深愛半導體發(fā)布全新IPM模塊

SISE

IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB 空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本，在小型家電中實現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。

（圖1 典型電路）

突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對家電與工業(yè)驅(qū)動領(lǐng)域?qū)Ω咝省O致緊湊、超強可靠性與成本控制的嚴苛需求，深愛半導體重磅推出 SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障！

（表1 深愛半導體單相IPM選型表）

（表2 不同工藝平臺特點）

深愛高性能半橋功率模塊SIC213XBER和SIC214XBER系列針對不同應用需求提供豐富的型號選擇，并兼具以下四大優(yōu)勢：

01銅甲"芯"安

全新ESOP-9封裝，集成背面大面積裸露銅散熱焊盤，協(xié)同低熱阻設計，實現(xiàn)極佳散熱。核心結(jié)溫顯著降低，不僅提升功率密度，更大幅增強高溫工況下的長期可靠性，助力小型化設計挑戰(zhàn)迎刃而解。

（圖2 ESOP-9封裝）

 

02“芯”跳監(jiān)測

集成VTS溫度輸出，讓您通過MCU實時監(jiān)控模塊“體溫”，大幅提升系統(tǒng)預測性維護能力與運行安全，有效規(guī)避過熱失效風險。

（圖3 TVS腳輸出檢測電壓）

03“靜”益求精

新一代工藝MOSFET，反向恢復和開通功耗顯著降低！ 帶來更高轉(zhuǎn)換效率與顯著優(yōu)化的EMI表現(xiàn)，讓設備運行更安靜、更持久。

（圖4 不同工藝反向恢復對比）

（圖4 不同工藝開通功耗對比）

04“安”芯守護

內(nèi)置高側(cè)欠壓保護(UVLO)及死區(qū)互鎖，構(gòu)筑雙重防線，有效防止啟動異常與橋臂直通損壞，將系統(tǒng)風險降至最低，保障終端產(chǎn)品品質(zhì)與口碑。應用電路高度集成，外圍極簡，加速您的上市時間！

（圖5 輸入/輸出時序圖）

SIC213XBER/SIC214XBER系列的發(fā)布，彰顯了深愛半導體引領(lǐng)功率集成技術(shù)革新，助力全球客戶踐行高效低碳發(fā)展的堅定承諾。我們深刻理解高速風筒、變頻水泵、高壓吊扇等應用對動力核心的極致要求。深愛半導體將持續(xù)以尖端技術(shù)與可靠品質(zhì)，為家電與工業(yè)驅(qū)動客戶提供超越期待的功率解決方案。