前言

每年的6月14日，被業界正式定為 “世界碳化硅日”。這一日期的選擇結合了碳化硅（SiC）的兩種組成元素——碳（C，原子序號 6）和硅（Si，原子序號 14）在元素周期表中的位置。將6月14日設立為紀念日，體現了行業對這種戰略半導體材料的高度認可，也彰顯了業界對碳化硅這一材料的崇高敬意，寓意著碳化硅在現代科技發展中不可或缺的重要地位。

在這個特殊的碳化硅日，充電頭網邀請眾多碳化硅企業，一同向這里程碑意義的半導體材料表達敬意。以下為這些企業對碳化硅的展望。

本文排序不分先后，按企業英文首字母順序排列。

大咖說

ALKAIDSEMI瑤芯微

市場總監史獻冰

在碳化硅領域，瑤芯憑借核心技術，一路乘風破浪。我們堅持自主研發，技術快速迭代，目前碳化硅 MOSFET 已迭代至第五代，核心性能指標RSP比肩全球一線品牌，技術優勢顯著。

我們不僅有過硬的技術，還率先布局國產供應鏈，從襯底、外延、晶圓制造及封測，都選用國內頂尖供應鏈資源，尤其是與我們的晶圓代工廠芯聯集成深度綁定，一體化合作，不僅獲得了充分的研發資源支持、降低了成本，還保障了供貨穩定性，打破海外壟斷格局，讓客戶用上高品質、高性價比且供應無憂的產品。

成本控制上，技術迭代與供應鏈優化雙管齊下，在產業鏈各環節深挖降本潛力。同時，我們嚴守質量關，產品經超2倍車規級標準認證及嚴苛考核，出貨前老化測試，確保顆顆高品質。依托成熟的供應鏈體系和彈性生產計劃，確保穩定供應，全方位滿足客戶需求，助力行業蓬勃發展。

ARK方舟微

研發經理趙興杰

值此世界碳化硅日之際，我們深刻感受到碳化硅（SiC）技術正在充電領域引領一場深刻的技術革新。作為第三代半導體的核心材料，SiC憑借其寬禁帶特性帶來的高擊穿場強、低導通損耗、優異高頻特性以及出色的熱穩定性，正推動快充技術實現質的飛躍。

在消費電子領域，SiC快充方案可將效率提升10%-15%，同時體積縮小30%以上，讓百瓦級快充設備化身為指尖藝術品。在新能源汽車領域，碳化硅逆變器與車載充電機（OBC）的協同應用，則能顯著提升充電功率、降低整車能耗，從而有效提升車輛續航表現。

成都方舟微電子（ARK）作為國內唯一專注于耗盡型MOSFET設計的公司，其自主研發的耗盡型MOSFET獨具特色。該方案能有效降低系統靜態功耗、簡化電路設計并節省PCB空間，成為SiC快充方案的理想搭檔。兩者協同，共同賦能充電技術向更高效、更綠色的未來邁進。

Global Powertech 泰科天潤

泰科天潤應用測試中心總監高遠

在快充技術迭代的浪潮中，碳化硅器件以其高頻、高效、耐高溫的特性，助力充電設備突破功率密度與能量轉換效率的極限。

值此世界碳化硅日，泰科天潤作為深耕碳化硅（SiC）晶圓、芯片、功率器件制造及應用解決方案提供商，深感榮幸與責任。我們始終聚焦器件設計優化與芯片工藝創新，攻克器件封裝等關鍵技術難題，推動國產碳化硅芯片在可靠性、性價比上實現突破。助力安克、倍思、綠聯、閃極等合作伙伴提高開關頻率、提高功率密度、提升充電效率、大幅減少系統體積。每一次技術迭代，都是對"更高效、更節能、更可靠"目標的踐行。

我們深知，碳化硅產業化是跨越材料科學、器件物理與制造工藝的系統工程。未來，我們將持續加大研發投入，推動6英寸/8英寸碳化硅晶圓量產進程，降低應用成本。同時布局充電樁、電動汽車、光伏與儲能、5G通信、工業電源等應用場景，讓碳化硅技術惠及更多領域。

Navitas 納微

納微半導體全球高級副總裁兼亞太區總經理查瑩杰

6月14日是一年一度的世界碳化硅日，在這個行業歡慶的日子里，納微半導體深感榮幸與自豪。自投身碳化硅領域以來，我們一路見證并參與著它的蓬勃發展。

納微GeneSiC有著超過20年的碳化硅創新積累，憑借著領先的“溝槽輔助平面柵”碳化硅技術，實現了多維度行業突破。在AI數據中心領域，納微成功打造了全球首款12kW OCP 紅寶石級AI數據中心電源參考設計，率先為AI 算力的爆發式增長構建了堅實的能源基座；在如火如荼的新能源汽車賽道，車規級第三代快速碳化硅廣泛導入了國內頭部車企供應鏈，為多個爆款車型開發了行業領先的OBC方案。

