前言

英特爾提出的DrMOS技術一改傳統供電設計。傳統設計中，上下行MOSFET和驅動IC獨立放置，占用空間大且寄生參數影響轉換效率，對高功率需求的CPU和GPU影響明顯。而DrMOS將驅動器和MOS集成一體，減小寄生參數影響，占板面積僅為傳統設計的四分之一，提升轉換效率和功率密度。如今，該技術廣泛應用于PC主板、服務器主板、筆記本電腦和顯卡等領域，以高度集成特性，為高功率供電應用提供高效、穩定的解決方案，推動消費級、數據中心等場景設備向高性能、小型化和節能化方向發展。

基于上一篇文章，本次迭代新增多款DrMOS，下文將詳細為您介紹這些DrMOS的詳細參數。

ADI亞德諾

LTC7051

LTC7051是一顆采用LQFN 5×8mm的DrMOS，支持140A峰值輸出電流，采用低EMI/EMC Silent Switcher2架構，低SW電壓過沖，頻率高達2MHz，VIN高達14V，1MHz時效率高 94%，并具有1.8VOUT，芯片內集成升壓二極管和電容器以及電源開關。

AOS萬國半導體

AOZ52177QI

AOZ52177QI是一款通用型智能功率級，支持70A持續輸出電流，包含兩個非對稱的MOSFET和一個集成驅動器，適用于高電流、高頻率的DC-DC轉換器。AOZ52177QI提供輸出電流信號 (IMON)，能以5mV/A的增益實時報告模塊電流。IMON 信號可直接用于多相電壓調節系統中，替代電感 DCR 檢測或電阻檢測，無需溫度補償。

此外，AOZ52177QI還配備精準的模塊溫度監測功能 (TMON)，TMON 是一種電壓源信號，增益為8mV/°C。其MOSFET經過單獨優化，適用于同步降壓配置。高端 MOSFET 旨在實現低電容和低柵極電荷，以快速切換并支持低占空比操作；低端 MOSFET 具有超低導通電阻，可最大限度地降低傳導損耗。標準的QFN封裝經優化設計，可最小化寄生電感，從而實現最小的電磁干擾 (EMI) 簽名。

AOZ53071QI

AOZ53071QI是一款高效同步降壓功率級模塊，支持80A持續輸出，包含兩個不對稱的 MOSFET和一個集成驅動器。這兩個 MOSFET 分別針對同步降壓配置進行了優化。高壓側 MOSFET經優化后具有低電容和低柵極電荷，可實現快速開關和低占空比操作。低壓側 MOSFET具有超低導通電阻，可最小化傳導損耗。

AOZ53071QI采用 PWM 輸入來精確控制功率 MOSFET，與3V和5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態 PWM。該器件具有多種特性，使其成為一個高度通用的功率模塊。其驅動器中集成了自舉開關。低壓側MOSFET可以被驅動到二極管仿真模式，以提供異步操作并改善輕載性能。其引腳布局也針對低寄生參數進行了優化，將寄生參數的影響降至最低。

AOZ5507QI

AOZ5507QI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持30A電流持續輸出，它由兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅動器組成。這些MOSFET分別針對同步降壓配置進行了優化。高邊MOSFET經過優化，能夠實現低電容和低柵極電荷，從而在低占空比操作下實現快速開關。低邊MOSFET具有超低導通電阻，以盡量減少導通損耗。

AOZ5507QI使用PWM輸入來精確控制功率MOSFET的開關活動，與5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態PWM。AOZ5507QI提供了多種功能，使其成為一個高度通用的功率模塊。驅動器中集成了自舉開關。低邊MOSFET可以被驅動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。此外，引腳布局也針對低寄生效應進行了優化，將這些效應降至最低。

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AOZ5517MQI

AOZ5517MQI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持60A持續輸出，包含兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅動器。這些MOSFET針對同步降壓配置進行了單獨優化。高壓側MOSFET經過優化，可實現低電容和低柵極電荷，以實現快速切換和低占空比操作。低壓側MOSFET具有超低導通電阻，可最小化傳導損耗。緊湊的QFN封裝可最小化寄生電感，從而實現極低的電磁干擾(EMI)特性。

