前言

英特爾提出的DrMOS技術(shù)一改傳統(tǒng)供電設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中，上下行MOSFET和驅(qū)動(dòng)IC獨(dú)立放置，占用空間大且寄生參數(shù)影響轉(zhuǎn)換效率，對高功率需求的CPU和GPU影響明顯。而DrMOS將驅(qū)動(dòng)器和MOS集成一體，減小寄生參數(shù)影響，占板面積僅為傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的四分之一，提升轉(zhuǎn)換效率和功率密度。如今，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于PC主板、服務(wù)器主板、筆記本電腦和顯卡等領(lǐng)域，以高度集成特性，為高功率供電應(yīng)用提供高效、穩(wěn)定的解決方案，推動(dòng)消費(fèi)級(jí)、數(shù)據(jù)中心等場景設(shè)備向高性能、小型化和節(jié)能化方向發(fā)展。

基于上一篇文章，本次迭代新增多款DrMOS，下文將詳細(xì)為您介紹這些DrMOS的詳細(xì)參數(shù)。

ADI亞德諾

LTC7051

LTC7051是一顆采用LQFN 5×8mm的DrMOS，支持140A峰值輸出電流，采用低EMI/EMC Silent Switcher2架構(gòu)，低SW電壓過沖，頻率高達(dá)2MHz，VIN高達(dá)14V，1MHz時(shí)效率高 94%，并具有1.8VOUT，芯片內(nèi)集成升壓二極管和電容器以及電源開關(guān)。

AOS萬國半導(dǎo)體

AOZ52177QI

AOZ52177QI是一款通用型智能功率級(jí)，支持70A持續(xù)輸出電流，包含兩個(gè)非對稱的MOSFET和一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器，適用于高電流、高頻率的DC-DC轉(zhuǎn)換器。AOZ52177QI提供輸出電流信號(hào) (IMON)，能以5mV/A的增益實(shí)時(shí)報(bào)告模塊電流。IMON 信號(hào)可直接用于多相電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)中，替代電感 DCR 檢測或電阻檢測，無需溫度補(bǔ)償。

此外，AOZ52177QI還配備精準(zhǔn)的模塊溫度監(jiān)測功能 (TMON)，TMON 是一種電壓源信號(hào)，增益為8mV/°C。其MOSFET經(jīng)過單獨(dú)優(yōu)化，適用于同步降壓配置。高端 MOSFET 旨在實(shí)現(xiàn)低電容和低柵極電荷，以快速切換并支持低占空比操作；低端 MOSFET 具有超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。標(biāo)準(zhǔn)的QFN封裝經(jīng)優(yōu)化設(shè)計(jì)，可最小化寄生電感，從而實(shí)現(xiàn)最小的電磁干擾 (EMI) 簽名。

AOZ53071QI

AOZ53071QI是一款高效同步降壓功率級(jí)模塊，支持80A持續(xù)輸出，包含兩個(gè)不對稱的 MOSFET和一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器。這兩個(gè) MOSFET 分別針對同步降壓配置進(jìn)行了優(yōu)化。高壓側(cè) MOSFET經(jīng)優(yōu)化后具有低電容和低柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)和低占空比操作。低壓側(cè) MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻，可最小化傳導(dǎo)損耗。

AOZ53071QI采用 PWM 輸入來精確控制功率 MOSFET，與3V和5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態(tài) PWM。該器件具有多種特性，使其成為一個(gè)高度通用的功率模塊。其驅(qū)動(dòng)器中集成了自舉開關(guān)。低壓側(cè)MOSFET可以被驅(qū)動(dòng)到二極管仿真模式，以提供異步操作并改善輕載性能。其引腳布局也針對低寄生參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，將寄生參數(shù)的影響降至最低。

