前言

在全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)追求更效率功率半導(dǎo)體遷移的浪潮中，技術(shù)與資本的激烈角逐持續(xù)上演。近期，行業(yè)內(nèi)新動(dòng)作不斷涌現(xiàn)，從性能卓越的新品發(fā)布到大規(guī)模的產(chǎn)能擴(kuò)張，從資本的深度并購到關(guān)鍵技術(shù)的突破，功率半導(dǎo)體賽道正展現(xiàn)出前所未有的蓬勃活力。為幫助廣大讀者及時(shí)掌握功率半導(dǎo)體行業(yè)的新品最新動(dòng)態(tài)，我們精心梳理了近期的突出新品案例，接下來小編將為您深入解析。

本文排序不分先后，按品牌英文首字母順序排列。

CRMICRO華潤微

華潤微第6代高性能SGT MOS產(chǎn)品

華潤微近期針對(duì)Ai服務(wù)器、DC-DC以及磚塊電源等領(lǐng)域推出25V SGT MOSFET產(chǎn)品CRSK010NE2L6，該芯片UIS性能優(yōu)異、開關(guān)損耗低。

相比上一代產(chǎn)品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及體二極管軟度等方面顯著優(yōu)化，可為MHz級(jí)高頻電源領(lǐng)域提供更高效、更可靠的解決方案。實(shí)際參數(shù)上，該產(chǎn)品采用DFN3×3封裝，耐壓25V，連續(xù)漏電流160A，導(dǎo)阻最高1.5m歐姆。

Infineon英飛凌

英飛凌推出650V MOSFET

英飛凌推出全新650V CoolMOS 8系列芯片，芯片為高功率應(yīng)用提供50V電壓裕量，滿足數(shù)據(jù)中心、電信等應(yīng)用交流輸入電壓提升需求，還為電動(dòng)汽車充電和固態(tài)斷路器應(yīng)用增強(qiáng)浪涌保護(hù)。該系列集成快速體二極管，適用多種高功率場景，是 CoolMOS 7 MOSFET 的理想升級(jí)選擇，產(chǎn)品型號(hào)豐富。

其具備低導(dǎo)阻、出色的換向耐用性、先進(jìn)互連技術(shù)及完整產(chǎn)品組合，采用8mΩ BiC頂部散熱封裝設(shè)計(jì)。競爭優(yōu)勢(shì)明顯，反向恢復(fù)電荷性能提升，反向恢復(fù)時(shí)間較同類縮短 35%，采用 QDPAK 等頂部散熱封裝技術(shù)，品質(zhì)卓越。可簡化設(shè)計(jì)、縮短開發(fā)周期，產(chǎn)品線清晰，推動(dòng)系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新，廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、超固態(tài)解決方案、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源及工業(yè)SMPS等領(lǐng)域。

Innoscience英諾賽科

英諾賽科推出頂部散熱Dual-Cool GaN，顯著提升系統(tǒng)熱性能

英諾賽科的Dual-Cool系列氮化鎵的主要優(yōu)勢(shì)在于其采用了先進(jìn)的Dual-Cool En-FCLGA封裝，傳統(tǒng)單冷卻封裝因熱路徑單一，易形成局部熱點(diǎn)，而En-FCLGA封裝由于雙面散熱架構(gòu)的引入，通過頂部與底部的協(xié)同散熱設(shè)計(jì)，較同類單面散熱方案提升65%的導(dǎo)熱效率。這一改進(jìn)直接降低了器件的工作結(jié)溫，顯著提升系統(tǒng)熱性能，有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

Dual-Cool系列氮化鎵的另一大亮點(diǎn)是其先進(jìn)的100V E-mode GaN 技術(shù)。該技術(shù)賦予了產(chǎn)品極低的柵極電荷以及更低的導(dǎo)阻。同時(shí)，其占板面積非常小，能夠有效節(jié)省PCB空間，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化的需求。

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Navitas納微

納微推出極佳耐高溫表現(xiàn)和高穩(wěn)定性SiCPAK功率模塊

納微全新SiCPAK功率模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，結(jié)合納微獨(dú)家的 “溝槽輔助平面柵” 碳化硅MOSFET技術(shù)，歷經(jīng)嚴(yán)苛設(shè)計(jì)及全面驗(yàn)證流程，專為高功率環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行打造，可靠性與耐高溫性能更優(yōu)。

