前言

MOCVD外延設備是一種用于在襯底上生長化合物半導體單晶薄膜的精密設備。它通過將Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，在高溫下進行熱分解反應，從而實現氣相外延生長，可用于制備半導體材料GaN。

近年來，中國企業在MOCVD設備領域取得重要突破，逐步打破海外企業壟斷。而今年6月，充電頭網了解到無錫先為科技完全自主知識產權的自主研發GaN MOCVD BrillMO外延設備已成功發貨，能夠顯著提升GaN器件生產效率并降低使用成本。

先為科技自主研發的首臺GaN MOCVD Brillmo外延設備正式交付

2025年6月16日，無錫先為科技有限公司（下文簡稱“先為科技”）自主研發的首臺GaN MOCVD Brillmo外延設備正式交付國內頭部化合物半導體企業，標志著公司在化合物半導體裝備領域取得重大突破。

江蘇省半導體行業協會秘書長秦舒、無錫市集成電路學會秘書長周德金、江南大學集成電路學院教授敖金平、先導集團董事長王燕清等嘉賓出席發貨儀式并致辭。

本次交付的設備性能達行業領先水平，其獨特的溫場和流場設計確保高質量成膜，為功率芯片、射頻芯片及Micro LED芯片的GaN外延制造提供堅實保障。設備兼具高產能與低成本優勢，可顯著提升客戶生產效率，提供優異的GaN外延加工解決方案。

充電頭網總結

作為先為科技正向自主研發的成果，該設備擁有完全自主知識產權，有力推動了化合物半導體外延設備的國產化進程。此次交付不僅是先為科技發展的里程碑，也是先導集團“裝備自主”戰略在半導體領域的又一重要成果。

無錫先為科技有限公司（簡稱"先為科技"）是一家致力于化合物半導體外延設備的研發、制造與銷售的創新型和科技型企業，為全球客戶提供高端化合物半導體外延設備與服務。

先為科技是先導集團在半導體產業的關鍵企業，公司依托集團在高端裝備制造領域的深厚積累，在化合物半導體外延設備領域，擁有正向研發且知識產權自主可控的GaN MOCVD外延設備、SiC Epi外延設備，應用于功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片及碳化硅功率芯片的生產制造，各項性能均達到行業領先水平，為客戶提供高可靠性、高性能的量產外延裝備及全生命周期解決方案。