AOZ5517MQI支持PWM和/或FCCM輸入，可實現對功率MOSFET切換活動的精確控制，與5V CMOS邏輯兼容，并支持三態PWM。AOZ5517MQI驅動器中集成了自舉二極管。低壓側MOSFET可以被驅動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。引腳布局也針對低寄生參數進行了優化，將其影響降至最低。

AOZ5653BQI

AOZ5653BQI是一款高效率同步降壓功率級模塊，支持40A電流持續輸出，由兩個不對稱MOSFET和一個集成驅動器組成。MOSFET經過單獨優化，適用于同步降壓配置。高側MOSFET優化為低電容和柵極電荷，以實現低占空比操作下的快速開關。低側MOSFET 具有超低導通電阻，以將傳導損耗降至最低。緊湊的QFN可最大限度地減少寄生電感，從而將EMI特征降至最低。可直接替代TDA21240。

AOZ5653BQI采用PWM來精確控制MOSFET的開關，與3.3V邏輯兼容，提供了多項功能，使其成為一款高度通用的電源模塊。驅動器中集成了自舉開關。引腳排列也經過優化，以降低寄生效應，將其影響降至最低。

BPS晶豐明源

BPD80350E

晶豐明源推出BPD80350E是一顆16V/50A智能功率級DrMOS，基于過零電流檢測（ZCD）控制與先進封裝技術，實現高頻高效能電源管理。該器件支持NVIDIA OpenVReg16標準，可靈活配置16相雙軌多相控制器，兼容PWMVID/PMBUS/AVSBUS協議，并通過NVM存儲實現多模式參數預設。內置智能保護機制包含周期性過流檢測、MOSFET短路保護及過溫關斷功能，同時提供引腳可編程過流閾值與故障指示輸出，強化系統可靠性。

該芯片采用TLGA 5×5緊湊封裝，適配空間受限的高密度電源場景（如AI加速卡、GPU供電模塊），功率密度較傳統方案提升30%以上。其高頻開關特性結合多相動態分配算法，可有效降低紋波噪聲，滿足高性能計算設備對瞬態響應與能效的嚴苛需求，為智能電源系統提供高集成度、強魯棒性的硬件解決方案。

BPD80690

晶豐明源DrMOS BPD80690，廣泛適用于4.5V-16V輸入電壓范圍，90A DC電流，工作頻率可高達1.5MHz。滿足高瓦數、高效能和高功率密度芯片供電需求，實現高頻小型化供電方案，在熱性能和EMI性能上表現優異。同時BPD80690集成溫度檢測功能，電流檢測功能及多種保護功能，包括過流、過溫保護等功能。同時，BPD80690提供TLGA 5×6mm封裝，適用于高頻、大電流、小形態DC/DC轉換器、用于CPU、GPU和存儲陣列的多相電壓調節器等多種高頻、高功率密度的供電場景需求。

Infineon英飛凌

TDA22590

TDA22590是一顆集成功率級芯片，內置一個低靜態電流同步降壓柵極驅動IC，該IC與控制器和MOSFET一起嵌入到PG-UFLGA-34-1的封裝中。內置成對的柵極驅動器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實現更高的效率，滿足高端CPU、GPU和DDR存儲器的供電要求，最高可輸出90A電流。

TDA21590

TDA21590集成功率級芯片包含一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，該IC與控制電路和MOSFET以及有源二極管結構共同封裝于PQFN 5×6的單顆芯片，反向恢復電荷極低。該封裝針對PCB布局、散熱、驅動器/MOSFET 控制時序進行了優化，在遵循布局準則的情況下，開關節點振鈴更小。成對的柵極驅動器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實現更高的效率，滿足 CPU、GPU和DDR存儲器設計的要求，最高可輸出90A電流。

TDA21570

英飛凌TDA21570是一顆70A的集成功率級內置一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，并結合了控制電路、MOSFET以及有源二極管結構，可實現類似肖特基二極管的低VSD，且反向恢復電荷極低。該封裝針對PCB 布局、傳熱、驅動器/MOSFET控制時序進行了優化，在遵循布局準則的情況下，開關節點振鈴最小。成對的柵極驅動器和MOSFET組合可在較低的輸出電壓下實現更高的效率，滿足CPU、GPU和DDR存儲器設計的需求。