今天，我們向每一位為碳化硅發展拼搏的同行致敬。未來，納微將繼續秉持創新精神，與產業鏈各方緊密合作，拓展碳化硅應用邊界，助力全球科技與能源產業邁向新高度。

INGACOM英嘉通

功率應用總監劉亮

第三代半導體材料碳化硅功率芯片由于材料特性的支持具有遠超于硅基 IGBT 的性能和系統成本/效率優勢，是全球一致公認未來幾十年高壓大功率應用場景的首選半導體產業方向。碳化硅功率芯片是新能源汽車三電（電池/電機/電控）的電控核心，是純電/插混/氫能源車的動力核心。美軍已在航母/核潛艇/艦船/F22/F35 戰機規模應用碳化硅芯片，歐美國家也在鐵路機車、電網、民用船舶等領域批量應用。英嘉通半導體主要聚焦第三代半導體的研發和銷售，主要產品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射頻器件等。產品應用于消費、工業和汽車等領域。英嘉通的GaN器件就是倚天劍，突破消費和通信領域，英嘉通SiC器件就是屠龍刀，氣貫長虹。刀劍合璧，馬到成功。

SHIKUES 時科

總經理顏曉東

6月14日是世界碳化硅日，我們為這項改變能源轉換效率的技術致敬。碳化硅，作為第三代半導體的核心材料，正重塑充電、能源、汽車等高功率應用領域的未來。

時科持續聚焦碳化硅器件的研發與應用，旗下SKSCxxNxxx系列SIC MOS（750V-1700V）與Q-SSCxxxx系列SIC肖特基二極管（650V-1200V）已在多類快充、電驅、光伏逆變等高頻高壓場景中廣泛部署。我們的產品具備可忽略的反向恢復時間、極低的開關損耗，支持更高頻率、更小體積的系統設計；同時，溫度影響小、散熱要求低，有效降低系統能耗與成本。

我們堅信，碳化硅不僅代表著性能的飛躍，更是綠色能源未來的關鍵。時科將持續以高性能、安全可靠的碳化硅方案，助力產業跨越功率瓶頸，邁向低碳高效的新紀元

Sirius天狼芯

董事長&創始人曾健忠

碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心，正引領能源效率與電力電子技術的革命性突破。

天狼芯的碳化硅MOS及二極管器件憑借卓越的耐高溫、耐高壓性能，以及極低的能量損耗，在市場上贏得了廣泛認可。其高效穩定的特性，已在諸多測試和量產項目中得以驗證，切實為客戶和國產替代創造了價值。?

展望工業領域，碳化硅前景無限。在新能源汽車的快充系統中，它能大幅提升充電效率；于智能電網，可實現更高效的電力傳輸與分配。我們堅信，隨著技術不斷進步與成本降低，碳化硅將在工業各角落全面開花，引領工業發展邁向新高度，天狼芯的SiC器件正以“中國芯”力量——用碳化硅之光，點亮科技可持續之路！

TOPE芯塔

高級市場經理周駿峰

目前SiC行業不斷涌現新機遇、新市場。展望未來，新能源汽車高壓平臺、光儲一體化系統、超高速充電網絡將成為核心增長引擎，工業機器人、數據中心電源等場景逐步放量。智能化制造與系統級創新將推動能效再提升2-3%，支撐碳化硅在智慧能源、高端裝備等戰略領域的全域滲透。

2024年，芯塔電子推出多款極具特色的 SiC MOSFET 系列產品，連獲10項國家發明專利授權。第三代 SiC MOSFET實現量產并獲重大技術突破：流片良率平均98%以上，Chip size 較上一代銳減32%，Rsp躍居國內前列。面對下游客戶多樣化應用場景，我們開發了豐富的封裝形式，以更小尺寸、更低干擾、卓越熱管理與高可靠性，滿足多元市場需求。

未來五年，碳化硅將從“替代性技術”轉向“定義性技術”，重塑電力電子系統設計范式，開啟“高效、緊湊、智能”的能源應用新時代。芯塔電子始終站在產業與技術革新最前沿，全力助推中國電力電子及綠色能源產業高質量發展，引領行業邁向新高度。

X-IPM 芯干線

應用技術總監、合伙人劉歡

以"芯"之力，驅動綠色能源未來——南京芯干線獻禮世界碳化硅日

6月14日世界碳化硅日，是全球科技界對第三代半導體材料創新價值的共同致敬。作為深耕碳化硅（SiC）領域的創新企業，南京芯干線深感使命在肩——我們正以"芯"之力，加速能源革命的進程。

碳化硅以其高頻、高效、耐高溫高壓的物理特性，成為充電技術躍遷的核心引擎。南京芯干線聚焦SiC功率器件研發，突破技術壁壘，推出多款高性能SIC MOSFET及模塊產品，助力新能源汽車、數據中心電源等場景實現能效提升30%以上。在新能源儲能領域，芯干線為國內某頭部商用儲能企業定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產。

面對碳中和的全球命題，我們始終堅信：每一瓦特電能的節約，都是對綠色未來的承諾。芯干線通過持續優化器件結構設計，將SiC材料的性能潛力轉化為實際應用價值，推動設備向小型化、智能化邁進。未來，我們將繼續攜手產業鏈伙伴，以更可靠的國產化方案打破技術壟斷，讓碳化硅技術成為驅動可持續發展的澎湃"芯"動能。

世界碳化硅日不僅是技術創新的里程碑，更是產業共進的集結號。南京芯干線愿與全球同仁并肩，以匠心致“芯”生，共繪綠色能源新圖景。