前言

2023（秋季）亞洲充電展于8月23-25日在深圳福田會(huì)展中心3號(hào)館舉辦，匯聚數(shù)百家知名企業(yè)參展。此次展會(huì)以推動(dòng)充電行業(yè)交流與發(fā)展，打造一個(gè)關(guān)于技術(shù)交流的平臺(tái)為目的，通過(guò)對(duì)行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)的交流和相互間的技術(shù)交流，尋找產(chǎn)業(yè)升級(jí)新機(jī)遇，研判未來(lái)趨勢(shì)，商討行業(yè)觀點(diǎn)并深化合作，結(jié)合國(guó)內(nèi)外經(jīng)濟(jì)發(fā)展情況，推動(dòng)構(gòu)建產(chǎn)業(yè)間的相互合作。

2023年08月23日，由充電頭網(wǎng)發(fā)起的2023（秋季）亞洲快充大會(huì)在深圳福田會(huì)展中心舉行，匯聚了眾多國(guó)內(nèi)外眾多半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的專家、學(xué)者、企業(yè)代表等半導(dǎo)體領(lǐng)域的大咖，互相交流半導(dǎo)體技術(shù)和半導(dǎo)體未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，為大家分享最新半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)和干貨，其中揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：揚(yáng)杰科技）受邀出席，帶來(lái)了《PD快充應(yīng)用領(lǐng)域MOSFET淺談分享》為主題的精彩演講，嘉賓直接從揚(yáng)杰科技的MOSFET優(yōu)勢(shì)及發(fā)展開始講起，揚(yáng)杰科技是中國(guó)唯一，深度垂直一體化全產(chǎn)業(yè)鏈 (IDM) 企業(yè)，揚(yáng)杰的產(chǎn)品從硅晶棒到功率器件，范圍覆蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。于此同時(shí)，揚(yáng)杰的MOSFET產(chǎn)品豐富，可滿足不同功率的PD快充應(yīng)用。

擔(dān)任本次的演講嘉賓是揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司資深業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理郭宗將先生。

郭宗將先生于2001-2008年從事電源開發(fā)設(shè)計(jì)，是國(guó)內(nèi)早期從業(yè)消費(fèi)類電源行業(yè)的資深工程師。2008-2013年任職于外企單位從事FAE技術(shù)支持，曾擔(dān)任安森美，仙童，艾默生等知名外企產(chǎn)品技術(shù)支持和技術(shù)行銷。2014年至今近十年時(shí)間一直從事消費(fèi)類電源充電器領(lǐng)域技術(shù)營(yíng)銷及市場(chǎng)相關(guān)工作。經(jīng)歷見(jiàn)證了行業(yè)從普充到快充到PD的發(fā)展歷程。

本次演講共分為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、PD充電器MOSFET應(yīng)用介紹、揚(yáng)杰MOSFET優(yōu)勢(shì)及發(fā)展3個(gè)部分。

第一部分是手機(jī)充電器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。

手機(jī)充電器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì) (PD快充)。據(jù)鯨芯與充電頭網(wǎng)的調(diào)研分析，PD快充市場(chǎng)未來(lái)幾年的大致方向，預(yù)計(jì)到2024年快充市場(chǎng)出貨量將達(dá)到15億只；國(guó)內(nèi)充電器廠商將兼容到UFCS協(xié)議，實(shí)現(xiàn)一充多用；第三方品牌將從2020年的1%增加到30%，筆充預(yù)計(jì)將被多口PD取代；PD快充迎來(lái)功率的“軍備競(jìng)賽”，240W、300W快充發(fā)布；快充的充電標(biāo)準(zhǔn)將逐漸被完全統(tǒng)一到PD協(xié)議；GaN將成為大功率充電方案的標(biāo)配；SiC將在大功率PD充電方案中普遍應(yīng)用；大功率快充對(duì)被動(dòng)元器件提出更高的性能要求。

22年開始快充技術(shù)已經(jīng)從最初的手機(jī)出發(fā)，逐步覆蓋到了充氣泵、顯示器、電動(dòng)工具、個(gè)人護(hù)理、新能源汽車、戶外電源、TWS耳機(jī)、POS機(jī)、寵物用品、電子霧化器等十大市場(chǎng)。綜上所述，近年來(lái)重點(diǎn)發(fā)展趨勢(shì)會(huì)是120W以上小體積的GaN/siC PD快充。