TDA21535

TDA21535集成功率級包含一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，該IC與高壓側和低壓側 MOSFET以及有源二極管結構共同集成在PQFN 4×5封裝內，可實現類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復電荷極低。該芯片與英飛凌多相控制器IC配合使用時，可構成一個完整的低電壓、高功率DC/DC穩壓器，最高可輸出35A電流，適合CPU、GPU、服務器、DDR內存等多種場景應用。

TDA21520

TDA21520集成功率級芯片包含一個低靜態電流同步降壓柵極驅動器IC，該IC與高壓側和低壓側 MOSFET 以及有源二極管結構共同封裝，可實現類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復電荷極低。TDA21520 功率級與英飛凌多相控制器 IC 配合使用時，可構成一個完整的低電壓、高功率DC/DC穩壓器，最高可輸出20A電流。該芯片可在CPU、GPU穩壓供電、DDR內存供電、通信等諸多領域應用。

JOULWATT杰華特

JWH7030

杰華特JWH7030是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，芯片可以提供30A的輸出電流，將驅動器和MOS管集成能夠優化死區時間和降低集成電感，支持100KHz-1.5MHz開關頻率。芯片支持三態PWM信號，內部集成電流采樣輸出VCC欠壓保護，逐周期過流保護和過熱保護，并具備失效指示，采用QFN3*5-21封裝。

JWH7067

杰華特JWH7067是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，支持3-16V輸入電壓，具備70A輸出電流能力。將驅動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內存設計。芯片支持100KHz-1.5MHz開關頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態PWM信號，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7069

杰華特JWH7069是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內存設計。芯片支持300KHz-1.5MHz開關頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態PWM信號，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7079

杰華特JWH7079是一顆集成功率級芯片，內部集成兩個NMOS和半橋柵極驅動器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內存設計。芯片支持300KHz-3MHz開關頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態PWM信號，具備失效指示，采用TLGA4*6封裝。

MERAKI茂睿芯

MK6840

茂睿芯MK6840是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅動芯片，采用業界標準的4mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6840專為AI服務器、數據中心及高性能計算設備設計，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統性能并降低能耗，其設計完全兼容主流多相控制器。

MK6850

茂睿芯MK6850芯片集成了兩顆的SGT MOSFET和驅動芯片，采用業界標準的5mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。經過嚴格測試，MK6850展現出高可靠性、高效率和高精度IMON上報等優勢，在典型工況下實現了94.7%的峰值效率，并確保產品在高負載條件下的穩定性。

MK6850專為AI服務器、數據中心及高性能計算機設計，支持90A電流輸出，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統性能并降低能耗。其設計完全兼容主流多相控制器，已通過多平臺驗證，表現優異。

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MK6851

茂睿芯MK6851是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅動芯片，采用業界標準的5×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6851專為AI服務器、數據中心及高性能計算設備設計，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統性能并降低能耗，其設計完全兼容主流多相控制器。

MPS芯源半導體

MP86905

MP86905 是一款集成內部功率MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋芯片。MP86905在寬輸入范圍內可實現50A連續輸出電流。

MP86905是一種單片IC，每相可驅動高達 50A 的電流。該器件將驅動和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了芯片的效率。MP86905 的工作頻率范圍為 100kHz 至 2MHz。該芯片提供許多功能以簡化系統設計。MP86905 配合帶三態 PWM 信號的控制器使用，并具有精確的電流采樣功能以監控電感電流以及溫度采樣功能以報告結溫。MP86905 是高效小尺寸服務器應用的理想之選。MP86905 采用小型FC-QFN（4mmx4mm）封裝。

MP86912C

MP86912C是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器，在寬輸入電壓（VIN）范圍內可實現25A的連續輸出電流 (IOUT)。該器件集成了驅動器和MOSFET，優化了死區時間并減少了寄生電感，從而實現了高效率。其工作頻率范圍為100kHz 至 2MHz。

