一顆耐壓150V，導阻為3.9m?的NMOS，采用VitoMOSⅡ技術(shù)制造，具有更低的導通損耗和開關(guān)損耗以及優(yōu)越的開關(guān)性能，并通過優(yōu)化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，將開關(guān)損耗降至更低。