前言
氮化鎵功率器件自從誕生便在功率轉換效率方面較硅基器件有顯著提升，但在實際應用中仍存在一些局限。但是，氮化鎵單管的使用往往需要復雜的外圍電路設計來實現(xiàn)驅(qū)動、控制和保護功能，這增加了設計的復雜性和成本。
集成氮化鎵功率芯片的出現(xiàn)，一定程度上改變了這一局面。它將氮化鎵功率器件及其驅(qū)動、控制電路集成在一個芯片或封裝中，實現(xiàn)了系統(tǒng)級的優(yōu)化。與氮化鎵單管相比，集成化的設計大幅簡化了電路，減少了外圍元件的數(shù)量和布線復雜度，降低了電磁干擾和寄生參數(shù)的影響，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。同時，集成功率芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的熱管理，通過優(yōu)化的封裝結構和散熱設計，更有效地散發(fā)器件工作時產(chǎn)生的熱量，提升了高功率密度下的性能表現(xiàn)和壽命。
而納微作為專注第三代寬禁帶半導體的廠商，針對高功率密度應用推出搭載了GaNSense技術的GaNFast氮化鎵功率芯片NV6136A，現(xiàn)如今屢獲安克、貝爾金、惠普、小米等一眾廠商青睞，下文充電頭網(wǎng)將為您詳細介紹。
納微NV6136A
納微GaNSense氮化鎵功率芯片NV6136A，一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136A內(nèi)置170mΩ導通電阻，耐壓700V的氮化鎵開關管，支持2MHz開關頻率，采用6*8mm QFN封裝，節(jié)省面積。
納微NV6136A氮化鎵功率芯片集成了GaNSense技術，該技術可對電壓、電流和溫度進行實時、精準的感應，從而進一步提升性能和可靠性。內(nèi)置的無損耗電流感應，可消除外部電流感應電阻器，提高了系統(tǒng)效率。此外，GaNSense還具備短路和過溫保護功能，增強了系統(tǒng)穩(wěn)定性，而自動待機模式則提升了輕載、小負載及無負載時的效率。該器件適合AC-DC/DC-DC/DC-AC電路、QR、ACF、Buck、Boost、半橋、全橋、 LLC、D類放大、PFC電路以及無線充電、太陽能微型逆變器和LED 照明、電視電源、服務器、電信設備等場景應用。
納微NV6136A應用案例
ACEFAST積速65W 2C1A氮化鎵充電器A46
積速65W氮化鎵充電器延續(xù)透明硬核風格設計，可觀察內(nèi)部芯片等器件，給人不一樣的視覺體驗。配備主流2C1A三個USB接口，兼容QC、PD、PPS、SCP等豐富快充協(xié)議，最大功率65W。雙口同時使用可滿足筆電和手機同時快充，也能同時給三設備充電，充電不等待。
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充電頭網(wǎng)總結
納微NV6136A氮化鎵功率芯片憑借其高集成化設計、更優(yōu)性能以及廣泛的應用適配性，為各大品牌提供小型化、高性能且穩(wěn)定的解決方案。且隨著市場需求的持續(xù)增長，納微的氮化鎵功率芯片還將持續(xù)在更多領域?qū)崿F(xiàn)突破，為高功率密度應用場景帶來更高效、更可靠的電源轉換方案。
納微是一家在專注第三代寬禁帶半導體領域的廠商，經(jīng)過多年的發(fā)展，旗下產(chǎn)品線非常豐富。現(xiàn)已擁有GaNFast/GaNSense氮化鎵功率芯片、GaNSense半橋氮化鎵功率芯片、GaNSense Control合封芯片、大功率GaNSafe氮化鎵功率芯片、GaNSlim氮化鎵功率芯片、SIC場效應管和二極管等多條產(chǎn)品線。納微旗下產(chǎn)品具備開發(fā)簡單，穩(wěn)定可靠，性能卓越等領先特性，廣泛適用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療、工控、通信、新能源汽車、太陽能儲能等多領域。
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