前言

能華推出了一款120W高性價比氮化鎵適配器方案，這款電源方案為PFC+反激架構，支持90-264Vac輸入電壓，輸出為24V5A，額定輸出功率為120W。這款電源方案為長方形外觀，符合適配器殼體設計。

適配器方案PFC開關管采用能華CE65H160TOAIF，反激開關管采用CE65H270TOAIF，兩顆開關管均為TO220F封裝，并配有散熱片。下面充電頭網就帶來能華這款120W高性價比氮化鎵適配器方案的解析，一起看看方案的用料和設計。

能華120W高性價比氮化鎵適配器方案外觀

120W高性價比氮化鎵適配器DEMO設計得相當小巧，在PCB板正面配置有兩塊散熱片，用于幫助PFC升壓開關管以及開關電源初級開關管散熱。

DEMO設計的很小情況下，PCB板仍富有余量，板子正面器件間留有相當的空隙，后期可注膠加固器件和進一步輔助散熱。

PCB板背面為整流橋、主控芯片、貼片Y電容、同步整流管等貼片型器件，可有效降低DMEO整體厚度。

實測DEMO長度為96.32mm。

寬度為50.87mm。

厚度為26.69mm。

整個DEMO拿在手上的大小直觀感受，與傳統印象里的“板磚”適配器相比，基于這款DEMO設計的電源適配器成品也會小很多，對于節省空間和降低用戶出行負擔有明顯提升。

另外測得DEMO重量約為132g。

能華120W高性價比氮化鎵適配器方案解析

適配器輸入端設有保險絲，壓敏電阻，NTC熱敏電阻，安規X2電容和共模電感。

輸入端保險絲規格為5A250V。

10D471K壓敏電阻用于浪涌過電壓保護。

NTC熱敏電阻絲印3D-9，用于抑制上電的沖擊電流。

共模電感采用漆包線和絕緣線繞制。

安規X2電容規格為0.22μF。

第二顆共模電感采用磁環繞制。

整流橋來自深圳市沃爾德實業有限公司，型號WRLSB80M，這顆軟橋通過較軟的恢復曲線，比較平滑的關斷特性，可以降低二極管結電容達到非常少的諧波振蕩產生的效果。選用的LSB封裝，擁有良好的散熱特性，幫助中大瓦數適配器提升可靠性，單顆可做60W+。

沃爾德 WRLSB80M 資料信息。

薄膜濾波電容規格為0.47μF450V。

濾波電感采用磁環繞制。

另一顆薄膜濾波電容型號相同。

PFC控制器來自賽威科技，型號SF6562，是一顆高性能的過渡模式PFC控制器，內置專有的頻率調節以降低系統THD，芯片集成欠壓鎖定，過壓保護，軟啟動控制，逐周期電流限制和輸出過壓保護等保護功能。

PFC開關管使用螺絲固定在散熱片上。

PFC開關管來自能華半導體，型號CE65H160TOAIF，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻160mOhm，極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

能華半導體 CE65H160TOAIF 資料信息，同樣也是TO-220F封裝。

130mΩ電阻用于檢測開關管電流。

PFC升壓電感嚴密纏繞膠帶絕緣。

PFC整流管特寫。

RS5M快恢復二極管用于PFC旁路。

四顆電解電容并聯用于濾波。

電容規格為22μF450V。

開關電源主控芯片采用茂睿芯MK2697，這是專為PD/快充應用優化的QR PWM控制器。

茂睿芯MK2697資料信息。

為主控芯片供電的濾波電容規格為22μF50V。

初級開關管采用能華CE65H270TOAIF氮化鎵器件，這顆Cascode型CoreGaN器件采用能華耗盡型工藝技術，耐壓650V，瞬態耐壓800V，導通內阻270mOhm，極低的門極電荷，使得器件的開關速度快，損耗低，可以大大提高系統能效。

另外其驅動電壓范圍±20V，大大提高了系統可靠性，并且和傳統的Si MOSFET驅動兼容；這顆器件采用TO-220F封裝，成本低，熱容大而且熱阻小，這種封裝可以拓展器件的功率應用范圍，有很強的散熱能力和耐熱沖擊能力，使系統具有更高的熱可靠性。

能華半導體 CE65H270TOAIF 資料信息。

變壓器磁芯嚴密纏繞膠帶絕緣。

貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。料號為TMY1102M。

奧倫德OR1009光耦用于輸出電壓反饋。

同步整流芯片來自茂睿芯，型號MK91816，支持反激拓撲應用，兼容CCM，DCM和QR工作模式。芯片采用自主知識產權的自供電技術為VCC供電，可以直接置于正端應用而無需輔助繞組。

MK91816的10nS的關斷延時以及高達4A的下拉電流幫助系統可靠工作于CCM模式。其自主知識產權的開通及關斷機制，可以最大化外驅MOSFET的導通時間以獲得盡可能高的效率。并且自主檢測DCM振鈴，防止誤開通。

茂睿芯 MK91816 資料信息。

輸出同步整流管來自砹德曼，型號AD120N85D5，耐壓120V，采用PDFN5060封裝。

輸出端焊接兩顆濾波電容和濾波電感。

濾波電容來自瑞隆，規格為470μF35V。

濾波電感采用磁環繞制。

充電頭網總結

充電頭網通過解析發現，由譽爍鑫電子設計的120W高性價比氮化鎵適配器方案，采用方形外觀設計，符合適配器應用。這款適配器方案采用PFC+反激+SR高效架構，使用賽威科技SF6562 PFC控制器搭配茂睿芯MK2697反激控制器，搭配使用能華CE65H160TOAIF和CE65H270TOAIF兩顆耗盡型氮化鎵開關管。器件具有優秀的兼容性，滿足不同功率段的應用需求。公司推出此方案，彰顯了其在電子領域的技術實力和市場敏銳度，必將在行業競爭中取得重要地位。

能華半導體作為國內最早建成氮化鎵功率器件生產線的IDM公司，是一家專業設計、生產和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業。能華半導體是全球少數同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術和耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。目前產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。

深圳市譽爍鑫電子有限公司成立于2006年4月，專注于新型功率半導體芯片的應用，尤其是PD快充芯片的應用開發。譽爍鑫擁有專業的技術團隊以及齊全的測試儀器，可以根據客戶的需求，提供最優化、定制化整體解決方案。同時，譽爍鑫還具有芯片代理業務，主要代理產品有電源IC、協議IC、MOSFET、氮化鎵，其中電源IC的代理品牌有賽威，德普微，茂睿芯，華眾芯微，典芯；協議IC代理品牌有智融、歐姆；MOSFET代理品牌有瑞森、砹德曼；氮化鎵代理品牌有能華。譽爍鑫電子有限公司以快速響應客戶需求、提供個性化服務、壓縮成本為特色，具備強大的供應能力和物流支持，為客戶提供全方位的服務。需要洽談合作，可根據卡片上聯系方式與羅向紅副總聯系。