前言

援引瑞薩電子官網2024年1 月 11 日消息，瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”，TSE：6723）與美國氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm宣布，兩家公司已簽署最終協議，根據該協議，瑞薩電子將以每股 5.10 美元、總額 3.39 億美元（約 24.34 億元人民幣）全現金交易方式收購 Transphorm。

充電頭網觀察到，瑞薩電子和 Transphorm也分別發布了此次雙方合作的官方新聞稿。

Transphorm 是一家全球半導體公司，開發用于高壓功率轉換應用的氮化鎵（GaN）晶體管和模塊。Transphorm以業界領先的IP產品組合以及300多年的GaN工程專業知識為基礎，為不斷增長的客戶群提供最高性能、最高可靠性的GaN設備和一流的應用驅動設計支持。

Transphorm董事會已一致批準最終協議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署最終協議的同時，持有Transphorm約38.6%已發行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協議以支持本次交易。

該交易預計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。

雙方看好未來前景

對于此次雙方強強聯合，瑞薩首席執行官柴田英利和Transphorm聯合創始人、總裁兼首席執行官Primit Parikh博士，以及Transphorm聯合創始人兼首席技術官Umesh Mishra博士均發表了各自觀點，雙方看好未來第三代半導體市場前景。

瑞薩電子觀點

瑞薩電子（TSE: 6723），科技讓生活更輕松，致力于打造更安全、更智能、可持續發展的未來。作為全球微控制器供應商，瑞薩電子融合了在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面的專業知識，提供完整的半導體解決方案。成功產品組合加速汽車、工業、基礎設施及物聯網應用上市，賦能數十億聯網智能設備改善人們的工作和生活方式。

瑞薩首席執行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由來自加州大學圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經驗豐富的團隊所領導的公司。Transphorm GaN技術的加入增強了我們在IGBT和SiC領域的發展勢頭。它將推動和擴大我們的關鍵增長支柱之一的功率產品陣容，使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案。”

Transphorm觀點

Transphorm, Inc.是GaN革新的全球引領者，為高壓功率轉換應用設計和制造高性能和高可靠性的 GaN半導體。Transphorm擁有超過1,000項自有或許可專利的功率GaN IP產品組合，生產業界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓GaN半導體器件。Transphorm的垂直整合設備業務模式允許在每個開發階段進行創新：設計、制造、設備和應用支持。Transphorm的創新使電力電子技術突破了硅的限制，實現了超過99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系統成本。Transphorm 總部位于加利福尼亞州戈利塔，并在日本會津和戈利塔設有制造工廠。

Transphorm聯合創始人、總裁兼首席執行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯合創始人兼首席技術官Umesh Mishra博士表示：“結合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶關系，我們很高興能為WBG材料的行業廣泛采用鋪平道路，為其顯著增長奠定基礎。這項交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展服務，并為我們的股東帶來可觀的即時現金價值。此外，它將為我們杰出的團隊提供一個強大的平臺，以進一步發展Transphorm卓越的GaN技術和產品。”

并購意義

隨著全球對高效電力系統的需求不斷增加，寬禁帶（WBG）材料成為了行業關注的焦點。GaN氮化鎵作為新一代半導體材料，具有更廣泛的電壓和開關頻率范圍，以及更高的效率和更小的體積。憑借低能耗和小型化的優勢，氮化鎵器件的適用范圍極廣。因此，氮化鎵正逐漸成為制造功率半導體的關鍵材料。在這一發展趨勢下，瑞薩電子通過收購Transphorm，進一步擴展了其在WBG產品陣容中的實力，加強在Gan氮化鎵領域的發展.

Transphorm在GaN技術方面具有深厚的專業知識，能夠提供更高效、更小、更輕的解決方案，降低總體成本。這一技術有望在未來幾年內成為行業主流，據市場分析機構預測，氮化鎵器件為功率應用創造的收入將以 56% 的復合年增長率（CAGR）增長，到 2027 年將達到 20 億美元左右（信息來源：Yole，《復合半導體市場監測》 I 2022 年第四季度）。

瑞薩電子長期以來一直是全球領先的半導體解決方案供應商，而這次收購將使其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長的市場中占據更有利的位置。

Transphorm公司實力不俗

Transphorm公司致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵（GaN）半導體功率器件。持有數量極為龐大的知識產權組合，在全球已獲準和等待審批的專利超過1000多項，是業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET的IDM企業之一。得益于垂直整合的業務模式，Transphorm公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新——包括設計、制造、器件和應用支持。

Transphorm氮化鎵（GaN）晶體管的設計可支持現行的以及即將出現的標準，其氮化鎵功率管（GaN FET）可輕松實現當今最高的功率效率和最高的功率密度水平，SuperGaN器件適用于任何控制和驅動電路，為設計人員提供了便捷的可設計性和可驅動性——因此，隨著快充產品越來越好，Transphorm氮化鎵技術也將為所有使用快充的應用助力。

Tranphorm氮化鎵電源轉換設計技術的功率范圍涵蓋幾十瓦至幾千瓦，同時也在不斷創新，以上是其推出過的 1200 V 技術產品TP120H070WS，1200V技術充分利用了Transphorm當前器件組合中使用的性能優越、常關型的氮化鎵平臺。

