海威華芯成立于2010年，位于成都市雙流區，是國內較早提供6吋砷化鎵和6吋氮化鎵純晶圓制造（Foundry）服務的芯片制造企業。海威華芯投資21億元，于2015年在中國建成了6吋砷化鎵/氮化鎵半導體集成電路芯片軍民兩用商業化生產線。2021年成功完成第三輪融資近20億元，新的融資將持續用于開展化合物半導體芯片技術能力的突破及產能的提升，使海威華芯的技術能力持續保持領先，為行業內客戶提供更為優質的服務。

公司規劃用地225畝，擁有成熟的化合物半導體生產加工設備1200余臺套，均為量產型機臺，性能穩定、生產效率高、加工精度高。海威華芯建立了完整的技術團隊，聚集多名國際知名咨詢專家，國際大廠的生產制造人才，國內外知名院校的博士、博士后，人才梯隊完整。

 海威華芯是面向國內外提供6吋砷化鎵/氮化鎵半導體集成電路晶圓制造（Foundry）的芯片制造企業，其"6吋GaAs/GaN生產線"是半導體產業鏈不可或缺的重要環節，已達到業內先進水平。目前，公司在化合物半導體制造領域已取得較為突出的成果，成為國內知名的化合物半導體制造企業之一，其開發的第二/三代化合物半導體制程，實現了多項技術國內第一，大尺寸碳化硅基氮化鎵晶圓制造技術甚至達到亞洲領先的水平。

公司主要制程產品包括：6吋砷化鎵0.15μm、 0.25μm pHEMT制程，6吋GaN 0.15um、0.25um 、0.5um制程，SiC SBD制程，SiC MOSFET制程，光電VCSEL、LD、PD芯片制程等，能夠滿足客戶在射頻、電力電子、光通訊、激光3D感知等芯片領域的流片服務需求。