該器件可與三態輸出控制器配合使用，并提供通用電流采樣和溫度采樣。它是注重效率與小尺寸的筆記本電腦應用理想之選,MP86912C采用 LGA (3mmx4mm) 封裝。

MP86920

MP86920是一款集成內部功率MOSFET和柵極驅動器的單片半橋驅動器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達20A的連續輸出電流 (IOUT)。

其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。它可以與具有三態輸出的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 2MHz。另外，該器件還提供通用的電流采樣和溫度采樣功能。MP86920適用于注重高效率與小尺寸的服務器和電信應用。MP86920 采用 LGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86933

MP86933是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器。MP86933 在寬輸入電壓范圍內可實現12A連續輸出電流，工作頻率為100kHz~2MHz。

該器件將驅動器和MOSFET集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了其效率。MP86933 與三態輸出控制器配合使用，并具有通用電流采樣和溫度檢測功能。MP86933 是高效率小尺寸服務器和電信應用的理想之選。MP86933 采用小尺寸 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封裝。

MP86934

MP86934 是一款集成內部功率 MOSFETs 和柵極驅動的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內可實現25A的連續輸出電流。MP86934 將驅動和MOSFETS集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了芯片的效率。

這款超小型 3mm x 4mm FC-TQFN 芯片的工作頻率為100kHz - 2MHz。MP86934 配合三態（高阻態）輸出控制器使用。同時還具有通用電流采樣和溫度檢測功能，是高效小尺寸服務器和電信應用的理想之選。

MP86935-A

MP86935-A是一款內部集成功率MOSFET和柵極驅動器的單片半橋驅動器。該器件在寬輸入電源范圍內可實現高達60A的連續輸出電流 (IOUT)。MP86935-A 可驅動每相高達 60A 的電流。其集成驅動器和MOSFET通過優化死區時間 (DT) 并降低寄生電感實現高效率。其工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86935-A具備多項可簡化系統設計的功能，而且可與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣以監測電感電流 (IL)，同時提供溫度采樣以報告結溫 (TJ)。MP86935-A是注重效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86936

MP86936是一款集成內部功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋Intelli-Phase™解決方案。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 60A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅動每相高達 60A的電流。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。它可以與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86936具備多種可簡化系統設計的功能，包括提供精確的電流采樣(Accu-Sense™)和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86936采用TQFN-23 (3mmx6mm)封裝。

MP86945A

MP86945A 是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋芯片。MP86945A 在寬輸入范圍內可實現60A連續輸出電流MP86945A 是一款單片 IC，每相驅動電流高達60A。該芯片將驅動和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產生，同時實現了最優的死區時間，大大提高了芯片的效率。MP86945A 的工作頻率為 100kHz 至 2MHz。MP86945A 提供了許多功能以簡化系統設計。

MP86945A 配合帶三態 PWM 信號的控制器使用，并集成了精確的電流采樣功能來監控電感電流以及溫度采樣功能來報告結溫。MP86945A 是高效小尺寸服務器應用的理想之選。

MP86950

MP86950是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋。它可以在 4.5V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 50A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅動電流高達 50A。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為 100kHz~2MHz。

MP86950提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣（Accu-Sense™）和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86950 采用小尺寸 TLGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86952

MP86952是一款耐輻射的單片半橋 IC，具有內部功率 MOSFET 和柵極驅動器。它可以在 3V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 70A 的連續輸出電流 (IOUT)。Intelli-PhaseTM 解決方案可實現高達 70A的每相驅動電流。其集成 MOSFET 和驅動器通過優化死區時間 (DT) 和降低寄生電感來提供高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86952 提供多項功能來簡化系統設計，同時兼容三態脈寬調制 (PWM) 信號控制器。它具備精確的電流采樣 (Accu-SenseTM)和溫度采樣功能，可以監測電感電流 (IL)并報告結溫 (TJ)。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86952 采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86956

MP86956是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋芯片。它在寬輸入電壓范圍內可實現 70A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件為單片 IC ，每相驅動電流高達 70A。其驅動器和 MOSFET的集成優化了死區時間，并減少了寄生電感，從而實現了高效率。MP86956 的工作頻率范圍為 100kHz 至 3MHz。

