前言

2025年5月消息，英偉達(dá)其下一代800V HVDC架構(gòu)采用納微半導(dǎo)體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)。這一架構(gòu)旨在為未來(lái)AI計(jì)算負(fù)載提供高效、可擴(kuò)展的電力傳輸解決方案，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)效率與更高可靠性，同時(shí)簡(jiǎn)化基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)。英偉達(dá)選擇與納微合作，為Kyber機(jī)架級(jí)系統(tǒng)及Rubin Ultra等GPU提供系統(tǒng)性供電解決方案。而實(shí)際采用英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)可讓端到端能效提升5%，降低70%的維護(hù)成本，并借助高壓直流電與IT機(jī)架直連技術(shù)顯著降低冷卻成本。

隨著AI算力需求的增長(zhǎng)，現(xiàn)代AI數(shù)據(jù)中心需要配置GW級(jí)供電系統(tǒng)。英偉達(dá)創(chuàng)新性地采用了固態(tài)變壓器和工業(yè)級(jí)整流器，直接將數(shù)據(jù)中心外的13.8kV交流電轉(zhuǎn)換為800V高壓直流電，省去多級(jí)AC/DC和DC/DC變換環(huán)節(jié)，顯著提升了能效與可靠性。

800V高壓直流電的高電壓特性使得在相同功率傳輸要求下，電流強(qiáng)度降低，銅纜直徑減少最高45%。相比之下，傳統(tǒng)54V直流系統(tǒng)若需支持兆瓦級(jí)機(jī)架，將消耗超過(guò)200公斤銅材，這難以滿(mǎn)足吉瓦級(jí)下一代AI數(shù)據(jù)中心的可持續(xù)發(fā)展需求。

納微半導(dǎo)體憑借其在氮化鎵與碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，為AI數(shù)據(jù)中心供電解決方案提供支持。納微的高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片集成了控制、驅(qū)動(dòng)、感測(cè)以及關(guān)鍵的保護(hù)功能，在高功率應(yīng)用中具備卓越的可靠性和魯棒性。這些芯片具備短路保護(hù)（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護(hù)、消除負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)并具備可編程的斜率控制等功能。在二次側(cè)DC-DC變換領(lǐng)域，納微推出了80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專(zhuān)為輸出48V-54V的AI數(shù)據(jù)中心電源優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高速、高效、低占板面積的功率轉(zhuǎn)換。

納微GeneSiC碳化硅產(chǎn)品覆蓋650V至6.5kV超高壓全電壓范圍，已在多個(gè)兆瓦級(jí)儲(chǔ)能并網(wǎng)逆變器項(xiàng)目中成功應(yīng)用。其第三代快速碳化硅MOSFET相較同類(lèi)產(chǎn)品不僅效率顯著提升，外殼溫度也低25°C，同時(shí)使用壽命長(zhǎng)3倍。

納微半導(dǎo)體推出了一系列高性能電源解決方案，包括2023年8月發(fā)布的3.2kW CRPS電源、2024年11月推出的8.5kW AI數(shù)據(jù)中心電源，以及在Computex臺(tái)北國(guó)際電腦展期間全球首發(fā)的12kW AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案。這些產(chǎn)品均采用了氮化鎵或氮化鎵結(jié)合碳化硅技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高功率密度和高效率。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“我們很榮幸能夠參與到NVIDIA 800V HVDC的架構(gòu)建設(shè)當(dāng)中。納微在高功率氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域的創(chuàng)新已開(kāi)拓多個(gè)全球首例，并成功切入AI數(shù)據(jù)中心與電動(dòng)汽車(chē)等新興市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體全面的產(chǎn)品組合使我們能夠支持NVIDIA從電網(wǎng)到GPU的800V HVDC完整電力基建。衷心感謝NVIDIA對(duì)我們技術(shù)實(shí)力與推動(dòng)數(shù)據(jù)中心供電革新的認(rèn)可。”

充電頭網(wǎng)總結(jié)

英偉達(dá)與納微半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)的800V HVDC架構(gòu)，采用先進(jìn)GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術(shù)，助力數(shù)據(jù)中心高效供電，顯著提升端到端能效，降低冷卻壓力和維護(hù)頻次，最終降低數(shù)據(jù)中心整體運(yùn)營(yíng)成本。

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專(zhuān)注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，于2024年迎來(lái)了成立十周年。GaNFast™氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC™碳化硅功率器件是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過(guò)300項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專(zhuān)利。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral®認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

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