專有的“低門檻電壓”技術帶來更好的溫控效果，第五代GeneSiC?碳化硅(SiC)二極管實現更高速、更高效的性能。

據充電頭網獲悉，納微半導體宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二極管，可有效滿足數據中心、工業電機驅動、太陽能和消費電子等要求嚴格的應用需求。

這款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS?)二極管采用獨特的PiN-Schottky結構，提供低內置電壓偏置（低門檻電壓）以實現在各種負載條件下的最高效率和卓越的魯棒性。應用領域包括服務器/電信電源的PFC電路、工業電機驅動、太陽能逆變器、LCD/LED電視和照明。

部分GeneSiC功率器件應用場景

GeneSiC MPS的獨特設計，結合了PiN和肖特基二極管結構的優點，產生僅有1.3V的最低正向壓降、高浪涌電流（IFSM）和開關損耗隨溫度變化小。專有的薄片技術進一步降低了正向電壓，并很好地提升散熱性能GeneSiC二極管先期提供表面貼裝QFN的封裝。

為確保能在關鍵應用中可靠運行，第五代650V MPS二極管具有一流的魯棒性和耐久性 ，具備高浪涌電流和雪崩能力，并通過100%雪崩（UIL）生產測試。

從4A到24A的容量，采用表貼封裝（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封裝形式，GExxMPS06x系列MPS二極管覆蓋了從300W到3000W的應用范圍，并適用于多種電路，如太陽能電池板升壓轉換器以及游戲機中的連續電流模式的功率因數校正電路（PFC）。TO-247-3封裝形式是“共陰極”配置，為交錯式PFC拓撲結構的高功率密度和材料降本提供了很大的靈活性。

目前納微半導體可向符合要求的客戶提供樣品，詳情請聯系郵箱：

china_distributor@navitassemi.com

納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩杰曾言道：“納微正在為類似于AI，ChatGPT等火熱應用背后的數據中心電源提供可靠，領先的解決方案。高效的、溫控良好的、可靠的器件運行能力，保證了更長使用壽命，從而讓電源設計師更放心地發揮，進一步縮短他們的原型設計周期，加快產品上市時間。”

文章來源：納微半導體