該器件具有多種可簡化系統設計的功能。它可接收控制器的三態脈寬調制（PWM ）信號，同時具備精確的電流采樣和溫度采樣功能，以分別實現電感電流的檢測并報告結溫。MP86956是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 和 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86957

MP86957 是一款集成內部功率 MOSFET 和柵極驅動的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內可實現70A的連續電流輸出。MP86957是一款單片 IC ，每相驅動電流可達70A 。將驅動和 MOSFET 集成在一起，可以通過優化死區時間和減少寄生電感來實現高效率。這款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作頻率為100kHz - 3MHz。

MP86957 具有多種功能，可以簡化系統設計。MP86957通過接收控制器的三態 PWM 信號來實現功率變換。它還提供 Accu-SenseTM電流采樣和溫度采樣，分別用于監測電感電流和報告結溫。MP86957 是高效率小尺寸服務器應用的理想之選。

MP86965

MP86965 是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器，在寬輸入電源范圍內可實現 60A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片 IC 方法，每相可驅動高達 60A 的電流。集成驅動器和 MOSFET優化了死區時間并減少了寄生電感，從而實現了高效率。MP86965 的工作頻率范圍為100kHz~2MHz。

MP86965 提供多種功能以簡化系統設計。它可以與具有三態 PWM 信號的控制器配合使用，提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。 MP86965是注重效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 TLGA-31 (4mmx5mm) 封裝。

MP86972

MP86972 是一款內置功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器。它可在3V~12V的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達 60A 的連續輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅動電流高達 60A。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86972 提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86972 采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86992

MP86992 是一款內部集成功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋驅動器。該器件在寬輸入電源范圍內可實現高達 50A 的連續輸出電流 (IOUT)。MP86992 采用單片 IC 方法，可驅動每相高達 50A 的電流。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間 (DT) 并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86992 提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流 (IL) 并報告結溫 (TJ)。MP86992 是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87993

充電頭網了解到，MPS也推出一款MP87993 DrMOS芯片，可搭配MP2988控制器應用，但其他資料不詳。

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MP86998

MP86998是一款集成內部功率MOSFET和柵極驅動器的單片半橋驅動器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內實現高達80A的連續輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅動每相高達 50A的電流。其集成驅動器和 MOSFET 通過優化死區時間并降低寄生電感實現高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86998提供多種可簡化系統設計的功能，并能與具有三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監測電感電流并報告結溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86998 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87190

MP87190 是一款內部集成功率 MOSFET 和柵極驅動器的單片半橋。它可在寬輸入電源電壓 (VIN) 范圍內實現高達 90A 的連續輸出電流 (IOUT)。MP87190 的Quiet SwitcherTM 技術 (QST) 采用只能在單片架構中實現的電路設計，以提供電壓振鈴抑制功能。該技術可以將峰值開關電壓限制在 VIN 與 2V 之間，從而提高設備的可靠性、降低 EMI 并減少對 PCB 布局的敏感性。

MP87190 提供多種可簡化系統設計的功能，并能與三態脈寬調制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外該器件還提供 Accu-SenseTM 電流采樣和溫度采樣功能，以分別監測電感電流 (IL) 并報告結溫 (TJ)。MP87190 是注重高效率與小尺寸的服務器和電信應用理想之選。MP87190 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

ONSEMI安森美

FDMF6823C

XS DrMOS系列是飛兆新一代經全面優化的超緊湊型集成式MOSFET加驅動器功率級解決方案，最高可輸出50A電流，適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應用。 FDMF6823C將驅動器IC、兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強的、超小型PQFN-40封裝中。

通過集成方法，可實現完整開關功率級的驅動器、MOSFET動態性能、系統電感和功率MOSFET RDS(ON)優化。 XS™ DrMOS采用飛兆半導體公司的高性能PowerTrench® MOSFET技術，顯著減少開關振鈴，省去大多數降壓轉換器應用中使用的緩沖器電路。