納微SiCPAK功率模塊內(nèi)置NTC熱敏電阻，提供多種產(chǎn)品組合，提供4.6-18.5mΩ規(guī)格可選，封裝提供SiCPAK F以及SiCPAK G可選，同時(shí)對(duì)應(yīng)半橋、全橋、光伏三項(xiàng)逆變等不同電路配置場景，與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)壓接式模塊可實(shí)現(xiàn)引腳對(duì)引腳兼容，另可選配預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料（TIM）以簡化組裝流程。

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PI

PI發(fā)布HiperLCS-2芯片組

PI HiperLCS?2?離線式?LLC?開關(guān)IC芯片組由集成高帶寬?LLC?控制器、同步整流驅(qū)動(dòng)器和?FluxLink?隔離鏈路的隔離器件HiperLCS2?SR與采用600?V?FREDFET?半橋功率器件?HiperLCS2?HB?構(gòu)成，借助全新?POWeDIP?封裝及電絕緣陶瓷導(dǎo)熱墊，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)1650?W?連續(xù)輸出，峰值更是可達(dá)2450?W，效率超過98%，空載功耗低于65?mW，且無需風(fēng)扇或通風(fēng)設(shè)計(jì)。

器件在400?V?DC輸入下可提供出色的0%–100%動(dòng)態(tài)響應(yīng)，同時(shí)相較于分立式方案元件數(shù)與PCB面積最多減少60%，通過自供電啟動(dòng)功能還可為后級(jí)?PFC?芯片提供偏置電源，極大提升工業(yè)電源及戶外電動(dòng)工具充電器的可靠性、防塵防潮性能和散熱簡便性。

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Renesas瑞薩

瑞薩發(fā)布新一代650V GaN FET

瑞薩電子基于 Gen IV Plus 平臺(tái)推出三款新型高壓 650V GaN FET，型號(hào)分別為 TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS，提供 TOLT、TO-247 和 TOLL 三種封裝。

以 TP65H030G4PRS 為例，其為 30mOhm、650V GaN 器件，采用符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN 技術(shù)，經(jīng)低動(dòng)態(tài)電阻Dynamic RDS(on) eff 驗(yàn)證，擁有零反向恢復(fù)電荷，可減少分頻損耗，提升硬開關(guān)和軟開關(guān)電路效率，進(jìn)而提高功率密度、減小系統(tǒng)尺寸和重量、降低成本，適用于AI數(shù)據(jù)中心和電信電源、電動(dòng)汽車充電等多領(lǐng)域。三款產(chǎn)品封裝緊湊，能滿足1kW至10kW電源系統(tǒng)熱性能與布局優(yōu)化需求，且可并聯(lián)組成更高功率電源系統(tǒng)，其中TOLL和TOLT封裝利于散熱及并聯(lián)，TO-247封裝則可實(shí)現(xiàn)更高功率。

ROHM羅姆

羅姆推出AI服務(wù)器適用100V MOSFET

羅姆公司新推出100 耐壓的功率MOSFET——RY7P250BM，尺寸為8×8mm，未來需求看漲且能輕松替換現(xiàn)有產(chǎn)品。它兼具寬 SOA 范圍和低導(dǎo)通電阻，保障熱插拔工作可靠性并優(yōu)化電源效率、降低功耗發(fā)熱量，在 AI 服務(wù)器 48V 電源熱插拔電路等場景應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯。

RY7P250BM的SOA范圍在脈寬10ms時(shí)可達(dá) 16A、1ms 時(shí)達(dá) 50A，性能業(yè)界領(lǐng)先。與普通同尺寸同耐壓 MOSFET 相比，其導(dǎo)通電阻僅 1.86mΩ（VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃），降低約 18%。這大幅減少功率損耗、發(fā)熱量，提升電源效率，緩解冷卻負(fù)荷、削減電力成本。

Vishay威世

威世推出新款80V TrenchFET Gen IV N 溝道功率 MOSFET

Vishay推出80V TrenchFET Gen IV N溝道功率MOSFET——SiEH4800EW，具備更低導(dǎo)阻。這款采用無引線鍵合（BWL）封裝的MOSFET，在10V下導(dǎo)通電阻為0.88mΩ，有效降低功率損耗，提升效率；其最大熱阻低至 0.36 ℃/W，大幅改善熱性能。8×8mm尺寸新品與TO-263封裝MOSFET相比PCB面積減少50%，厚度僅1mm。