AOZ5507QI

AOZ5507QI是一款高效率的同步降壓功率級(jí)模塊，支持30A電流持續(xù)輸出，它由兩個(gè)不對稱的MOSFET和一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器組成。這些MOSFET分別針對同步降壓配置進(jìn)行了優(yōu)化。高邊MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)低電容和低柵極電荷，從而在低占空比操作下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。低邊MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻，以盡量減少導(dǎo)通損耗。

AOZ5507QI使用PWM輸入來精確控制功率MOSFET的開關(guān)活動(dòng)，與5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態(tài)PWM。AOZ5507QI提供了多種功能，使其成為一個(gè)高度通用的功率模塊。驅(qū)動(dòng)器中集成了自舉開關(guān)。低邊MOSFET可以被驅(qū)動(dòng)進(jìn)入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。此外，引腳布局也針對低寄生效應(yīng)進(jìn)行了優(yōu)化，將這些效應(yīng)降至最低。

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AOZ5517MQI

AOZ5517MQI是一款高效率的同步降壓功率級(jí)模塊，支持60A持續(xù)輸出，包含兩個(gè)不對稱的MOSFET和一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器。這些MOSFET針對同步降壓配置進(jìn)行了單獨(dú)優(yōu)化。高壓側(cè)MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)低電容和低柵極電荷，以實(shí)現(xiàn)快速切換和低占空比操作。低壓側(cè)MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻，可最小化傳導(dǎo)損耗。緊湊的QFN封裝可最小化寄生電感，從而實(shí)現(xiàn)極低的電磁干擾(EMI)特性。

AOZ5517MQI支持PWM和/或FCCM輸入，可實(shí)現(xiàn)對功率MOSFET切換活動(dòng)的精確控制，與5V CMOS邏輯兼容，并支持三態(tài)PWM。AOZ5517MQI驅(qū)動(dòng)器中集成了自舉二極管。低壓側(cè)MOSFET可以被驅(qū)動(dòng)進(jìn)入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。引腳布局也針對低寄生參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，將其影響降至最低。

AOZ5653BQI

AOZ5653BQI是一款高效率同步降壓功率級(jí)模塊，支持40A電流持續(xù)輸出，由兩個(gè)不對稱MOSFET和一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器組成。MOSFET經(jīng)過單獨(dú)優(yōu)化，適用于同步降壓配置。高側(cè)MOSFET優(yōu)化為低電容和柵極電荷，以實(shí)現(xiàn)低占空比操作下的快速開關(guān)。低側(cè)MOSFET 具有超低導(dǎo)通電阻，以將傳導(dǎo)損耗降至最低。緊湊的QFN可最大限度地減少寄生電感，從而將EMI特征降至最低。可直接替代TDA21240。

AOZ5653BQI采用PWM來精確控制MOSFET的開關(guān)，與3.3V邏輯兼容，提供了多項(xiàng)功能，使其成為一款高度通用的電源模塊。驅(qū)動(dòng)器中集成了自舉開關(guān)。引腳排列也經(jīng)過優(yōu)化，以降低寄生效應(yīng)，將其影響降至最低。

BPS晶豐明源

BPD80350E

晶豐明源推出BPD80350E是一顆16V/50A智能功率級(jí)DrMOS，基于過零電流檢測（ZCD）控制與先進(jìn)封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高頻高效能電源管理。該器件支持NVIDIA OpenVReg16標(biāo)準(zhǔn)，可靈活配置16相雙軌多相控制器，兼容PWMVID/PMBUS/AVSBUS協(xié)議，并通過NVM存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)多模式參數(shù)預(yù)設(shè)。內(nèi)置智能保護(hù)機(jī)制包含周期性過流檢測、MOSFET短路保護(hù)及過溫關(guān)斷功能，同時(shí)提供引腳可編程過流閾值與故障指示輸出，強(qiáng)化系統(tǒng)可靠性。

