在這樣的大環(huán)境與市場(chǎng)需求下,士蘭微電子針對(duì)行業(yè)用戶需求,推出了SVF65R950CMJ/Q (TO-251插件)/D(TO-252貼片)系列專為小體積快充充電器設(shè)計(jì)的初級(jí)高壓MOS。
產(chǎn)品介紹
士蘭微SVF65R950CMJ/Q/D溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用F-Cell平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。該產(chǎn)品可廣泛用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。

(1)芯片:士蘭微SVF65R950CMJ/Q/D芯片采用平底元胞設(shè)計(jì),提高了器件擊穿電壓;更小尺寸的GR環(huán),提高了器件可靠性;開關(guān)速度和EAS能力也有所提高。整體性能與ST的SuperMesh,F(xiàn)airchild的UniFet技術(shù)類似。
(2)封裝: 士蘭微依托先進(jìn)的工藝技術(shù)將Rdson 0.85歐的高壓Mosfet芯片封進(jìn)TO-251/TO-252封裝里面。
(3)性能:此顆料號(hào)成功避免了使用Coolmos 的EMI困擾難題,同時(shí)減少外圍器件,使整個(gè)PCB板布局緊湊。
(4)價(jià)格:相比TO-262,TO-263, TO-220F等其他封裝,SVF65R950CMJ/Q/D這個(gè)封裝成本具有價(jià)格優(yōu)勢(shì),更具備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

目前,士蘭微高壓mos已經(jīng)成功導(dǎo)入到魅族、樂視、VIVO、酷派等一線手機(jī)品牌充電器供應(yīng)鏈,正在大批量出貨。需要這款產(chǎn)品樣片、PDF和datasheet的小伙伴,歡迎添加充電頭網(wǎng)微信號(hào)chongdiantou2015免費(fèi)提供。

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