2025年7月31日，充電頭網(wǎng)舉辦的2025世界氮化鎵大會順利落幕，本次線上研討會邀請到致英嘉通功率部副總監(jiān)黃小蕾為大家?guī)砭恃葜v。

本場演講中黃小蕾借助“英嘉通GaN功率器件介紹”為主題，先介紹GaN材料優(yōu)勢與2DEG機理，回顧功率與射頻器件發(fā)展歷程及全球市場趨勢；再展示英嘉通EGaN、DGaN產(chǎn)品規(guī)劃、封裝與應(yīng)用案例，涵蓋快充、數(shù)據(jù)中心、儲能等場景；最后概述公司模式、研發(fā)布局與量產(chǎn)成果，展示英嘉通在技術(shù)上用寬禁帶 GaN 材料、E/Dmode 全棧與封裝替換策略，體現(xiàn)出第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新實力與雄厚競爭力。

本場演講由GaN材料優(yōu)勢、GaN發(fā)展簡史和市場分析、英嘉通GaN功率器件介紹以及總結(jié)四部分組成。

第一部分，黃小蕾介紹了GaN材料優(yōu)勢，從材料比較來看，GaN具備耐高壓，耐高溫以及良好的導(dǎo)熱性等特性，同時該器件帶隙較高能夠更好支持高壓電路。另外，該器件具備形成二位電子氣的能力。

氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)Ga-N鍵不對稱特性，存在自發(fā)極化特性，大幅增加二維電子氣的形成。

在自發(fā)極化與壓電極化的共同作用下，二維電子氣在AlGaN/GaN界面上自然形成。二維電子氣的出現(xiàn)令氮化鎵水平器件在650V級別，相較于傳統(tǒng)硅MOS擁有更多顯著優(yōu)勢。

GaN單體器件相較于硅MOS體積更小，die size只有Si的1/3，同規(guī)格晶圓器件產(chǎn)出更高；且器件性能更優(yōu)、品質(zhì)因數(shù)更低，在高頻、高功率應(yīng)用更具優(yōu)勢。

在氮化鎵器件襯底選擇層面，主要有氮化鎵、碳化硅、硅以及藍(lán)寶石四種襯底選擇，更具優(yōu)勢。

第二部分主要圍繞GaN發(fā)展簡史和市場分析展開。功率器件從1904年~1982年完成了真空管、二極管、晶體管、MOSFET、IGBT的技術(shù)進化。

而2008年至今，功率器件行業(yè)快充從硅器件向第三代半導(dǎo)體SiC和GaN過渡。且目前GaN消費級市場規(guī)模更大，而SiC則占據(jù)工業(yè)以及新能源等高壓需求市場。英嘉通目前已經(jīng)實現(xiàn)3300V/1700V/1200V/750V多規(guī)格SiC器件全面量產(chǎn)，并在部分規(guī)格實現(xiàn)行業(yè)首創(chuàng)，滿足業(yè)界多元化需求。

而在射頻器件領(lǐng)域，GaN射頻器件相比硅器件性能優(yōu)勢同樣明顯。

目前GaN的應(yīng)用范疇逐漸從消費級擴展到更多領(lǐng)域，GaN功率市場從2023年的2.6億美金到2029年20億美金，保持高增長速度；而GaN射頻器件市場未來也會有望增長至2029年的19億美金。

第三部分主要圍繞英嘉通GaN功率器件介紹展開。E-GaN 增強型器件，即常關(guān)型器件，可在不施加?xùn)艍浩脳l件下維持器件開通。其核心工藝涵蓋表面處理、光刻、干濕法刻蝕、介質(zhì)沉積及金屬沉積等。該器件采用水平結(jié)構(gòu)，依靠 G、D的間距及場板設(shè)計來實現(xiàn)耐壓水平。

在E-GaN產(chǎn)品規(guī)劃上，2025年Q1季度英嘉通700V 120mΩ~1.2Ω器件在6英寸晶圓產(chǎn)線全面量產(chǎn)，可降低成本并提升電源效率；40V 1.2mΩ~7Ω雙向器件，適用于雙向電流應(yīng)用，滿足新能源需求；80V 2.4mΩ~16Ω的產(chǎn)品線主要提升了產(chǎn)品的低阻抗特性，提高消費級應(yīng)用的性能；100V 1.6mΩ~16mΩ則為電力控制領(lǐng)域提供高效的解決方案；2025年Q4季度，150~200V 2.4mΩ~16mΩ產(chǎn)品線將擴展至更高電壓范圍，滿足需要更高電壓以及高頻率應(yīng)用。目前，英嘉通高壓和低壓E-GaN全面量產(chǎn)，且2025年底8英寸晶圓逐步量產(chǎn)將進一步提升成本競爭力。

D-GaN為常開型器件，在通常狀態(tài)下（柵源極電壓VGS=0），漏極和源極之間已存在二維電子氣，器件呈導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)柵源極電壓VGS<0時，漏、源極之間的2DEG斷開，器件截止