該芯片采用TLGA 5×5緊湊封裝，適配空間受限的高密度電源場景（如AI加速卡、GPU供電模塊），功率密度較傳統(tǒng)方案提升30%以上。其高頻開關(guān)特性結(jié)合多相動(dòng)態(tài)分配算法，可有效降低紋波噪聲，滿足高性能計(jì)算設(shè)備對瞬態(tài)響應(yīng)與能效的嚴(yán)苛需求，為智能電源系統(tǒng)提供高集成度、強(qiáng)魯棒性的硬件解決方案。

BPD80690

晶豐明源DrMOS BPD80690，廣泛適用于4.5V-16V輸入電壓范圍，90A DC電流，工作頻率可高達(dá)1.5MHz。滿足高瓦數(shù)、高效能和高功率密度芯片供電需求，實(shí)現(xiàn)高頻小型化供電方案，在熱性能和EMI性能上表現(xiàn)優(yōu)異。同時(shí)BPD80690集成溫度檢測功能，電流檢測功能及多種保護(hù)功能，包括過流、過溫保護(hù)等功能。同時(shí)，BPD80690提供TLGA 5×6mm封裝，適用于高頻、大電流、小形態(tài)DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于CPU、GPU和存儲(chǔ)陣列的多相電壓調(diào)節(jié)器等多種高頻、高功率密度的供電場景需求。

Infineon英飛凌

TDA22590

TDA22590是一顆集成功率級(jí)芯片，內(nèi)置一個(gè)低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)IC，該IC與控制器和MOSFET一起嵌入到PG-UFLGA-34-1的封裝中。內(nèi)置成對的柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實(shí)現(xiàn)更高的效率，滿足高端CPU、GPU和DDR存儲(chǔ)器的供電要求，最高可輸出90A電流。

TDA21590

TDA21590集成功率級(jí)芯片包含一個(gè)低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，該IC與控制電路和MOSFET以及有源二極管結(jié)構(gòu)共同封裝于PQFN 5×6的單顆芯片，反向恢復(fù)電荷極低。該封裝針對PCB布局、散熱、驅(qū)動(dòng)器/MOSFET 控制時(shí)序進(jìn)行了優(yōu)化，在遵循布局準(zhǔn)則的情況下，開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴更小。成對的柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實(shí)現(xiàn)更高的效率，滿足 CPU、GPU和DDR存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的要求，最高可輸出90A電流。

TDA21570

英飛凌TDA21570是一顆70A的集成功率級(jí)內(nèi)置一個(gè)低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，并結(jié)合了控制電路、MOSFET以及有源二極管結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)類似肖特基二極管的低VSD，且反向恢復(fù)電荷極低。該封裝針對PCB 布局、傳熱、驅(qū)動(dòng)器/MOSFET控制時(shí)序進(jìn)行了優(yōu)化，在遵循布局準(zhǔn)則的情況下，開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴最小。成對的柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET組合可在較低的輸出電壓下實(shí)現(xiàn)更高的效率，滿足CPU、GPU和DDR存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的需求。

TDA21535

TDA21535集成功率級(jí)包含一個(gè)低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，該IC與高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET以及有源二極管結(jié)構(gòu)共同集成在PQFN 4×5封裝內(nèi)，可實(shí)現(xiàn)類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復(fù)電荷極低。該芯片與英飛凌多相控制器IC配合使用時(shí)，可構(gòu)成一個(gè)完整的低電壓、高功率DC/DC穩(wěn)壓器，最高可輸出35A電流，適合CPU、GPU、服務(wù)器、DDR內(nèi)存等多種場景應(yīng)用。

TDA21520

TDA21520集成功率級(jí)芯片包含一個(gè)低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，該IC與高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET 以及有源二極管結(jié)構(gòu)共同封裝，可實(shí)現(xiàn)類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復(fù)電荷極低。TDA21520 功率級(jí)與英飛凌多相控制器 IC 配合使用時(shí)，可構(gòu)成一個(gè)完整的低電壓、高功率DC/DC穩(wěn)壓器，最高可輸出20A電流。該芯片可在CPU、GPU穩(wěn)壓供電、DDR內(nèi)存供電、通信等諸多領(lǐng)域應(yīng)用。