SiEH4800EW焊盤融合設(shè)計(jì)，源焊盤可焊面積達(dá)3.35 mm²，較傳統(tǒng)PIN焊接面積大四倍，降低電流密度，減少電遷移風(fēng)險(xiǎn)。其側(cè)翼易于吸附焊錫，提高可焊性和焊點(diǎn)可靠性。這款MOSFET 非常適合同步整流和Oring應(yīng)用，典型應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器、電動(dòng)工具等工業(yè)設(shè)備，可在 +175 ℃高溫下工作，BWL 設(shè)計(jì)降低寄生電感，提升電流能力，且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，經(jīng)過 100%Rg和UIS測試。

XYD芯一代

芯一代推出60V SGT MOS XK1P2N060GX1A

XK1P2N060GX1A為屏蔽柵溝槽型 MOSFET（SGT MOS），。其耐壓大于 60V，導(dǎo)通電阻典型值 Rds（on）僅為 1.2mΩ，相比同類產(chǎn)品，展現(xiàn)出低比導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。同時(shí)，該產(chǎn)品具備低密勒電容，開關(guān)速度快，在高頻開關(guān)情況下?lián)p耗低。在電性參數(shù)上，其優(yōu)秀的電容和 Qg 特性，使得開關(guān)時(shí)間較短且損耗較小，擊穿電壓穩(wěn)定達(dá)到 60V 以上，具備工業(yè)級(jí)的高可靠性。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，本產(chǎn)品可廣泛適用于儲(chǔ)能電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具、無人機(jī)、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心電源、快充電源適配器等行業(yè)。得益于其低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)，能夠滿足這些領(lǐng)域?qū)Ω咝堋⒏呖煽啃噪娮釉男枨螅瑸橄嚓P(guān)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和性能提升提供有力支持。

YJ楊杰

楊杰推出SGT工藝N60V MOSFET新品

揚(yáng)杰科技近期隆重推出專為清潔能源領(lǐng)域打造的N60V MOSFET系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品運(yùn)用特殊優(yōu)化的 SGT 技術(shù)，在降低導(dǎo)電和柵極電荷方面表現(xiàn)出色，顯著減少了導(dǎo)通和開關(guān)過程中的損耗，同時(shí)有效提升了 MOSFET 抗沖擊電流的能力，使其成為高功率密度與高效率電力電子變換系統(tǒng)的理想選擇。

產(chǎn)品具有諸多亮點(diǎn)。首先，采用優(yōu)化的 SGT 工藝，內(nèi)阻低且開關(guān)特性優(yōu)異。其次，具備耐高溫特性，能在 175℃的工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)擁有出色的散熱性能和良好的溫升表現(xiàn)。在封裝方面，采用 TOLL、TO-263 等封裝形式，適用于 BMS 等大功率應(yīng)用場景。此外，針對(duì)工控應(yīng)用的多種復(fù)雜工作狀態(tài)，對(duì)MOS產(chǎn)品EA 能力進(jìn)行優(yōu)化，大幅提高了產(chǎn)品的可靠性，可在BMS、DC-DC、儲(chǔ)能、光伏微逆等領(lǐng)域應(yīng)用。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

功率半導(dǎo)體行業(yè)正不斷突破升級(jí)。從低電壓到高耐壓，從高導(dǎo)阻到低損耗，各品類產(chǎn)品持續(xù)優(yōu)化，封裝工藝日益精湛，應(yīng)用場景也愈發(fā)廣泛。每一次技術(shù)演進(jìn)，都為電源系統(tǒng)效率與可靠性帶來質(zhì)的飛躍，推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、工業(yè)設(shè)備等多領(lǐng)域快速發(fā)展。隨著研發(fā)深入與創(chuàng)新加速，功率半導(dǎo)體還將不斷迭代，為全球電子產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)大動(dòng)力，引領(lǐng)行業(yè)邁向更高臺(tái)階。

以上便是本次多款功率器件新品匯總的全部內(nèi)容，如您需要持續(xù)了解功率半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向，您可以關(guān)注充電頭網(wǎng)，我們將會(huì)持續(xù)為您整理業(yè)界最新動(dòng)向。

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