TP120H070WS已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。目前，Transphorm期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實現了98.7%的效率，超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET。

充電頭網曾多次在不同品牌的拆解中遇到Tranphorm的產品，由于篇幅有限，以下展示部分已經應用在不同領域上的產品型號。

華碩ROG 1600W鈦金牌雷神2代電源ROG-THOR-1600T-GAMING

ROG雷神1600W電源內部共由10塊PCB組成，功能分別對應輸入EMI濾波，整機交錯PFC及全橋LLC控制，同步整流，輸出濾波，DC-DC降壓以及燈光控制，風扇轉速控制等功能，相比傳統電源具備更可靠的保護以及更高的靈活度，對應的小板也可以用于生產不同功率的電源，滿足更多消費者的需求。

在這款高端電源中，我們拆解到了以上這款TP65H050WS產品，是一顆耐壓650V，峰值耐壓800V的氮化鎵開關管，導阻為50mΩ，采用TO247封裝。內部采用雙芯片常閉型的氮化鎵開關管。

Transphorm氮化鎵芯片TP65H300G4LSG

飛宏65W 2C1A USB PD適配器通過氮化鎵技術賦能，利用更小的器件實現更強的性能。使適配器體積僅為(51 x 55.3 x 29 mm)，十分小巧，配備兩個USB-C端口和一個USB-A端口(2C1A)，可同時為三臺設備充電，提供高達65W的USB PD和PPS功能。這款充電器采用了單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，與采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%，節能和性能均有不錯的提高。

在PD快充中，Transphorm就曾推出過這一款氮化鎵功率芯片TP65H300G4LSG，基于Transphorm的第4代GaN平臺打造，除了采用先進的epi和專利設計技術，通過簡化制造工藝降低成本，同時通過降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復電荷提高硅的效率。應用于充電器中的開關管，在氮化鎵技術加持下，相比傳統硅器件提升了能效、開關頻率、系統功率密度的同時減小產品體積、重量，有效降低產品的系統成本。適用于快充充電器、電源適配器及LED照明等應用。

瑞薩電子近年并購盤點

瑞薩成立于2003年，由日立制作所半導體部門和三菱電機半導體部門合并成立，結合了日立與三菱在半導體領域方面的先進技術和豐富經驗。于2010年，瑞薩科技和NEC電子合并經營，全新的半導體專業制造商瑞薩電子誕生，立志于MCU、系統LSI、模擬及功率半導體器件的研發與生產，為全球無線網絡、汽車、消費與工業市場提供核心的半導體產品。

2017年，瑞薩電子收購了美國模擬芯片公司Intersil，開始在電源管理領域進行更大的布局。

2019年瑞薩電子成功收購模擬芯片大廠IDT，本次收購不僅將為公司帶來市場領先的模擬混合信號產品擴展公司現有產品線，而且還將帶來優秀的專業人才，提高瑞薩電子嵌入式解決方案的性能。同時還獲得在射頻（RF）、高性能定時、存儲接口、實時互聯、光互連、無線電源以及智能傳感器方面的技術和產品線，進一步增強了在瑞薩電子在汽車、工業、數據中心市場的領先地位。

2021年，瑞薩電子再創輝煌，完成對Dialog的收購，獲得了低功耗無線連接、電源管理、模擬混合信號等前沿技術，實現向多個終端市場提供多樣化的產品組合，進一步拓寬了瑞薩電子在汽車電子等領域的布局。

2022年，瑞薩電子成功收購Steradian，Steradian是一家提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導體公司，本次收購瑞薩電子可以獲得更多汽車雷達系統簡化設計的解決方案，并有助于加快產品開發。同時，可以借此擴展其在雷達市場的影響力，并提升了汽車和工業傳感解決方案的實力。

2023年，瑞薩電子持續發力。在上半年就完成了對專注于高性能無線產品的無晶圓廠半導體公司Panthronics AG的收購。同時，瑞薩電子發布了13項“成功產品組合”解決方案設計，將瑞薩電子的產品與Panthronics的近場通信（NFC）技術完美結合，進一步增強了瑞薩電子產品陣容的廣度與深度，展示了瑞薩電子產品陣容的持續擴展，特別在連接領域。

充電頭網總結

在當今快速發展的科技行業中，瑞薩電子已成為一股不可忽視的力量。其獨特的創新能力和技術實力，使其在業界樹立了卓越的聲譽。此次并購Tranphorm的消息震驚了全球半導體行業，標志著瑞薩電子在氮化鎵（GaN）功率半導體領域將再次獲得重大突破。本次收購成功后無疑將對全球半導體市場產生深遠影響。瑞薩電子憑借這一戰略舉措鞏固了其在行業中的領先地位，同時也為未來的增長奠定了堅實的基礎。隨著新技術和新材料的不斷涌現，我們期待看到瑞薩電子在未來的更多創新和突破。

信息來源：瑞薩電子官網、 Transphorm官網、充電頭網綜合報道