JOULWATT杰華特

JWH7030

杰華特JWH7030是一顆集成功率級(jí)芯片，內(nèi)部集成兩個(gè)NMOS和半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，芯片可以提供30A的輸出電流，將驅(qū)動(dòng)器和MOS管集成能夠優(yōu)化死區(qū)時(shí)間和降低集成電感，支持100KHz-1.5MHz開關(guān)頻率。芯片支持三態(tài)PWM信號(hào)，內(nèi)部集成電流采樣輸出VCC欠壓保護(hù)，逐周期過流保護(hù)和過熱保護(hù)，并具備失效指示，采用QFN3*5-21封裝。

JWH7067

杰華特JWH7067是一顆集成功率級(jí)芯片，內(nèi)部集成兩個(gè)NMOS和半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，支持3-16V輸入電壓，具備70A輸出電流能力。將驅(qū)動(dòng)器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內(nèi)存設(shè)計(jì)。芯片支持100KHz-1.5MHz開關(guān)頻率。芯片具備逐周期過流保護(hù)，欠壓保護(hù)，芯片溫度報(bào)告和溫度保護(hù)，支持三態(tài)PWM信號(hào)，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7069

杰華特JWH7069是一顆集成功率級(jí)芯片，內(nèi)部集成兩個(gè)NMOS和半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅(qū)動(dòng)器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內(nèi)存設(shè)計(jì)。芯片支持300KHz-1.5MHz開關(guān)頻率。芯片具備逐周期過流保護(hù)，欠壓保護(hù)，芯片溫度報(bào)告和溫度保護(hù)，支持三態(tài)PWM信號(hào)，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7079

杰華特JWH7079是一顆集成功率級(jí)芯片，內(nèi)部集成兩個(gè)NMOS和半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅(qū)動(dòng)器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內(nèi)存設(shè)計(jì)。芯片支持300KHz-3MHz開關(guān)頻率。芯片具備逐周期過流保護(hù)，欠壓保護(hù)，芯片溫度報(bào)告和溫度保護(hù)，支持三態(tài)PWM信號(hào)，具備失效指示，采用TLGA4*6封裝。

MERAKI茂睿芯

MK6840

茂睿芯MK6840是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅(qū)動(dòng)芯片，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的4mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6840專為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心及高性能計(jì)算設(shè)備設(shè)計(jì)，具備峰值逐周期限流、負(fù)電流保護(hù)和BOOT電容自動(dòng)刷新等多重保護(hù)功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報(bào)，提升系統(tǒng)性能并降低能耗，其設(shè)計(jì)完全兼容主流多相控制器。

MK6850

茂睿芯MK6850芯片集成了兩顆的SGT MOSFET和驅(qū)動(dòng)芯片，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的5mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。經(jīng)過嚴(yán)格測試，MK6850展現(xiàn)出高可靠性、高效率和高精度IMON上報(bào)等優(yōu)勢，在典型工況下實(shí)現(xiàn)了94.7%的峰值效率，并確保產(chǎn)品在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性。

MK6850專為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心及高性能計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)，支持90A電流輸出，具備峰值逐周期限流、負(fù)電流保護(hù)和BOOT電容自動(dòng)刷新等多重保護(hù)功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報(bào)，提升系統(tǒng)性能并降低能耗。其設(shè)計(jì)完全兼容主流多相控制器，已通過多平臺(tái)驗(yàn)證，表現(xiàn)優(yōu)異。

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MK6851

茂睿芯MK6851是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅(qū)動(dòng)芯片，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的5×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6851專為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心及高性能計(jì)算設(shè)備設(shè)計(jì)，具備峰值逐周期限流、負(fù)電流保護(hù)和BOOT電容自動(dòng)刷新等多重保護(hù)功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報(bào)，提升系統(tǒng)性能并降低能耗，其設(shè)計(jì)完全兼容主流多相控制器。