2021年12月24日廣東省終端快充行業(yè)協(xié)會(huì)成立，并發(fā)布移動(dòng)終端融合快速充電技術(shù)規(guī)范即UFCS，標(biāo)志著我國(guó)正式擁有自己的快充兼容標(biāo)準(zhǔn)，并兼容PD和OC協(xié)議。未來(lái)幾年國(guó)內(nèi)快充充電器將全部兼容到UFCS，不同品牌的手機(jī)、筆記本電腦、平板等都可以實(shí)現(xiàn)使用一個(gè)廠商充電器快速充電，終端用戶會(huì)真正體驗(yàn)到“一充多用“。

隨著GaN、SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)，同步整流方案等的普遍應(yīng)用，手機(jī)充電器體積將會(huì)更加小型化，功率密度更大，更加節(jié)能，用戶體驗(yàn)感更好。除了手機(jī)充電器，該方案還可以應(yīng)用在其他適配器上。

隨著充電器內(nèi)部的第三代半導(dǎo)體、MOSFET、同步整流、智能芯片等技術(shù)優(yōu)化，會(huì)帶來(lái)?yè)p耗更低、體積更小、功率密度更高的產(chǎn)品。傳統(tǒng)的200W充電器，體積1100cm3，重量達(dá)1300g，得益于功率器件的加持，新的240W快充，體積約160cm3，重量在250g左右，不僅體積更小，重量更輕，更便攜，且損耗會(huì)更低，轉(zhuǎn)換效率更高。

QR準(zhǔn)諧振模式及有源鉗位ACF拓?fù)浼夹g(shù)應(yīng)用，充電器效率進(jìn)一步提升，發(fā)熱量更低，體積更小。30W及以下的充電器適用于QR拓?fù)洌?5W及以上的充電器適用于ACF拓?fù)洹?/p>

中低壓MOS技術(shù)的成熟，將MOS導(dǎo)通阻抗低、發(fā)熱量小、開關(guān)速度快的優(yōu)勢(shì)成功應(yīng)用到次級(jí)整流電路，使得電源發(fā)熱量大幅下降，可靠性更高，體積更小。未來(lái)，低壓GaN MOS的應(yīng)用，將進(jìn)一步降低次級(jí)開關(guān)損耗，使得充電器體積朝更小方向進(jìn)一步突破。采用同步整流MOS，整體效率提升2~5%。采用5V/9V 2A充電時(shí)，同步整流方案溫度可以降低15°C (SOP-8封裝情況下)。如上圖，采用同步整流MOS，整體效率提升2~5%。采用5V/9V 2A充電時(shí),同步整流方案溫度可以降低15左右 (SOP-8封裝情況下)，優(yōu)勢(shì)明顯。

第二部分是手機(jī)充電器MOSFET應(yīng)用介紹。

YJ PD 33W(Flyback+SR)應(yīng)用案例在SR MOS+V-BUS上采用YJG80G06A+YJG05N03A的方案。

第二個(gè)是YJ PD 120W(PFC+SR)應(yīng)用案例。

在快充輸出V-BUS/Buck開關(guān)方案中，揚(yáng)州科技提供多款適用于單口或多口快充VBUS MOS，采用DFN3333封裝工藝，擁有良好的散熱性能。安全性能較好，經(jīng)過(guò)100%的UIS測(cè)試，100%的VDS測(cè)試。

YJ在充電器領(lǐng)域的多款產(chǎn)品方案，以上是應(yīng)用在SR-MOS上面，采用分柵溝槽MOSFET技術(shù)，擁有出色的散熱能力和安全性，可根據(jù)廠商需求提供不同的封裝產(chǎn)品。

YJG110G10A vs **6220 -應(yīng)用對(duì)比測(cè)試(效率對(duì)比)，測(cè)試機(jī)種是OPPO Reno4原裝65W SuperVooC閃充充電器VCA7JACH 輸出。不同輸入條件、不同負(fù)載狀態(tài)*6220與YJG110G10A對(duì)應(yīng)的效率相近。

YJG110G10A與**6220的應(yīng)用對(duì)比測(cè)試(溫升對(duì)比)，在環(huán)境溫度25°的情況下，帶原裝外殼，PCB電路板背面不加散熱片進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果是YJG110G10A測(cè)得最高溫度84.97°C，**6220測(cè)得最高溫度88.87°C，YJG110G10A的溫升表現(xiàn)明顯好于**6220。

