高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成，實現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng)

美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。

氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。采用了氮化鎵的充電器，能在尺寸和重量減半的前提下，實現(xiàn)高達3倍的功率處理能力或快3倍的充電能力。在電源系統(tǒng)中，一個優(yōu)化的高頻低壓 (LV) 硅系統(tǒng)控制器必不可少。納微不僅開發(fā)了這樣的控制器還將其與其高性能的氮化鎵芯片集成在一起，推出了業(yè)界首創(chuàng)的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片技術。

初代GaNSense Control 合封氮化鎵功率芯片系列具有高頻準諧振 (HFQR) 反激，支持 QR、DCM、CCM 和多頻率、混合模式運行，頻率高達 225 kHz。從單個采用表面貼片的QFN 封裝（NV695x 系列）到以芯片組 (NV9510x + NV61xx)，可最大化電路設計的靈活性。在副邊，與傳統(tǒng)整流器相比，集成了同步整流器 (SR)的氮化鎵功率芯片(NV97xx) ，可在任何負載條件下實現(xiàn)最大效率。

GaNSense?Control合封芯片集成了無損電流檢測、高壓啟動、抖頻、低待機功率、寬Vdd輸入電壓的特性，能在元件更少，無電流采樣電阻熱點的前提下，帶來小巧、高效、溫控更優(yōu)的系統(tǒng)。此外，一系列的集成保護功能包括800V瞬態(tài)電壓擊穿、2kV ESD及智能的過壓、過流、過溫保護帶來了更穩(wěn)固的功率芯片和可靠的電源系統(tǒng)。

GaNSense?Control合封氮化鎵功率芯片將率先覆蓋20-150W的智能手機、平板電腦和筆記本電腦充電器，消費電子和家用電器、銷售終端機、大功率數(shù)據(jù)中心和400V電動汽車系統(tǒng)中的輔助電源。目前，發(fā)貨量已經超過100萬片。

“我們將高頻、模擬和混合信號的硅控制器，戰(zhàn)略性地加入到與現(xiàn)有的氮化鎵、碳化硅和數(shù)字隔離技術平臺中去，為更優(yōu)的電源系統(tǒng)奠定了設計基礎，增加了每年10億美元的市場機遇。我們先為GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片錨定了移動快充、家用電器以及數(shù)據(jù)中心輔助電源的市場方向。未來，我們將擴大版圖至更高功率的清潔能源、儲能和電動汽車領域。納微半導體在這些市場中具備獨有的優(yōu)勢——憑借先進的系統(tǒng)設計中心，影響客戶的系統(tǒng)架構選擇。由此，無論在下一代功率半導體中選擇氮化鎵還是碳化硅，我們都將具備最大化系統(tǒng)優(yōu)勢。”

——納微半導體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術官

首席運營官 Dan Kinzer

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過185項已經獲頒或正在申請中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超900萬顆。納微半導體于業(yè)內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral?認證的半導體公司。

納微半導體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標或注冊商標。所有其他品牌、產品名稱和標志都是或可能是各自所有者用于標識產品或服務的商標或注冊商標。

聯(lián)系方式：

Stephen Oliver（史立維）

企業(yè)營銷和投資者關系副總裁

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文章來源：納微芯球