一顆耐壓150V，導阻為3.9m?的NMOS，采用VitoMOSⅡ技術制造，具有更低的導通損耗和開關損耗以及優越的開關性能，并通過優化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，將開關損耗降至更低。