智能手機發展到今天,強勁的處理器和更大的屏幕,使得手機電池的容量一再提升,更快的充電成為提升手機使用體驗的一項重要指標。傳統大電流充電,需要更粗的線纜來抵消掉線纜上的壓降,也需要耐大電流的接口,來承載更大的充電電流。對用戶來說還是不太方便的,那么有沒有一種解決方案可以讓充電速度加快,又不需要對用戶體驗造成太大影響呢?在這個環境背景下,高通快速充電應運而生了。
高通快速充電2.0是提供了更高的電壓,相同的電流,使得充電器輸出到手機上的功率加大,減少電池的充電時間。在2.0推出以后,為了減小手機端在電壓轉換過程中的發熱,高通又推出了快速充電3.0,簡稱QC3.0,最主要是在QC2.0幾個固定電壓的標準上,進一步細化,可以以200mV檔次來微調電壓。使用QC3.0,手機與充電器之間可以“互相協商”,動態調節充電功率,從而使充電達到最優化的速度,發熱降到最低。
安森美半導體致力于推動高能效創新,是全球電源方案的領袖,為配合新一代快速充電技術,公司推出符合新的高通QC 3.0的AC-DC適配器方案,支持更小尺寸的適配器,具有能效高、空載待機能耗低等優勢,支持高通QC 3.0高壓專用充電端口(HVDCP)A級和B級規格,和向下兼容舊的QC 2.0協議,并符合UL認證和歐盟能效標準(CoC V5 Tier-2)要求,提供領先業界的高能效。該方案集成NCP4371次級端充電控制器、NCP4308同步整流(SR)控制器和NCP1361/6初級端穩流準諧振(QR) PWM控制器。
安森美NCP4371 QC3.0識別芯片:
?4371
NCP4371支持QC3.0 A/B兩種規格,內置恒壓和恒功率輸出兩種模式、無需外加TL431等穩壓器、同時具備內部或者外部放電降壓功能,提供SO-8封裝。
安森美NCP4308 同步整流控制器:
4308
NCP4308提供8A灌電流和4A拉電流驅動能力,有效幫助使用高Qg,低Rds的MOSFET,可驅動GaN功率器件以提高同步整流效率、支持CCM/DCM/QR反激/LLC模式下應用。最高工作頻率高達1MHz、工作電壓高至35V、
超快關斷觸發、可調節的最小導通/關斷時間、自適應門極驅動、精密的真正的零電流檢測(ZCD)、低啟動電流和低待機電流,提供SO-8和DFN-8封裝。
安森美NCP1361 初級PWM控制器:
1361
NCP1361內建軟啟動、逐周期過流保護、輸出低壓/過壓保護、寬工作電壓功能。提供SO-7和TSOP-6封裝。
以上方案為我們在高效快速充電器上,提供了一個新的高效率的選擇,也為其他電源方案選型帶來了新的參考,在提高效率,降低損耗的道路上前進。