維普創新這款PCBA上僅有兩顆主要的芯片,為WP8035和WP3010,外圍精簡。其中,WP8035為15W高集成SoC發射芯片,內部集成MCU、驅動IC等。WP3010為全橋MOS,內置4顆MOS,集成度同樣也很高。方案優勢如下:
1、這套方案集成度高,外圍精簡,有助于快速開發、生產和上市銷售。更關鍵的是,BOM成本低,整個BOM成本可控制在個位數的價格以內(包含線圈、PCB板);
2、方案性能強悍,兼容多種無線快充協議,包括LG 15W、蘋果7.5W、三星10W、以及目前最熱門的華為10W無線快充;
3、支持單/雙/三線圈,可用于多種類線圈應用場景。
WPINNO接收器治具
使用WPINNO老化測試治具對維普創新這套方案進行測試,顯示9.20V1.18A。
華為Mate 20 Pro 10W無線快充
使用華為Mate 20 Pro進行測試,屏幕顯示“正在快速無線充電”,證實這套方案支持華為10W無線快充。
維普創新三線圈方案
搭配線圈切換MOS,可組成維普創新三線圈方案。支持多達三個線圈,好處是手機無需對準,即放即充,實現自由位置,帶來更好的使用體驗。
維普創新WP8035:高集成15W無線充SoC發射芯片
WP8035是一顆15W無線充SoC發射芯片,內部集成MCU、驅動IC等。內置32KB Flash,支持板端/USB口雙重升級程序、輸入口支持用戶定義協議輸入。
WP8025/WP8035 無線充系列芯片高集成度,高性能,解決無線充電發射端需求,滿足QI標準V1.2.4版本,同時兼容蘋果7.5W,三星10W,華為10W、LG 15W等多種手機;內部集成MCU,ADC,實現無線充電功能的同時可以實現客戶定制化;同時內部能夠對電流&電壓雙重信號進行解碼,準確的辨別發射端的需求;內部集成算法,能準確識別FOD; 完成各種保護。
維普創新WP3010:四合一全橋MOS芯片
維普創新WP3010四合一全橋MOS芯片,內部集成4顆MOS,集成度高,版面簡潔。全橋MOSFET組合當芯片,適用于無線充電,電機驅動,音頻驅動等多種應用。WP3010擁有的N溝道增強型功率場效應晶體管采用溝槽DMOS技術。這種先進技術特別適合于最小化導通狀態電阻,提供優越的開關性能,以及承受雪崩和換向模式下的高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率快速開關應用。
目前該款芯片方案已經批量出貨,有需求的客戶可以與維普創新取得聯系。
聯系方式
深圳維普創新科技有限公司
電話:0755-86571750
郵箱:service@wpinno.com
網址:www.wpinno.com

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