GaN被譽為繼第一代Ge、Si半導體材料，第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。氮化鎵具有的優異特性和廣泛的應用前景使其成為新一代半導體產業發展的焦點。

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一、英諾賽科8英寸硅基氮化鎵驚艷亮相APEC

英諾賽科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海歸團隊發起， 并集合了眾多國內外精英聯合創辦的寬禁帶半導體電力電子器件研發與生產的高科技企業。短短三年時間里， 憑借其團隊雄厚的研發實力和生產技術，在產品開發上取得非常亮眼的成績，英諾賽科快速成長為國內第三代半導體研發與生產的先鋒企業。英諾賽科此次作為中國氮化鎵領域的代表企業出席APEC2019，標志著中國8英寸氮化鎵產品正式走出國門，亮相國際舞臺。

與傳統的6英寸相比，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵晶圓面積增加84%，這將從產業鏈頂端降低氮化鎵器件的成本，對推動氮化鎵的普及有著深遠意義，引起全球電源應用領域的廣泛關注。?

不少國外同行紛紛前往展臺參觀交流，上圖為Panasonic松下公司的X-GaN氮化鎵產品線相關負責人參觀英諾賽科8英寸硅基氮化鎵晶圓。?

二、英諾賽科多款新品亮相APEC2019

氮化鎵應用領域非常廣泛，英諾賽科在APEC2019展會上就向大家帶來多種基于自家8英寸硅基氮化鎵的應用：45W USB PD快充適配器、1KW圖騰柱PFC應用、30W LED照明驅動、36W DC-DC Converter、35W車載充電器、5-10W無線充電器。

45W USB PD快充適配器：

輸入電壓90-264V；輸出3.3V-20V/45W，支持USB PD3.0和QC3.0；拓撲結構：有源鉗位反激變換器；最高效率：95.1%；尺寸（帶機殼）：52mm*43mm*24mm；功率密度（帶機殼）：13.7W/ in3。

1KW圖騰柱PFC應用：

輸入電壓范圍90-264V；輸出：380Vdc/1KW；拓撲結構：圖騰柱PFC；最高效率：99.1%；開關頻率：65KHz；功率密度：43 W/ in3。

30W LED照明驅動：

輸入電壓范圍90-264V；輸出：30W/80V；最大開關頻率：840KHz；輸出效率：90%以上；Demo尺寸：82mm*16mm*10mm；功率密度：37W/ in3。

36W DC-DC變換器：

輸入電壓范圍16-60V；輸出：12V/3A；拓撲結構：同步Buck變換器；最高效率：96.6%@24V輸入，1MHz；Demo尺寸：21mm*23mm*6.3mm；功率密度：197W/ in3。

35W車載充電器：

輸入電壓范圍10-28V；輸出：5V/7A；拓撲結構：同步Buck變換器；最高效率：96%@12V輸入，1MHz；Demo尺寸：21mm*23mm*6.3mm；功率密度：192W/ in3。

5-10W無線充電器：

輸入電壓范圍20V；輸出：5.0V/5W-10W；拓撲結構：Φ2逆變器+Buck變換器；開關頻率：6.78MHz；充電優點：無需對準，無需緊貼。

三、總結

英諾賽科采用IDM全產業鏈模式，成功在中國建立了一條涵蓋研發、設計、生產、測試、銷售、市場、技術支持等在內的完整的GaN產業鏈，為當前中國第三代半導體制造的領軍企業。

以英諾賽科為代表的中國氮化鎵企業無疑將促進氮化鎵平民化，加速第三代半導體的大面積商用普及，助力5G、人工智能等典型氮化鎵應用領域的發展，讓大眾早日使用上更為先進的技術。

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