充電頭網近日從供應鏈獲悉，業內首款基于GaNsystems氮化鎵芯片的PD快充產品誕生，由USB PD快充專業方案公司研吉電子主導開發。該參考設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出QC3.0 Max 18W (12V/1.5A)；雙口同時輸出時，USB-C口降為45W，USB-A口維持 18W。全系列采用雙面板，最簡化降功率設計理念。

研吉65W 1A1C氮化鎵快充方案DEMO正面元器件布局較為密集，輸入端除了共模電感、保險絲、整流橋之外，還設有三顆JSH萬京源電解電容濾波，單顆規格400V 33μF。

輸出部分同樣設有兩顆萬京源固態電容濾波，此外還有一顆Buck-Bost電感，用于雙口輸出時USB-A口調壓，兩顆Y電容橫跨在初級和次級之間。

變壓器相對來說體積較小。

PCB板背面初級和次級之間有鏤空處理，增加安全距離。

該方案的PWM主控芯片采用了一顆常見的料號，安森美NCP1342，其內置主動X2電容放電和多重完善的保護功能。

安森美 NCP1342 詳細資料。

該方案的核心器件來自GaN systems，型號GS-065-011-1-L，650V耐壓，導阻150mΩ，DFN5x6封裝，支持超高開關頻率，這顆GaN開關管設計時簡化了驅動要求，所以沒有采用外置驅動IC。

GaN systems GS-065-011-1-L詳細規格。

同步整流控制器采用南芯半導體最新的SC3501。這是一款智能次級同步整流控制芯片，用于驅動反激變換器中次級MOSFET。代替肖特基二極管，帶來更高的效率和更低的溫升。當MOSFET的VDS電壓低于導通閾值時，MOSFET導通，當MOSFET的VDS電壓高于關斷閾值時，MOSFET關斷。實時監測MOSFET導通壓降，以減小導通損耗。即使反激變換器工作在電流連續模式時，極為快速的關斷延時可以保證MOSFET的準確動作，可靠性高。

南芯SC3501詳細規格資料。

次級同步整流MOS采用恒泰柯HGN070N12SL，NMOS，耐壓120V，DFN5X6封裝。

恒泰柯HGN070N12SL資料信息。

USB-A接口的升降壓芯片來自MPS，MP28167，2.8-22V輸入，內置開關管，同步升降壓轉換器，并且支持I2C接口控制，用于A口升降壓輸出。

MP28167詳細規格資料。

USB-A口輸出協議芯片采用芯卓UC2611，支持QC3.0、QC2.0、FCP等快充協議。

芯卓UC2611規格資料。

USB-C口協議芯片采用耕源CY2332，一顆高性能的協議IC，支持USB PD3.0/PPS/QC4+快充協議，其采用DFN3x3-14封裝，節省面積。

耕源CY2332詳細規格資料。

充電頭網總結

氮化鎵PD快充已經成為時下最受歡迎的產品，在2020年上半年，市面上65W氮化鎵充電器更是出現扎堆上市的局面，并取得不錯的銷量。結合手機、筆電廠商的產品布局來看，在未來幾年內，65W氮化鎵快充依然是市場的主流。

作為一家專業研發USB PD2.0/3.0、QC3.0/4.0充電器、適配器、移動電源、車充為主導的方案設計公司，研吉擁有一支由行業內從業多年、有資深經驗的頂尖RD人員組成的研發團隊。能夠為客戶提供最專業的方案和PCBA，為客戶節省了研發費用，縮短了研發周期，快速搶占市場。

在氮化鎵快充成為主流之際，研吉憑借在USB PD快充領域的開發經驗，并結合自身與眾多芯片原廠的深度合作，開發出了業內首款基于GaN Systems氮化鎵芯片的65W 1A1C快充，極大豐富了目前氮化鎵快充方案類型，為客戶提供了具有差異化和競爭力的方案。

如需了解研吉更多氮化鎵快充方案，可以與研吉業務人員取得聯系。

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