MPS芯源半導(dǎo)體

MP86905

MP86905 是一款集成內(nèi)部功率MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋芯片。MP86905在寬輸入范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)50A連續(xù)輸出電流。

MP86905是一種單片IC，每相可驅(qū)動(dòng)高達(dá) 50A 的電流。該器件將驅(qū)動(dòng)和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間，大大提高了芯片的效率。MP86905 的工作頻率范圍為 100kHz 至 2MHz。該芯片提供許多功能以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。MP86905 配合帶三態(tài) PWM 信號(hào)的控制器使用，并具有精確的電流采樣功能以監(jiān)控電感電流以及溫度采樣功能以報(bào)告結(jié)溫。MP86905 是高效小尺寸服務(wù)器應(yīng)用的理想之選。MP86905 采用小型FC-QFN（4mmx4mm）封裝。

MP86912C

MP86912C是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器，在寬輸入電壓（VIN）范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)25A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件集成了驅(qū)動(dòng)器和MOSFET，優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間并減少了寄生電感，從而實(shí)現(xiàn)了高效率。其工作頻率范圍為100kHz 至 2MHz。

該器件可與三態(tài)輸出控制器配合使用，并提供通用電流采樣和溫度采樣。它是注重效率與小尺寸的筆記本電腦應(yīng)用理想之選,MP86912C采用 LGA (3mmx4mm) 封裝。

MP86920

MP86920是一款集成內(nèi)部功率MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá)20A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。

其集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。它可以與具有三態(tài)輸出的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 2MHz。另外，該器件還提供通用的電流采樣和溫度采樣功能。MP86920適用于注重高效率與小尺寸的服務(wù)器和電信應(yīng)用。MP86920 采用 LGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86933

MP86933是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器。MP86933 在寬輸入電壓范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)12A連續(xù)輸出電流，工作頻率為100kHz~2MHz。

該器件將驅(qū)動(dòng)器和MOSFET集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間，大大提高了其效率。MP86933 與三態(tài)輸出控制器配合使用，并具有通用電流采樣和溫度檢測功能。MP86933 是高效率小尺寸服務(wù)器和電信應(yīng)用的理想之選。MP86933 采用小尺寸 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封裝。

MP86934

MP86934 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFETs 和柵極驅(qū)動(dòng)的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)25A的連續(xù)輸出電流。MP86934 將驅(qū)動(dòng)和MOSFETS集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間，大大提高了芯片的效率。

這款超小型 3mm x 4mm FC-TQFN 芯片的工作頻率為100kHz - 2MHz。MP86934 配合三態(tài)（高阻態(tài)）輸出控制器使用。同時(shí)還具有通用電流采樣和溫度檢測功能，是高效小尺寸服務(wù)器和電信應(yīng)用的理想之選。

MP86935-A

MP86935-A是一款內(nèi)部集成功率MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件在寬輸入電源范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)高達(dá)60A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。MP86935-A 可驅(qū)動(dòng)每相高達(dá) 60A 的電流。其集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間 (DT) 并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。其工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86935-A具備多項(xiàng)可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，而且可與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣以監(jiān)測電感電流 (IL)，同時(shí)提供溫度采樣以報(bào)告結(jié)溫 (TJ)。MP86935-A是注重效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。它采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86936

MP86936是一款集成內(nèi)部功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋Intelli-Phase™解決方案。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 60A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅(qū)動(dòng)每相高達(dá) 60A的電流。其集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。它可以與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86936具備多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，包括提供精確的電流采樣(Accu-Sense™)和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報(bào)告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。MP86936采用TQFN-23 (3mmx6mm)封裝。

MP86945A

MP86945A 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋芯片。MP86945A 在寬輸入范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)60A連續(xù)輸出電流MP86945A 是一款單片 IC，每相驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)60A。該芯片將驅(qū)動(dòng)和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時(shí)間，大大提高了芯片的效率。MP86945A 的工作頻率為 100kHz 至 2MHz。MP86945A 提供了許多功能以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

