出VBUS開關管采用威兆VS3622DE，雙NMOS，耐壓30V，導阻10 m?，采用PDFN3333封裝。
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內置功率器件
Innoscience英諾賽科INN650D260A
PFC升壓開關管采用英諾賽科INN650D260A氮化鎵功率器件，額定耐壓為650V，峰值耐壓750V，導阻260mΩ，符合JEDEC標準的工業應用要求，支持ESD保護，支持開爾文源極。最高工作溫度150℃。
Innoscience英諾賽科INN650D150A
與控制器搭配的氮化鎵功率開關管是英諾賽科INN650D150A，這是一顆耐壓650V的氮化鎵高壓單管，瞬態耐壓750V，導阻150mΩ，采用DFN8*8封裝。
PANJIT強茂MURC5J
PFC升壓整流管來自PANJIT強茂，型號MURC5J，是一顆5A，耐壓600V的超快恢復二極管。
絲印GN5M二極管
PFC旁路二極管，用于在接入電源時為濾波電容充電，保護PFC電路。
AOS萬國MP6908A
同步整流管使用兩顆MOS并聯。同步整流管來自AOS萬代，型號為AONS62922，耐壓120V，導阻5.8mΩ，采用DFN5*6封裝。
NCE新潔能NCEP40T11G
兩顆同步降壓開關管采用新潔能NCEP40T11G，NMOS，耐壓40V，導阻2.4mΩ，采用DFN5*6封裝，兩顆組成半橋。
AGMSEMI芯控源AGM303AP
一顆芯控源AGM303AP，耐壓30V，導阻2.8mΩ，封裝PDFN3.3*3.3。
AGMSEMI芯控源AGM405AP1
二顆芯控源AGM405AP1，NMOS，耐壓40V，導阻5.7mΩ，使用PRPAK3.3*3.3封裝。
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內置功率器件
Innoscience英諾賽科INN650D150A
PFC升壓開關管來自英諾賽科，型號為INN650D150A，是一顆耐壓650V的氮化鎵高壓單管，瞬態耐壓750V，導阻150mΩ，采用DFN8*8封裝。INN650D150A支持超高開關頻率，無反向恢復電荷，具有極低的柵極電荷和輸出電荷，符合JEDEC標準的工業應用要求，內置ESD保護，符合RoHS、無鉛、歐盟REACH法規。
PANJIT強茂MURC5J
PFC升壓整流管來自PANJIT強茂，型號MURC5J，是一顆5A，耐壓600V的超快恢復二極管。
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絲印GN6M二極管
絲印GN6M的PFC旁路二極管，用于在接入電源時為濾波電容充電。
AGMSEMi芯控源AGM405AP1
同步降壓開關管以及一顆VBUS開關管來自AGMSEMi芯控源，型號AGM405AP1，是一顆耐壓40V的NMOS，導阻5.7mΩ，采用DFN3.3*3.3封裝。
Ruichips銳駿RU3040
另外兩顆輸出VBUS開關管都是采用銳駿RU3040，NMOS，耐壓30V。
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PY平偉MUR860G
PFC整流管來自PY平偉，型號MUR860G，規格為600V 8A，采用TO252封裝。
CRMICRO華潤微CRSM062N10N
同步整流管來自華潤微，型號CRSM062N10N，NMOS，耐壓100V，導阻為5.7mΩ，采用DFN5*6封裝。
Huayi華羿微HYG017N04
六顆MOS管來自華羿微，型號HYG017N04，NMOS，耐壓40V，導阻1.6mΩ，采用PDFN5*6-8L封裝。
Vergiga威兆VSE014P04MS
三顆輸出VBUS開關管來自威兆半導體，型號VSE014P04MS，是一顆耐壓40V的PMOS，導阻為9.5mΩ，采用PDFN3333封裝。共使用三顆對應三路輸出。
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充電頭網總結
通過上述這些功率器件，紅魔氘鋒系列充電器實現了高功率密度、高效率和高功率輸出等諸多亮點，正因如此，它在極客玩家里備受追捧。同時，這些技術優勢也讓它成為許多用戶在選擇高性能便攜充電器時的不二之選。希望本篇文章能夠為您提供一定參考價值，幫助您深入了解這些功率器件的各自優勢，從而幫你在選型時做出更優質的決策。
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