MOS對(duì)比分析，同步整流。***6220、YJG110G10A兩款樣品的外觀及尺寸接近 (DFN5X6)，可以互為替代。

***6220、YJG110G10A兩款樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)比，競(jìng)品為打線工藝，YJ為鋁帶焊接工藝。采用更好的鋁帶焊接工藝，可以加快產(chǎn)品的生產(chǎn)，縮短交付給客戶產(chǎn)品的時(shí)間。

***6220、YJG110G10A兩款樣品的芯片外觀及尺寸對(duì)比，競(jìng)品為打線工藝，YJ為鋁帶焊接工藝，熱阻、浪涌能力更好。鋁帶焊接工藝可適用更多產(chǎn)品的連接應(yīng)用。

***6220、YJG110G10A兩款樣品的靜態(tài)直流參數(shù)對(duì)比，根據(jù)測(cè)試的數(shù)據(jù)可以看到 YG110G10A靜態(tài)關(guān)鍵參數(shù)明顯優(yōu)于***6220，導(dǎo)通特性更好。

***6220、YJG110G10A兩款樣品的動(dòng)態(tài)參數(shù)對(duì)比，YG110G10A動(dòng)態(tài)關(guān)鍵參數(shù)明顯優(yōu)于***6220，開關(guān)特性優(yōu)。

第三部分是揚(yáng)杰MOSFET優(yōu)勢(shì)及發(fā)展。

揚(yáng)杰科技的核心優(yōu)勢(shì)是服務(wù)于整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，涵蓋產(chǎn)業(yè)的全流程，從原材料的硅晶棒、硅片、外延片到芯片設(shè)計(jì)，到流片和封測(cè)、電鍍、成品出貨，在原材料、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、銷售渠道、終端廠家的領(lǐng)域中擁有不同的產(chǎn)業(yè)鏈跨度和優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)從原材料硅晶棒到交付給客戶的產(chǎn)成品。是中國(guó)唯一，深度垂直一體化全產(chǎn)業(yè)鏈 (IDM) 企業(yè)，品質(zhì)保證下持續(xù)成本優(yōu)化和供應(yīng)保障能力。

以上是揚(yáng)杰科技的11家工廠分布圖，主要集中在中國(guó)的中部和東部。從揚(yáng)州本土的4大工廠，包括二極管、IGBT、MOSFET、封測(cè)，從流片到封裝都可以在揚(yáng)州進(jìn)行。在無(wú)錫也有流片廠，在長(zhǎng)沙有8寸晶圓廠。在電力資源豐富的西北部有單晶硅棒的原料廠，外延片的工廠。宿遷有貼片二極管、整流橋堆的工廠。

以上是其中揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司《PD快充應(yīng)用領(lǐng)域MOSFET淺談分享》的精彩演講。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

揚(yáng)杰科技分享了由鯨芯與充電頭網(wǎng)的手機(jī)充電器市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì) (PD快充)調(diào)研分析，預(yù)測(cè)最近幾年P(guān)D快充的發(fā)展趨勢(shì)是120W以上小體積、高密度的快充，并且從原來(lái)的手機(jī)快充覆蓋到充氣泵、顯示器、電動(dòng)工具、個(gè)人護(hù)理、新能源汽車、戶外電源、TWS耳機(jī)、POS機(jī)、寵物用品、電子霧化器等十大市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)PD快充的跨領(lǐng)域普及。同時(shí)手機(jī)UFCS快充協(xié)議將不斷普及，提高人們手機(jī)充電的便攜性，使用一個(gè)廠商的充電器即可實(shí)現(xiàn)“一充多用”。

揚(yáng)杰科技通過(guò)PD快充應(yīng)用的MOSFET，向大家展示了多款揚(yáng)杰科技在充電器領(lǐng)域的多款產(chǎn)品方案。揚(yáng)杰科技的11家工廠，其中揚(yáng)州本土的4大工廠就可以實(shí)現(xiàn)從流片到封裝，實(shí)現(xiàn)從原材料硅晶棒到交付給客戶的MOSFET。是中國(guó)唯一，深度垂直一體化全產(chǎn)業(yè)鏈 (IDM) 企業(yè)，品質(zhì)保證下持續(xù)成本優(yōu)化和供應(yīng)保障能力。

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