專為高功率密度應用而設計的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝，采用創新的柵極中置布局技術，可大幅簡化 PCB 走線設計。

日前，集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源極朝下（Source Down）封裝技術的AONK40202 25V MOSFET。該產品專為高功率密度DC-DC應用設計，可完美滿足AI服務器和數據中心電源系統的嚴苛需求。AONK40202的創新源極朝下封裝技術，使源極與PCB有較大的接觸面積從而優化散熱與電氣性能，同時其柵極中置布局簡化了PCB上走線設計，最大限度地減少柵極驅動器連接，進一步提升能效與系統可靠性。

AONK40202 MOSFET 具有出色的電流處理能力，其采用帶夾片（Clip）的 DFN3.3x3.3 源極朝下封裝技術，可提供高達319A 的持續電流，最高結溫高達 175°C。這一設計為系統級性能帶來顯著提升，不僅能優化散熱表現，還可實現更高的功率密度和能效水平。

技術亮點

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：萬國半導體） 是專注于設計、開發生產與全球銷售一體的功率半導體公司，產品包括Power MOSFET、SiC、IGBT、IPM、TVS、高壓驅動器、功率IC和數字電源產品等。AOS積累了豐富的知識產權和技術經驗，涵蓋了功率半導體行業的最新進展，使我們能夠推出創新產品，滿足先進電子設備日益復雜的電源需求。AOS的差異化優勢在于通過其先進的分立器件和IC半導體工藝制程、產品設計及先進封裝技術相結合，開發出高性能的電源管理解決方案。AOS 的產品組合主要面向高需求應用領域，包括便攜式計算機、顯卡、數據中心、AI 服務器、智能手機、面向消費類和工業類電機控制、電視、照明設備、汽車電子以及各類設備的電源供應。