10分鐘內(nèi)實現(xiàn)100%充電，下一代氮化鎵技術助力SUPERVOOC樹立滿級秒充里程碑

美國加利福尼亞州托倫斯，2023年4月3日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其下一代GaNFast?技術已獲近期發(fā)布的realme GT3（國內(nèi)為realme GT Neo5）隨機標配的240W超快充充電器采用。

realme GT3發(fā)布于今年世界移動大會（MWC），作為新一代的安卓陣營旗艦手機，其配備了世界上第一款商用240W移動超快充。搭載驍龍 8+ 和超幀獨顯芯片 Plus 旗艦雙芯，該手機正面搭配一塊 6.74 英寸支持144Hz刷新率的 AMOLED 柔性直屏，背部創(chuàng)新性地加入了“覺醒光環(huán)系統(tǒng)”，25色RGB潮玩交互系統(tǒng)，個性玩法隨心掌控。

獲TüV萊茵安全認證，這款realme GT3標配SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來，分別用于CRM PFC和HFQR反激拓撲中。該充電器尺寸僅57 x 58 x 30 mm (99 cc)，重量為173g，功率密度達到了業(yè)界領先的2.42 W/cc。使用該充電器為GT3的4600mAh電池充電30秒，就能通話兩小時，僅需4分鐘左右就能充至50%，完全充電可在9分30秒內(nèi)完成。

@MWC發(fā)布會現(xiàn)場

每顆GaNFast?氮化鎵功率芯片將一顆高性能的GaN FET與GaN門極驅(qū)動集成在一起，實現(xiàn)前所未有的高頻及高效運行能力。升級后的GaNSense?技術更是帶來了實時、準確的電壓、電流感測及智能的溫度控制。無損的電流檢測功能去除了外部的電流檢測電阻和熱點，極大地提升了系統(tǒng)效率。

“在USB Type C的協(xié)議支持范圍內(nèi)，我們憑借世界上最強大的智能手機充電方案，讓GT3徹底消除了消費者的續(xù)航焦慮，而這一切的關鍵，是納微半導體搭載了GaNSense?技術的GaNFast?氮化鎵功率芯片。”

——realme副總裁及全球營銷總裁徐起

“納微半導體為realme GT3的全球發(fā)布送上誠摯的慶賀，這無疑是超快充史上的一大里程碑。我們Electrify Our World?的使命不僅一次次地幫助客戶創(chuàng)下一個又一個的快充記錄，同時不斷為消費者帶來更便捷的使用體驗。”

——納微半導體的全球高級銷售副總裁

David Carroll

關于realme

realme是一家專注于提供優(yōu)質(zhì)智能手機和AIoT產(chǎn)品的科技潮牌。秉承創(chuàng)新基因，realme在產(chǎn)品性能、設計、品質(zhì)和服務方面不斷超越自我，致力讓全球年輕人以合理的價格購買到兼具越級性能和潮玩設計的智能產(chǎn)品。

2018年由李炳忠創(chuàng)立的realme，秉持“敢越級”品牌理念，僅用3年在30個市場中整體銷量位列TOP5。截至目前，realme 已進入中國、東南亞、南亞、歐洲、俄羅斯、澳大利亞、中東、拉美和非洲等全球 61 個市場，全球用戶量超1.4億。更多信息，請瀏覽：www.realme.com

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司。GaNFast?氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC?碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過185項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超900萬顆。納微半導體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral?認證的半導體公司。

納微半導體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標或注冊商標。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標志都是或可能是各自所有者用于標識產(chǎn)品或服務的商標或注冊商標。

聯(lián)系方式：

Stephen Oliver（史立維）

企業(yè)營銷和投資者關系副總裁

ir@navitassemi.com