D-GaN柵極采用MIS結(jié)構(gòu)，柵極介質(zhì)帶來更低的柵極漏電流和更高的可靠性，最大柵極耐壓一般超過+-30V，與傳統(tǒng)驅(qū)動設(shè)計完全兼容；D-GaN則需要搭配低壓Si MOS組成Cascode實現(xiàn)增強型工作模式。

在D-GaN產(chǎn)品規(guī)劃層面，2025年Q1季度推出650V 35mΩ~3Ω產(chǎn)品；2025年Q2季度推出650V大功率集成和雙向器件，適用于高電流密度應(yīng)用；2025年Q3季度推出900V 35mΩ-2Ω器件，適用于高功率電源和快速開關(guān)應(yīng)用；2025年Q4季度計劃1200V+產(chǎn)品拓展，將推出更高耐壓等級產(chǎn)品。

英嘉通氮化鎵主要特點為高電壓、低電阻、低損耗等核心競爭優(yōu)勢；且英嘉通GaN DFN封裝產(chǎn)品驅(qū)動外圍簡潔 ，大大降低   工程師設(shè)計難度 ，廣泛應(yīng)用在PD上； 604X系列單顆主要應(yīng)用在33W ， 602X系列單顆主要 應(yīng)用在65W； 601X系列主要在100W以上應(yīng)用。

英嘉通擁有240W、140W以及120W三種高功率PD電源方案。

英嘉通低壓E-mode器件具備低導(dǎo)通電阻，低寄生電容等優(yōu)勢，能夠在高速開關(guān)應(yīng)用中帶來效率顯著的效率優(yōu)勢；40V 4.8mΩ雙向器件，能夠一顆代替兩顆傳統(tǒng)Si MOS，性能和成本更具備競爭力。

另外，英嘉通GaN TO封裝產(chǎn)品可實現(xiàn)原位替換Si MOS，產(chǎn)品線覆蓋市面主流規(guī)格。在細(xì)分型號上，IGC6C120DA/IGC6C240DA/IGC6C750ST針對工業(yè)級應(yīng)用PIN TO PIN原位替代硅MOS，兼容SiC MOSFET；IGC6C060SL/IGC6C060SR則針對大功率應(yīng)用的TOLL和TOLT封裝器件。

英嘉通提供高質(zhì)量氮化鎵D系列和E系列管芯 ， 以裸片e或封裝單管形勢滿足PD、 適配器和鋰電池充電等不同類型應(yīng)用，加速中高功率段應(yīng)用滲透，使用靈活。

現(xiàn)階段，氮化鎵應(yīng)用范圍廣泛，在PD快充、數(shù)據(jù)中心、充電樁、儲能、機器人等領(lǐng)域均有氮化鎵的應(yīng)用空間。

另外，英嘉通除氮化鎵產(chǎn)線外，還提供碳化硅以及氮化鎵射頻器件產(chǎn)線，產(chǎn)品線豐富，應(yīng)用范圍廣。

英嘉通E-GaN和D-GaN可滿足不同客戶的需求，把最優(yōu)的器件用在最合適的場景，并于今年底推出E-GaN的8英寸晶圓產(chǎn)品；英嘉通GaN射頻6寸量產(chǎn)，未來將會推出8英寸的SiC基GaN，覆蓋消費級快充、工藝汽車電源、高端通信全鏈條。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

充電頭網(wǎng)了解到，英嘉通半導(dǎo)體主要聚焦第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和銷售，主要產(chǎn)品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射頻器件等。產(chǎn)品應(yīng)用于消費、工業(yè)和汽車等領(lǐng)域。國家高新技術(shù)企業(yè)，江蘇省潛在獨角獸企業(yè)，江蘇省雙創(chuàng)企業(yè)，廣東省科技進步二等獎等榮譽。累計獲得專利等知識產(chǎn)權(quán)100多項。

英嘉通氮化鎵功率器件量產(chǎn)規(guī)格超過20款，高壓和低壓種類齊全，出貨量位居國內(nèi)前列；氮化鎵射頻芯片已大批量出貨，細(xì)分領(lǐng)域龍頭；碳化硅功率器件在消費、工業(yè)和車規(guī)行業(yè)批量出貨，750V-3300V，13mΩ-55Ω，產(chǎn)品系列全，出貨量行業(yè)領(lǐng)先。

GaN To Go，SiC To Go，英嘉通團隊始終堅持做客戶滿意和用戶喜愛的好產(chǎn)品。英嘉通長期堅持引領(lǐng)射頻和功率半導(dǎo)體的技術(shù)革新服務(wù)人類，攜手合作伙伴共同推進第三代半導(dǎo)體的全球大規(guī)模應(yīng)用。

以上為本次劍指蒼穹，倚天為鋒，英嘉通GaN功率器件介紹主題演講的全部內(nèi)容，感謝大家的閱讀。