先進的GeneSiC碳化硅技術將實現從10千瓦到兆瓦級別的應用擴展，包括鐵路、電動汽車、工業、太陽能、風能和儲能等領域，加速實現“Electrify Our World?”使命。

近日，充電頭網從納微半導體官方渠道獲悉，納微半導體宣布其采用了全新SiCPAK?模塊和裸片的領先碳化硅功率產品已擴展到更高功率市場，包括鐵路、電動汽車、工業、太陽能、風能和能量儲存等領域。

目標應用領域涵蓋集中式和組串式太陽能逆變器、能量儲存系統（ESS）、工業運動控制，電動汽車（EV）車載充電器、電動汽車快速充電樁、風能、UPS、雙向微電網、DC-DC轉換器以及固態斷路器。

從650V到6500V，納微半導體覆蓋了最全面的碳化硅電壓范圍。從最初的分立封裝系列-從8 x 8毫米的表貼QFN封裝到插件TO-247，GeneSiC SiCPAK模塊打通了直接進入高功率應用領域的初始入口。納微至此形成了包括功率模塊，高電壓SiC MOSFETs和MPS二極管、GaN功率集成電路、高速數字隔離器和低壓硅控制集成電路的全方位的功率技術路線圖。

SiCPAK?模塊采用“壓接”技術，為功率電路提供緊湊的外形尺寸，并向最終用戶提供經濟實惠、高功率密度的解決方案。這些模塊基于納微半導體GeneSiC芯片建造，GeneSiC憑借著卓越的性能、可靠性和堅固性而廣為人知。

其中一個顯著的例子是SiCPAK半橋模塊，額定為6毫歐、1,200伏，并采用了行業領先的溝槽輔助平面柵的SiC MOSFET技術。納微將提供多種SiC MOSFETs和MPS二極管的配置可用于制定針對特定應用的模塊，以實現優異的系統性能。初期發布的產品為額定1,200伏的半橋模塊，6、12、20和30毫歐的多款產品。

在無鉛SiCPAK中，每顆SiC芯片都用銀漿（Ag）焊接到模塊基板上，以實現優秀的冷卻性能和可靠性。基板本身是“直接鍵合銅”（DBC），使用活性金屬釬焊（AMB）技術在氮化硅（Si3N4）陶瓷上制造，非常適合于功率循環。這種結構具有優異的強度和柔韌性、抗斷裂性和良好的熱導性，以實現冷卻、可靠和長壽命的運行。

對于希望自行制造大功率模塊的客戶，所有GeneSiC MOSFET和MPS二極管都提供裸片，并帶有金（Au）和鋁（Al）頂部金屬層。

目前納微已可以向符合要求的客戶提供樣品，詳細信息歡迎發送電子郵件至china_distributor@navitassemi.com以獲取更多信息。

納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩杰曾言道：“憑借完整、領先的電力、控制和隔離技術的系列產品，納微半導體將加速客戶從依賴化石燃料和傳統硅功率產品向新型可再生能源和下一代半導體的轉變，實現更強大、更高效、更快的能源轉化系統。”

文章來源：納微半導體