MP86945A 配合帶三態(tài) PWM 信號(hào)的控制器使用，并集成了精確的電流采樣功能來監(jiān)控電感電流以及溫度采樣功能來報(bào)告結(jié)溫。MP86945A 是高效小尺寸服務(wù)器應(yīng)用的理想之選。

MP86950

MP86950是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋。它可以在 4.5V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 50A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅(qū)動(dòng)電流高達(dá) 50A。其集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為 100kHz~2MHz。

MP86950提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣（Accu-Sense™）和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報(bào)告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。MP86950 采用小尺寸 TLGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86952

MP86952是一款耐輻射的單片半橋 IC，具有內(nèi)部功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器。 它可以在 3V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 70A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。Intelli-PhaseTM 解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 70A的每相驅(qū)動(dòng)電流。其集成 MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間 (DT) 和降低寄生電感來提供高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86952 提供多項(xiàng)功能來簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)兼容三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)控制器。它具備精確的電流采樣 (Accu-SenseTM)和溫度采樣功能，可以監(jiān)測電感電流 (IL)并報(bào)告結(jié)溫 (TJ)。該器件是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。MP86952 采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86956

MP86956是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋芯片。它在寬輸入電壓范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn) 70A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件為單片 IC ，每相驅(qū)動(dòng)電流高達(dá) 70A。其驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET的集成優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間，并減少了寄生電感，從而實(shí)現(xiàn)了高效率。MP86956 的工作頻率范圍為 100kHz 至 3MHz。

該器件具有多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能。它可接收控制器的三態(tài)脈寬調(diào)制（PWM ）信號(hào)，同時(shí)具備精確的電流采樣和溫度采樣功能，以分別實(shí)現(xiàn)電感電流的檢測并報(bào)告結(jié)溫。MP86956是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。 它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 和 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86957

MP86957 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)70A的連續(xù)電流輸出。MP86957是一款單片 IC ，每相驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)70A 。將驅(qū)動(dòng)和 MOSFET 集成在一起，可以通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間和減少寄生電感來實(shí)現(xiàn)高效率。這款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作頻率為100kHz - 3MHz。

MP86957 具有多種功能，可以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。MP86957通過接收控制器的三態(tài) PWM 信號(hào)來實(shí)現(xiàn)功率變換。它還提供 Accu-SenseTM電流采樣和溫度采樣，分別用于監(jiān)測電感電流和報(bào)告結(jié)溫。MP86957 是高效率小尺寸服務(wù)器應(yīng)用的理想之選。

MP86965

MP86965 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器，在寬輸入電源范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn) 60A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片 IC 方法，每相可驅(qū)動(dòng)高達(dá) 60A 的電流。集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET優(yōu)化了死區(qū)時(shí)間并減少了寄生電感，從而實(shí)現(xiàn)了高效率。MP86965 的工作頻率范圍為100kHz~2MHz。

MP86965 提供多種功能以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。它可以與具有三態(tài) PWM 信號(hào)的控制器配合使用，提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報(bào)告結(jié)溫。 MP86965是注重效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。它采用 TLGA-31 (4mmx5mm) 封裝。

MP86972

MP86972 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器。它可在3V~12V的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 60A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅(qū)動(dòng)電流高達(dá) 60A。其集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86972 提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報(bào)告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。MP86972 采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86992

MP86992 是一款內(nèi)部集成功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件在寬輸入電源范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 50A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。MP86992 采用單片 IC 方法，可驅(qū)動(dòng)每相高達(dá) 50A 的電流。其集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間 (DT) 并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86992 提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流 (IL) 并報(bào)告結(jié)溫 (TJ)。MP86992 是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87993

充電頭網(wǎng)了解到，MPS也推出一款MP87993 DrMOS芯片，可搭配MP2988控制器應(yīng)用，但其他資料不詳。

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MP86998

MP86998是一款集成內(nèi)部功率MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋驅(qū)動(dòng)器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá)80A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅(qū)動(dòng)每相高達(dá) 50A的電流。其集成驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時(shí)間并降低寄生電感實(shí)現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86998提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報(bào)告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器應(yīng)用理想之選。MP86998 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87190

