前言
隨Ai數(shù)據(jù)中心耗電量日益增長,服務(wù)器電源效率成為該領(lǐng)域被頻繁關(guān)注的問題,因此,80PLUS Ruby(紅寶石)認(rèn)證適時推出,針對數(shù)據(jù)中心常用的230V~480Vac以及380Vdc電壓段制定了更嚴(yán)格的效率要求。該新認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求5%負(fù)載時效率超過90%,而在50%負(fù)載和100%負(fù)載下,效率分別需要超過96.5和92%,可謂是史上最嚴(yán)格的80PLUS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),屆時可助力企業(yè)選擇更具效率的電源產(chǎn)品。
近期,充電頭網(wǎng)了解到,納微針對數(shù)據(jù)中心電源市場推出一款12kW OCP電源參考設(shè)計,該電源是基于納微Gen-3Fast和GaNSafe平臺研發(fā)的創(chuàng)新產(chǎn)品。據(jù)悉,該產(chǎn)品277Vac峰值效率可達97.8%以上,滿載效率可達96.9%以上,遠超80 PLUS Ruby認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)需求,用于替換原有鈦金標(biāo)準(zhǔn)電源,每年可為相關(guān)企業(yè)節(jié)約可觀的電費支出。
納微12kW OCP AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計
納微本次推出12kW OCP AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計相較于目前常用的5.5kW供電方案,該方案將輸出功率提升兩倍以上,體積僅增加不到1/4,等效功率密度提升77%,完美解決當(dāng)下數(shù)據(jù)中心供電難題,同時滿足80 PLUS紅寶石認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。
該電源參考設(shè)計方案具體參數(shù)如下:輸入電壓范圍為180~305 Vac寬幅設(shè)計,支持277 Vac電壓工況;207Vac以上最高輸出12kW,低于該閾值時輸出10kW,支持50V 240A MAX輸出;峰值效率97.5%,額定滿載效率超過96.5%;12kW斷電工控下可維持20ms輸出,浪涌電流控制為穩(wěn)態(tài)電流的三倍;尺寸為790×73.5×40mm,對比當(dāng)下5.5kW設(shè)計,僅在長度上多150mm,功率密度可達85 W/inch³;同時,該參考設(shè)計具備防雷功能以及主動均流功能及過流、過壓、欠壓、過熱保護機制,內(nèi)部采用雙排風(fēng)扇散熱。
另外,該12kW OCP電源參考設(shè)計方案采用Gen-3Fast碳化硅MOSFET、IntelliWeave數(shù)字技術(shù),以及高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片,通過三相交錯TP-PFC和FB-LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),實現(xiàn)了更極致的效率與性能,同時元件布局極簡。
三相交錯TP-PFC拓?fù)?/span>
該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由采用“溝槽輔助平面柵”技術(shù)的Gen-3Fast碳化硅MOSFET驅(qū)動。憑借納微半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域超過20年的技術(shù)積累,該技術(shù)在全溫度范圍內(nèi)展現(xiàn)卓越性能,具備低溫升、快速開關(guān)和出色的魯棒性。它能夠為電動汽車提供更快速的充電能力,或使AI數(shù)據(jù)中心的功率提升3倍。
IntelliWeave數(shù)字控制技術(shù)
納微半導(dǎo)體獨家的IntelliWeave數(shù)字控制技術(shù),融合了臨界導(dǎo)通模式(CrCM)與連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的混合控制策略,能夠覆蓋從輕載到滿載的全工況。在保持簡潔設(shè)計的同時,最大化效率,相比傳統(tǒng)CCM方案,可降低30%的功率損耗。
三相交錯FB-LLC拓?fù)?/span>
該拓?fù)溆杉{微半導(dǎo)體的第四代GaNSafe氮化鎵功率芯片驅(qū)動。這款芯片集成了控制、驅(qū)動、感測和關(guān)鍵保護功能,為高功率應(yīng)用提供了前所未有的可靠性和魯棒性。GaNSafe是全球氮化鎵功率芯片的安全標(biāo)桿,具備最大延遲僅350ns的短路保護、所有引腳均具備2kV HBM ESD保護、消除負(fù)柵極驅(qū)動并具備可編程的斜率控制,上述所有功能僅通過芯片的4個引腳實現(xiàn),封裝方式與普通氮化鎵FET相同,無需額外的VCC引腳。650V的GaNSafe提供TOLL與TOLT封裝,適用于1kW至22kW的應(yīng)用場景,其導(dǎo)阻典型值范圍為18mΩ至70mΩ。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
納微本次推出的12kW OCP AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計,峰值效率達97.8%,遠超80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)。同時相比以往5.5kW方案,功率提升兩倍以上,體積僅增加不到1/4,功率密度顯著提升。同時,該電源方案內(nèi)置納微Gen-3Fast碳化硅MOSFET、GaNSafe氮化鎵芯片,結(jié)合先進拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、穩(wěn)定且高效的電源解決方案,助力相關(guān)企業(yè)每年節(jié)約數(shù)額可觀的電費支出。
納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼: NVTS)是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司,于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護集成在一起,為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
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