AOZ5517MQI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持60A持續(xù)輸出，包含兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅(qū)動器。這些MOSFET針對同步降壓配置進行了單獨優(yōu)化。高壓側(cè)MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)低電容和低柵極電荷，以實現(xiàn)快速切換和低占空比操作。低壓側(cè)MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻，可最小化傳導(dǎo)損耗。緊湊的QFN封裝可最小化寄生電感，從而實現(xiàn)極低的電磁干擾(EMI)特性。

AOZ5517MQI支持PWM和/或FCCM輸入，可實現(xiàn)對功率MOSFET切換活動的精確控制，與5V CMOS邏輯兼容，并支持三態(tài)PWM。AOZ5517MQI驅(qū)動器中集成了自舉二極管。低壓側(cè)MOSFET可以被驅(qū)動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。引腳布局也針對低寄生參數(shù)進行了優(yōu)化，將其影響降至最低。