MP87190 是一款內(nèi)部集成功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器的單片半橋。它可在寬輸入電源電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá) 90A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。MP87190 的Quiet SwitcherTM 技術(shù) (QST) 采用只能在單片架構(gòu)中實(shí)現(xiàn)的電路設(shè)計(jì)，以提供電壓振鈴抑制功能。該技術(shù)可以將峰值開關(guān)電壓限制在 VIN 與 2V 之間，從而提高設(shè)備的可靠性、降低 EMI 并減少對 PCB 布局的敏感性。

MP87190 提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的功能，并能與三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)的控制器配合使用。另外該器件還提供 Accu-SenseTM 電流采樣和溫度采樣功能，以分別監(jiān)測電感電流 (IL) 并報(bào)告結(jié)溫 (TJ)。MP87190 是注重高效率與小尺寸的服務(wù)器和電信應(yīng)用理想之選。MP87190 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

ONSEMI安森美

FDMF6823C

XS DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案，最高可輸出50A電流，適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用。 FDMF6823C將驅(qū)動(dòng)器IC、兩個(gè)功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個(gè)熱增強(qiáng)的、超小型PQFN-40封裝中。

通過集成方法，可實(shí)現(xiàn)完整開關(guān)功率級(jí)的驅(qū)動(dòng)器、MOSFET動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)電感和功率MOSFET RDS(ON)優(yōu)化。 XS™ DrMOS采用飛兆半導(dǎo)體公司的高性能PowerTrench® MOSFET技術(shù)，顯著減少開關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用的緩沖器電路。

Primechip元芯

YX47590

YX47590是一款集成了Si FET的高性能半橋柵極智能功率級(jí)。它集成了30V的柵極智能功率級(jí)和自舉二極管，并支持三重柵極 PWM 輸入。其超短的傳播延遲和快速的上升和下降時(shí)間。

YX47590具有輸出電流和溫度感應(yīng)功能，并向控制器報(bào)告。內(nèi)置欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護(hù)（OTP）、高壓側(cè) MOSFET 短路保護(hù)（HSS）和過流保護(hù)（OCP）有助于確保器件安全可靠地運(yùn)行。其優(yōu)化設(shè)計(jì)確保了從智能功率級(jí)到功率晶體管的最低傳播延遲，使其成為高頻應(yīng)用的理想選擇。智能功率級(jí)信號(hào)輸入與常用的三態(tài)PWM兼容，提供靈活的功率級(jí)控制。死區(qū)時(shí)間可通過外部電阻器進(jìn)行調(diào)整，以獲得更好的效率或系統(tǒng)可靠性。

Renesas瑞薩

ISL99380

瑞薩ISL99380是一顆80A輸出的功率級(jí)模組，芯片內(nèi)部集成高精度電流檢測和溫度檢測。內(nèi)置完善的保護(hù)功能，包括上管短路和過電流保護(hù)，智能反向過電流保護(hù)，過熱保護(hù)和供電欠壓閉鎖，采用QFN5*6封裝，適用于CPU、GPU以及ASIC供電。

該系列DrMOS與瑞薩數(shù)字 PWM 控制器結(jié)合使用時(shí)，可實(shí)現(xiàn)精確的系統(tǒng)級(jí)電源管理，并為基于負(fù)載線的穩(wěn)壓器提供同類最佳的瞬態(tài)響應(yīng)。這些器件省去了典型的DCR檢測網(wǎng)絡(luò)和相關(guān)熱補(bǔ)償元件，從而簡化設(shè)計(jì)。同時(shí)該芯片還通過集成故障保護(hù)功能（包括 HFET 過流、HFET 短路、智能反向過流 (SROCP)、過溫 (OTP) 和 VCC 欠壓鎖定 (UVLO)）提高了系統(tǒng)性能和可靠性。

