消費電子僅是GaN規模化應用的第一站，近年來，工業領域對GaN的需求也在逐步攀升。根據AKCP機構測算，2023年網絡設備、通信設備以及數據中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右，成為了“碳中和”最難啃的骨頭。其中，數據的需求將大幅度推高數據中心的建設速度，2023年，數據中心的能耗將占全球總用電量的8%左右。

因此，更高效率、更高功率密度的解決方案成為數據中心供電系統的迫切需求，而高頻高效的氮化鎵材料在服務器電源應用中顯然具備絕對優勢。

據充電頭網獲悉，英諾賽科在多個展會上推出的數據中心全鏈路解決方案中，就包含了 2KW 12V PSU 服務器電源方案。

英諾賽科 2KW PSU 鈦金級方案

該方案完美符合 80 Plus 鈦金級能效，峰值效率高達96.5%，目標應用包括數據中心電源、通信電源和 LED 照明設備電源等能耗較大的系統，是降耗增效的關鍵。

主要參數

尺寸：185mm x 65mm x 36mm（1U standard size）

效率：96.5%@230 Vac（80 Plus 鈦金級能效）

功率密度：76W/in^3

InnoGaN：INN650TA070AH *2、INN650TA030AH *2、INN650D080BS *4

拓撲結構

英諾賽科 2KW PSU 方案采用圖騰柱無橋 PFC+LLC 結構，前端為 AC-DC 無橋圖騰柱 PFC，后端為 DC-DC 隔離全橋 LLC 轉換器。

效率數據

通過效率測試可以看出，在輸入電壓 230Vac/264Vac 的條件下，英諾賽科 2KW PSU 方案的最高效率均達到 96.5%，能輕松滿足 80 Plus 鈦金級能效標準，為數據中心提供高效供電解決方案。

器件性能

2KW PSU 方案采用 InnoGaN 650V 氮化鎵芯片實現功率轉換，其中，PFC 慢橋臂采用2顆INN650TA030AH（650V/30mΩ/Toll封裝），PFC 快橋臂采用2顆INN650TA070AH（650V/70mΩ/Toll封裝），LLC 橋臂采用4顆INN650D080BS（650V/80mΩ/DFN8*8封裝）。

與 Si MOS 相比，InnoGaN 具備低 Qg，低Co(tr)，無反向恢復損耗 Qrr 等特性。其中，InnoGaN 的 Qg 為同等 Ron 的 Si MOS 的1/10，低 Qg 意味著更快的開關速度，可以有效降低開關損耗和驅動損耗；無反向恢復電荷 Qrr，這一特性使 InnoGaN 成為 CCM 圖騰柱無橋 PFC 的理想選擇。

在 LLC 軟開關應用中，最小死區時間 Tdeadmin 正比于 Co(tr)*fsw*Lm，InnoGaN 的 Co(tr) 為同等 Ron 的 Si MOS 的1/8，更小的 Co(tr)，意味著系統采用更小死區時間設計的同時，可實現更高的開關頻率和更小的勵磁電流設計，從而提升 LLC 的功率密度和系統效率。

方案優勢

高效率：在230Vac Vin下效率高達96.5%，符合 80Plus 鈦金級能效標準

高功率密度：76W/in3

1U標準尺寸：185mmx 65mmx 36mm（PCBA）

應用領域

英諾賽科2KW 12V PSU 方案不僅能夠為數據中心鏈路降耗增效，在通信電源、LED 照明等應用中同樣能夠體現小體積、高效率的優勢。

英諾賽科早已在數據中心領域進行產品布局，并在多場展會與研討會上發布了數據中心全鏈路（從前端PSU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片的直接供電）解決方案。隨著頭部企業的引導和市場應用的深入，氮化鎵的優越性能逐漸顯現，將有望成為行業“標準”，實現數據中心電源的技術迭代。

文章來源：英諾賽科