Primechip元芯

YX47590

YX47590是一款集成了Si FET的高性能半橋柵極智能功率級。它集成了30V的柵極智能功率級和自舉二極管，并支持三重柵極 PWM 輸入。其超短的傳播延遲和快速的上升和下降時間。

YX47590具有輸出電流和溫度感應功能，并向控制器報告。內置欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護（OTP）、高壓側 MOSFET 短路保護（HSS）和過流保護（OCP）有助于確保器件安全可靠地運行。其優化設計確保了從智能功率級到功率晶體管的最低傳播延遲，使其成為高頻應用的理想選擇。智能功率級信號輸入與常用的三態PWM兼容，提供靈活的功率級控制。死區時間可通過外部電阻器進行調整，以獲得更好的效率或系統可靠性。

Renesas瑞薩

ISL99380

瑞薩ISL99380是一顆80A輸出的功率級模組，芯片內部集成高精度電流檢測和溫度檢測。內置完善的保護功能，包括上管短路和過電流保護，智能反向過電流保護，過熱保護和供電欠壓閉鎖，采用QFN5*6封裝，適用于CPU、GPU以及ASIC供電。

該系列DrMOS與瑞薩數字 PWM 控制器結合使用時，可實現精確的系統級電源管理，并為基于負載線的穩壓器提供同類最佳的瞬態響應。這些器件省去了典型的DCR檢測網絡和相關熱補償元件，從而簡化設計。同時該芯片還通過集成故障保護功能（包括 HFET 過流、HFET 短路、智能反向過流 (SROCP)、過溫 (OTP) 和 VCC 欠壓鎖定 (UVLO)）提高了系統性能和可靠性。

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uPI力智

uP9642B

uP9642B是一種智能功率級（SPS）解決方案，它集成了經過全面優化的驅動器和 MOSFET，適用于高電流、高頻率的同步降壓型 DC-DC 轉換器。這種 SPS 能夠滿足先進 CPU、GPU 以及 DDR 內存設計所需的低輸出電壓和高性能要求。

uP9642B 還支持高級別的高精度模塊溫度報告功能以及芯片上同步 MOSFET 電流監測功能。其保護功能包括逐周期過流保護、相位故障檢測、初步過電壓保護、VCC/VDRV 欠壓鎖定（UVLO）保護以及過熱關斷保護。uP9642B專為CPU核心電源傳輸進行了優化。該器件與多相降壓型 PWM 控制器配合使用，可構成處理器的完整核心電壓調節器。

uP9646

uP9646是一款集成功率級模塊，用于臺式機和筆記本電腦應用中的多相同步降壓 DC-DC 轉換器。該器件可為CPU、GPU和DDR內存電源提供高達50A的輸出電流并保證高轉換效率。

該部件具有英特爾 PS4模式支持、熱警告、過流保護和零電流檢測功能。系統使用熱預警輸出來確保安全運行。該器件的過流保護功能進一步增強了對轉換器的保護。零電流檢測功能提供了更大的應用靈活性。uP9646 還提供全面的保護功能，包括 VCC/VDRV 的欠壓鎖定和過溫保護。uP9646 采用緊湊的WQFN 5×5-31L 封裝。目前，該器件已獲部分型號英偉達RTX5060顯卡采用。

Vishay威世

SiC654

威世SiC654是一款高頻集成功率級芯片，針對同步降壓應用進行了優化，可提供高電流、高效率和高功率密度。該芯片采用威世專有的MLP 5×5封裝，能夠提供高達50A的連續電流輸出。

SiC654內部MOSFET采用了威世最新的TrenchFET技術，能夠顯著降低開關損耗和導通損耗。該芯片還內置了一個MOSFET柵極驅動集成電路，具有高電流驅動能力、自適應死區時間控制、集成自舉開關以及開發者可選擇的零電流檢測功能，以提高輕載效率。該驅動器還廣泛兼容市面PWM控制器，支持三態PWM，并且支持5伏/3.3伏PWM邏輯。此外，該設備還支持PS4模式，以降低系統處于待機狀態時的功耗。同時，該芯片提供工作溫度監測、保護功能以及警告標志，以增強系統監測和可靠性。

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