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uPI力智

uP9642B

uP9642B是一種智能功率級(jí)（SPS）解決方案，它集成了經(jīng)過全面優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET，適用于高電流、高頻率的同步降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這種 SPS 能夠滿足先進(jìn) CPU、GPU 以及 DDR 內(nèi)存設(shè)計(jì)所需的低輸出電壓和高性能要求。

uP9642B 還支持高級(jí)別的高精度模塊溫度報(bào)告功能以及芯片上同步 MOSFET 電流監(jiān)測功能。其保護(hù)功能包括逐周期過流保護(hù)、相位故障檢測、初步過電壓保護(hù)、VCC/VDRV 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)以及過熱關(guān)斷保護(hù)。uP9642B專為CPU核心電源傳輸進(jìn)行了優(yōu)化。該器件與多相降壓型 PWM 控制器配合使用，可構(gòu)成處理器的完整核心電壓調(diào)節(jié)器。

uP9646

uP9646是一款集成功率級(jí)模塊，用于臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦應(yīng)用中的多相同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該器件可為CPU、GPU和DDR內(nèi)存電源提供高達(dá)50A的輸出電流并保證高轉(zhuǎn)換效率。

該部件具有英特爾 PS4模式支持、熱警告、過流保護(hù)和零電流檢測功能。系統(tǒng)使用熱預(yù)警輸出來確保安全運(yùn)行。該器件的過流保護(hù)功能進(jìn)一步增強(qiáng)了對轉(zhuǎn)換器的保護(hù)。零電流檢測功能提供了更大的應(yīng)用靈活性。uP9646 還提供全面的保護(hù)功能，包括 VCC/VDRV 的欠壓鎖定和過溫保護(hù)。uP9646 采用緊湊的WQFN 5×5-31L 封裝。目前，該器件已獲部分型號(hào)英偉達(dá)RTX5060顯卡采用。

Vishay威世

SiC654

威世SiC654是一款高頻集成功率級(jí)芯片，針對同步降壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，可提供高電流、高效率和高功率密度。該芯片采用威世專有的MLP 5×5封裝，能夠提供高達(dá)50A的連續(xù)電流輸出。

SiC654內(nèi)部MOSFET采用了威世最新的TrenchFET技術(shù)，能夠顯著降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。該芯片還內(nèi)置了一個(gè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，具有高電流驅(qū)動(dòng)能力、自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制、集成自舉開關(guān)以及開發(fā)者可選擇的零電流檢測功能，以提高輕載效率。該驅(qū)動(dòng)器還廣泛兼容市面PWM控制器，支持三態(tài)PWM，并且支持5伏/3.3伏PWM邏輯。此外，該設(shè)備還支持PS4模式，以降低系統(tǒng)處于待機(jī)狀態(tài)時(shí)的功耗。同時(shí)，該芯片提供工作溫度監(jiān)測、保護(hù)功能以及警告標(biāo)志，以增強(qiáng)系統(tǒng)監(jiān)測和可靠性。

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充電頭網(wǎng)總結(jié)

文中提到的DrMOS芯片，各具特色，倍有亮點(diǎn)，廠商通常需要根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)需求選擇對應(yīng)適應(yīng)的芯片產(chǎn)品，以達(dá)成性能、品質(zhì)以及成本的最優(yōu)平衡點(diǎn)。

此外，充電頭網(wǎng)了解到，隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷迭代，如今氮化鎵也逐步出現(xiàn)DrGaN的芯片形態(tài)，能夠降低氮化鎵在低壓應(yīng)用中的復(fù)雜性，使其可以像常規(guī)DrMOS一樣應(yīng)用，有望廣泛應(yīng)用于主板CPU供電、顯卡GPU供電等關(guān)鍵領(lǐng)域，為高端硬件的供電提供了更高效、穩(wěn)定的供電支持。

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