下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者創(chuàng)下行業(yè)新里程碑，全面進(jìn)軍電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能、家用電器、工業(yè)和移動快充領(lǐng)域，該市場潛力達(dá)每年130億美元。

美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。

氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性能所需的能量和物理空間。氮化鎵的運(yùn)行速度相較傳統(tǒng)硅提高了 20 倍，還可以在尺寸和重量減半的情況下，實現(xiàn)高達(dá)3倍的功率提升或快3倍的充電速度。

納微半導(dǎo)體成立于 2014 年，從 2018 年量產(chǎn)GaNFast?氮化鎵功率芯片開始，引領(lǐng)電力電子領(lǐng)域的革命。GaNFast IC單片集成了功率芯片和驅(qū)動功能，以及控制和保護(hù)。搭載了下一代GaNSense?技術(shù)的氮化鎵功率芯片還集成了自動感知和快速控制的功能，具有單橋和半橋產(chǎn)品組合。如今，新的 GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片將高壓氮化鎵功率芯片與高頻、低壓的硅系統(tǒng)控制器相結(jié)合，以實現(xiàn)更高的集成度、更好的易用性和更優(yōu)的系統(tǒng)表現(xiàn)。

作為氮化鎵的市場領(lǐng)導(dǎo)者，納微半導(dǎo)體正消化每年 20 億個的移動快充和超快充市場機(jī)會，目前有超過 240款終端客戶的充電器已投入量產(chǎn)。全球排名前十的移動 OEM 廠商都在生產(chǎn)采用了納微芯片或與納微共同研發(fā)的電源產(chǎn)品，包括戴爾、三星、聯(lián)想、LG、小米、華碩、 OPPO和vivo，以及面向零售的品牌，如安克、綠聯(lián)、Belkin、倍思等。隨著智能手機(jī)屏幕更大，電池容量更大，以及快速的5G功能，智能手機(jī)對大功率的需求日益增加，與此同時，用戶還需要更快的充電速度和更好的便攜性。如今，Realme真我的GT Neo 5（國際版為GT3）等智能手機(jī)使用了GaNFast  240W充電器，可閃電般地在9分30秒內(nèi)實現(xiàn)0-100%的充電，功率密度達(dá)到了世界一流水平——超過 2.4W/cc。

在超過數(shù)百萬顆氮化鎵功率芯片出貨時，憑借卓越的品質(zhì)性能，納微半導(dǎo)體推出了全球首個也是唯一的20年有限保修，預(yù)示著氮化鎵將進(jìn)入更高功率、更高要求的應(yīng)用領(lǐng)域，例如家電、數(shù)據(jù)中心、太陽能、能源存儲和電動汽車。

納微半導(dǎo)體的數(shù)據(jù)中心專研設(shè)計中心為AC-DC電源創(chuàng)建了一系列完整的多千瓦級的平臺設(shè)計，超過了歐盟嚴(yán)苛的鈦金Plus級的高效標(biāo)準(zhǔn)，電源尺寸只有傳統(tǒng)硅電源的一半，成本同時也更低。這一性能已得到Compuware等市場領(lǐng)先客戶的驗證。

在家電和工業(yè)市場的真空吸塵器、冰箱壓縮機(jī)、洗衣機(jī)和烘干機(jī)等應(yīng)用中，氮化鎵的應(yīng)用可以使電機(jī)驅(qū)動器效率更高、尺寸更小、重量更輕。如搭載3個GaNSense半橋氮化鎵功率芯片的400W驅(qū)動器，功率損耗減少70%以上。

對于住宅用的太陽能逆變器，由于擁有高頻運(yùn)行和高集成度的特性，與傳統(tǒng)硅相比，采用氮化鎵可以節(jié)省大約25%的系統(tǒng)成本。與此同時，納微半導(dǎo)體與來自德國的KATEK等客戶合作，旗下的GeneSiC?碳化硅 MOSFETs現(xiàn)已用于更高功率的商用組串式逆變器并實現(xiàn)了量產(chǎn)。

納微半導(dǎo)體的碳化硅器件現(xiàn)也正在進(jìn)軍電動汽車市場，同時納微的氮化鎵器件正在開發(fā)并用于千瓦級的車載充電器 (OBC) 和DC-DC轉(zhuǎn)換器。車聯(lián)萬物(V2x) 在行業(yè)內(nèi)意為電動汽車能為其他負(fù)載提供電力，無論是家庭、診所還是其他電動汽車。對于 V2x，納微半導(dǎo)體的電動汽車專研設(shè)計中心設(shè)計了包括 6.6 kW“三合一”設(shè)計，具有整合的雙向OBC和DC-DC功能，與競爭對手的解決方案相比，可實現(xiàn)高達(dá)17%的節(jié)能并增加1.6 倍的功率密度。

“下一代 GaNFast 技術(shù)是電力電子技術(shù)重大升級的催化劑，并促使我們在成立的7 年時間內(nèi)實現(xiàn)了IPO。我們已經(jīng)看到，到2026年，氮化鎵將擁有每年130億美元的市場機(jī)會。與此同時，在我們的使命——‘Electrify Our World’? 的推動下，我們很高興地看到：由于每出貨一顆氮化鎵功率芯片就可減少 4 公斤的二氧化碳排放，因此到目前為止，與傳統(tǒng)硅芯片相比，我們已經(jīng)成功減少了超過 150,000噸的二氧化碳排放，這是我們助力環(huán)保進(jìn)程的一大步。”

——納微半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官

Gene Sheridan

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast?氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC?碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場包括移動設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過185項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超900萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral?認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

聯(lián)系方式

Stephen Oliver（史立維）

企業(yè)營銷和投資者關(guān)系副總裁

ir@navitassemi.com